TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
MSC011SMC120D/S

MSC011SMC120D/S

MOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE

Microchip Technology

7,006 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MSC011SMB120SDT/R

MSC011SMB120SDT/R

MOSFET SIC 1200 V 11 MOHM, 7LD T

Microchip Technology

8,897 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MSC080SMB120D/S

MSC080SMB120D/S

MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM DIE

Microchip Technology

5,464 -

-

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MSC040SMA120SDT/R

MSC040SMA120SDT/R

MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-263

Microchip Technology

6,632 -
MSC040SMA120SDT/R

Технический лист

mSiC™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 18V, 20V 50mOhm @ 40A, 20V 2.7V @ 2mA 137 nC @ 20 V +23V, -10V 1962 pF @ 1000 V - 338W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
MSC011SMB120D/S

MSC011SMB120D/S

MOSFET SIC 1200 V 11 MOHM DIE

Microchip Technology

6,768 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MSC060SMB120D/S

MSC060SMB120D/S

MOSFET SIC 1200 V 60 MOHM DIE

Microchip Technology

3,943 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MSC040SMB120D/S

MSC040SMB120D/S

MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM DIE

Microchip Technology

5,413 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MSC025SMB120D/S

MSC025SMB120D/S

MOSFET SIC 1200 V 25 MOHM DIE

Microchip Technology

5,237 -

-

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
MSC080SMA330B4N

MSC080SMA330B4N

MOSFET SIC 3300V 80 MOHM TO-247-

Microchip Technology

7,947 -
MSC080SMA330B4N

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 3300 V 41A (Tc) 20V 105mOhm @ 30A, 20V 2.97V @ 3mA 55 nC @ 20 V +23V, -10V 3462 pF @ 2.4 kV - 381W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IGLT65R055D2

IGLT65R055D2

GAN TRANSISTOR 650 V G5

Infineon Technologies Canada Inc.

6,023 -

-

CoolGaN™ 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 31A (Tc) - - 1.6V @ 2.6mA 6.6 nC @ 3 V -10V 330 pF @ 400 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-8
IGLT65R045D2

IGLT65R045D2

GAN TRANSISTOR 650 V G5

Infineon Technologies Canada Inc.

4,276 -

-

CoolGaN™ 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 38A (Tc) - - 1.6V @ 3.3mA 8.4 nC @ 3 V -10V 420 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-8
SCT2H12NWBTL1

SCT2H12NWBTL1

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Rohm Semiconductor

9,309 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SCT2750NWCTL1

SCT2750NWCTL1

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Rohm Semiconductor

7,718 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
C3M00160120D

C3M00160120D

SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I

Wolfspeed, Inc.

8,663 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
C3M0900170D

C3M0900170D

SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3

Wolfspeed, Inc.

2,164 -

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 6.3A - - - - - - - - 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
C3M0900170J-TR

C3M0900170J-TR

SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7

Wolfspeed, Inc.

6,829 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 6.3A - - - - - - - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
C3M0900170J

C3M0900170J

SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK

Wolfspeed, Inc.

9,653 -

-

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 6.3A - - - - - - - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
NTC160N120SC1

NTC160N120SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, CHANNEL,

onsemi

9,778 -
NTC160N120SC1

Технический лист

- Die Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 34 nC @ 20 V +25V, -15V 665 pF @ 800 V - 119W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount Die
NVD6828NLT4G

NVD6828NLT4G

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 90

onsemi

9,934 -
NVD6828NLT4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90 V 8.7A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 61 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
NVMFS5C430NLAFT1G-YE

NVMFS5C430NLAFT1G-YE

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40

onsemi

2,334 -
NVMFS5C430NLAFT1G-YE

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь