FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NTBGS6D5N15MC

NTBGS6D5N15MC

MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK

onsemi

1,010 -
NTBGS6D5N15MC

Технический лист

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 15A (Ta), 121A (Tc) 8V, 10V 7mOhm @ 69A, 10V 4.5V @ 379µA 57 nC @ 10 V ±20V 4745 pF @ 75 V - 3.7W (Ta), 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SUP85N10-10-GE3

SUP85N10-10-GE3

MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

Vishay Siliconix

500 -
SUP85N10-10-GE3

Технический лист

TrenchFET® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 85A (Tc) 4.5V, 10V 10.5mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 6550 pF @ 25 V - 3.75W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole -
AOTL66401

AOTL66401

MOSFET N-CH 40V 82A/400A TOLLA

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

1,146 -
AOTL66401

Технический лист

AlphaSGT™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 82A (Ta), 400A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 340 nC @ 10 V ±20V 19180 pF @ 20 V - 8.3W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLLA
STW7N95K3

STW7N95K3

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3

STMicroelectronics

590 -
STW7N95K3

Технический лист

SuperMESH3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 7.2A (Tc) 10V 1.35Ohm @ 3.6A, 10V 5V @ 100µA 34 nC @ 10 V ±30V 1031 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXTQ110N10P

IXTQ110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A TO3P

Littelfuse Inc.

300 -
IXTQ110N10P

Технический лист

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 3550 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
FCH125N65S3R0-F155

FCH125N65S3R0-F155

MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3

onsemi

450 -
FCH125N65S3R0-F155

Технический лист

SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 2.4mA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STB30N65M5

STB30N65M5

MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

STMicroelectronics

1,996 -
STB30N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Tc) 10V 139mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±25V 2880 pF @ 100 V - 140W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NTMTS002N10MCTXG

NTMTS002N10MCTXG

PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S

onsemi

2,866 -
NTMTS002N10MCTXG

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 45A (Ta), 236A (Tc) 6V, 10V 2.3mOhm @ 90A, 10V 4V @ 520µA 89 nC @ 10 V ±20V 6305 pF @ 50 V - 9W (Ta), 255W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
FCH104N60F-F085

FCH104N60F-F085

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

onsemi

435 -
FCH104N60F-F085

Технический лист

SuperFET® II TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37A (Tc) 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 4302 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IPDD60R055CFD7XTMA1

IPDD60R055CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 52A HDSOP-10

Infineon Technologies

1,385 -
IPDD60R055CFD7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 52A (Tc) - 55mOhm @ 15.1A, 10V 4.5V @ 760µA 67 nC @ 10 V ±20V 2724 pF @ 400 V - 329W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
STB20NM50FDT4

STB20NM50FDT4

MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

STMicroelectronics

966 -
STB20NM50FDT4

Технический лист

FDmesh™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 20A (Tc) 10V 250mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1380 pF @ 25 V - 192W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
TSM60NB099CF C0G

TSM60NB099CF C0G

MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S

Taiwan Semiconductor Corporation

901 -

-

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 2587 pF @ 100 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220S
SIHW47N60E-GE3

SIHW47N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD

Vishay Siliconix

345 -
SIHW47N60E-GE3

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 64mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V 9620 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXTH34N65X2

IXTH34N65X2

MOSFET N-CH 650V 34A TO247

Littelfuse Inc.

217 -
IXTH34N65X2

Технический лист

Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) 10V 105mOhm @ 17A, 10V 4.5V @ 4mA 53 nC @ 10 V ±30V 3120 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IPW65R099CFD7AXKSA1

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41

Infineon Technologies

186 -
IPW65R099CFD7AXKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7A TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 99mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V 2513 pF @ 400 V - 127W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3-41
IXFH130N15X3

IXFH130N15X3

MOSFET N-CH 150V 130A TO247

Littelfuse Inc.

341 -
IXFH130N15X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 130A (Tc) 10V 9mOhm @ 65A, 10V 4.5V @ 1.5mA 80 nC @ 10 V ±20V 5230 pF @ 25 V - 390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
SIHH105N60EF-T1GE3

SIHH105N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

3,009 -
SIHH105N60EF-T1GE3

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V 105mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 2099 pF @ 100 V - 174W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IPT60R055CFD7XTMA1

IPT60R055CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF

Infineon Technologies

1,764 -
IPT60R055CFD7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 44A (Tc) 10V 55mOhm @ 15.1A, 10V 4.5V @ 760µA 67 nC @ 10 V ±20V 2721 pF @ 400 V - 236W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
FDH047AN08A0

FDH047AN08A0

MOSFET N-CH 75V 15A TO247-3

onsemi

499 -
FDH047AN08A0

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 15A (Tc) 6V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V 6600 pF @ 25 V - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFP5N100PM

IXFP5N100PM

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220

Littelfuse Inc.

196 -
IXFP5N100PM

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 2.3A (Tc) 10V 2.8Ohm @ 2.5A, 10V 6V @ 250µA 33.4 nC @ 10 V ±30V 1830 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
Total 36322 Record«Prev1... 195196197198199200201202...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь