FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
RJ1L12BGNTLL

RJ1L12BGNTLL

NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L

Rohm Semiconductor

1,993 -
RJ1L12BGNTLL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 500µA 175 nC @ 10 V ±20V 9000 pF @ 30 V - 192W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
NTMTSC1D5N08MC

NTMTSC1D5N08MC

MOSFET N-CH 80V 33A/287A 8DFNW

onsemi

2,954 -
NTMTSC1D5N08MC

Технический лист

Dual Cool™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 33A (Ta), 287A (Tc) 6V, 10V 1.56mOhm @ 80A, 10V 4V @ 650µA 140 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 40 V - 3.3W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 8-TDFNW (8.3x8.4)
STW48NM60N

STW48NM60N

MOSFET N-CH 600V 44A TO247

STMicroelectronics

573 -
STW48NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 44A (Tc) 10V 70mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 124 nC @ 10 V ±25V 4285 pF @ 50 V - 330W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
UF3C120150K4S

UF3C120150K4S

SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4

Qorvo

434 -
UF3C120150K4S

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 18.4A (Tc) 12V 180mOhm @ 5A, 12V 5.5V @ 10mA 25.7 nC @ 12 V ±25V 738 pF @ 100 V - 166.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
PJMD990N65EC_L2_00001

PJMD990N65EC_L2_00001

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

6,000 -
PJMD990N65EC_L2_00001

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.7A (Tc) 10V 990mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V 306 pF @ 400 V - 47.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJMF360N60EC_T0_00001

PJMF360N60EC_T0_00001

600V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

2,000 -
PJMF360N60EC_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V 735 pF @ 400 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
PJMP130N65EC_T0_00001

PJMP130N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

2,000 -
PJMP130N65EC_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 130mOhm @ 10.8A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 1920 pF @ 400 V - 235W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
IXFH24N80P

IXFH24N80P

MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD

Littelfuse Inc.

200 -
IXFH24N80P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 24A (Tc) 10V 400mOhm @ 12A, 10V 5V @ 4mA 105 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
R6535KNX3C16

R6535KNX3C16

650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

Rohm Semiconductor

1,000 -
R6535KNX3C16

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 115mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1.3mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 370W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IXFP60N25X3M

IXFP60N25X3M

MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB

Littelfuse Inc.

280 -
IXFP60N25X3M

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 60A (Tc) 10V 23mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 1.5mA 50 nC @ 10 V ±20V 3610 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (IXFP)
PJMD390N65EC_L2_00001

PJMD390N65EC_L2_00001

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

5,940 -
PJMD390N65EC_L2_00001

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 390mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 726 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
PJMF120N60EC_T0_00001

PJMF120N60EC_T0_00001

600V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

1,997 -
PJMF120N60EC_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 120mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 1960 pF @ 400 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
PJMF130N65EC_T0_00001

PJMF130N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

1,976 -
PJMF130N65EC_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 130mOhm @ 10.8A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 1920 pF @ 400 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
FCH099N65S3-F155

FCH099N65S3-F155

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

onsemi

645 -
FCH099N65S3-F155

Технический лист

SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 99mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 3mA 61 nC @ 10 V ±30V 2480 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXKH35N60C5

IXKH35N60C5

MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD

Littelfuse Inc.

359 -
IXKH35N60C5

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 100mOhm @ 18A, 10V 3.9V @ 1.2mA 70 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
FDBL0150N60

FDBL0150N60

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

onsemi

1,369 -
FDBL0150N60

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 240A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 169 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 30 V - 357W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
IRFPC60PBF

IRFPC60PBF

MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3

Vishay Siliconix

302 -

-

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 400mOhm @ 9.6A, 10V 4V @ 250µA 210 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 25 V - 280W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPDD60R045CFD7XTMA1

IPDD60R045CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10

Infineon Technologies

1,680 -
IPDD60R045CFD7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) - 45mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 900µA 79 nC @ 10 V ±20V 3194 pF @ 400 V - 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
IXTQ100N25P

IXTQ100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO3P

Littelfuse Inc.

169 -
IXTQ100N25P

Технический лист

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 100A (Tc) 10V 24mOhm @ 50A, 10V 5V @ 250µA 185 nC @ 10 V ±20V 6300 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
TSM60NB099PW C1G

TSM60NB099PW C1G

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

Taiwan Semiconductor Corporation

2,055 -

-

- TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 11.7A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 2587 pF @ 100 V - 329W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
Total 36322 Record«Prev1... 197198199200201202203204...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь