FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFI4228PBF-IR

IRFI4228PBF-IR

HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

International Rectifier

4,470 -
IRFI4228PBF-IR

Технический лист

HEXFET® TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 34A (Tc) 10V 16mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V 4560 pF @ 25 V - 46W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB Full-Pak
IRFC7314B

IRFC7314B

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

Infineon Technologies

2,134 -
IRFC7314B

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - ±12V - - - - - - - -
IRF7416TRPBF-1

IRF7416TRPBF-1

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

Infineon Technologies

3,262 -
IRF7416TRPBF-1

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) - 20mOhm @ 5.6A, 10V 2.04V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IRLML2803TRPBF-1

IRLML2803TRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23

Infineon Technologies

7,907 -
IRLML2803TRPBF-1

Технический лист

HEXFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 1.2A (Ta) - 250mOhm @ 910mA, 10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 85 pF @ 25 V - 540mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Micro3™/SOT-23
IRF7410TRPBF-1

IRF7410TRPBF-1

MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

Infineon Technologies

3,751 -
IRF7410TRPBF-1

Технический лист

HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 16A (Ta) - 7mOhm @ 16A, 4.5V 900mV @ 250µA 91 nC @ 4.5 V ±8V 8676 pF @ 10 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
AONS36326

AONS36326

MOSFET N-CH 5X6 DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

9,034 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AON6582

AON6582

MOSFET N-CH 5X6 DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,919 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AOSS32389

AOSS32389

MOSFET N-CH 30V SOT23

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,492 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AON6570

AON6570

MOSFET N-CH 5X6 DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,705 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AON6358P

AON6358P

MOSFET N-CH 5X6 DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

4,050 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AON6332

AON6332

MOSFET N-CH 30V 5X6 DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,133 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AON7468

AON7468

MOSFET N-CH 3X3 DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

4,517 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AON7596

AON7596

MOSFET N-CH 3X3 DFN

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

6,187 -

-

- - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
AO3434TS

AO3434TS

MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23-3

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,383 -

-

- 3-SMD, SOT-23-3 Variant Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.5A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 4.2A, 10V 1.8V @ 250µA 7.2 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 15 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
AO3434LS

AO3434LS

MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23-3

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

8,356 -

-

- 3-SMD, SOT-23-3 Variant Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.5A (Ta) 4.5V, 10V 52mOhm @ 4.2A, 10V 1.8V @ 250µA 7.2 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 15 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
TPCA8109(TE12L1,V

TPCA8109(TE12L1,V

MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

9,629 -

-

U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 12A, 10V 2V @ 500µA 56 nC @ 10 V +20V, -25V 2400 pF @ 10 V - 1.6W (Ta), 30W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
TPCC8104,L1Q(CM

TPCC8104,L1Q(CM

MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON

Toshiba Semiconductor and Storage

5,080 -

-

U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta) 4.5V, 10V 8.8mOhm @ 10A, 10V 2V @ 500µA 58 nC @ 10 V +20V, -25V 2260 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 27W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
TPCC8105,L1Q(CM

TPCC8105,L1Q(CM

MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON

Toshiba Semiconductor and Storage

2,514 -

-

U-MOSVI 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 23A (Ta) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 11.5A, 10V 2V @ 500µA 76 nC @ 10 V +20V, -25V 3240 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 30W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
TPCC8136.LQ

TPCC8136.LQ

MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON

Toshiba Semiconductor and Storage

3,328 -

-

U-MOSVI 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 16mOhm @ 9.4A, 4.5V 1.2V @ 1mA 36 nC @ 5 V ±12V 2350 pF @ 10 V - 700mW (Ta), 18W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
TK40J20D,S1F(O

TK40J20D,S1F(O

MOSFET N-CH 200V 40A TO3P

Toshiba Semiconductor and Storage

7,100 -

-

π-MOSVIII TO-3P-3, SC-65-3 Tray Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 40A (Ta) 10V 44mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 100 V - 260W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-3P(N)
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь