FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
R6535ENZC17

R6535ENZC17

MOSFET N-CH 650V 35A TO3

Rohm Semiconductor

300 -
R6535ENZC17

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 115mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1.21mA 110 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 25 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
NVMFS5C404NLWFAFT1G

NVMFS5C404NLWFAFT1G

MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN

onsemi

1,481 -
NVMFS5C404NLWFAFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 370A (Tc) 4.5V, 10V 0.67mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 81 nC @ 4.5 V ±20V 12168 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTHL065N65S3HF

NTHL065N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3

onsemi

318 -
NTHL065N65S3HF

Технический лист

SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) - 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 1.3mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
R6020KNZ4C13

R6020KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Rohm Semiconductor

410 -
R6020KNZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 1550 pF @ 25 V - 231W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
STW42N65M5

STW42N65M5

MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3

STMicroelectronics

498 -
STW42N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 33A (Tc) 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±25V 4650 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFQ72N20X3

IXFQ72N20X3

MOSFET N-CH 200V 72A TO3P

Littelfuse Inc.

304 -
IXFQ72N20X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 72A (Tc) 10V 20mOhm @ 36A, 10V 4.5V @ 1.5mA 55 nC @ 10 V ±20V 3780 pF @ 25 V - 320W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
UF4C120070K4S

UF4C120070K4S

1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,

Qorvo

240 -
UF4C120070K4S

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 27.5A (Tc) - 91mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 217W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFH46N65X3

IXFH46N65X3

MOSFET 46A 650V X3 TO247

Littelfuse Inc.

352 -
IXFH46N65X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 73mOhm @ 23A, 10V 5.2V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±20V 2730 pF @ 25 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
NVMTS0D6N04CLTXG

NVMTS0D6N04CLTXG

T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI

onsemi

2,863 -
NVMTS0D6N04CLTXG

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 78.9A (Ta), 554.5A (Tc) 4.5V, 10V 0.42mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 265 nC @ 10 V ±20V 16013 pF @ 20 V - 5W (Ta), 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 - -
IMW65R072M1HXKSA1

IMW65R072M1HXKSA1

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Infineon Technologies

260 -
IMW65R072M1HXKSA1

Технический лист

CoolSIC™ M1 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 26A (Tc) 18V 94mOhm @ 13.3A, 18V 5.7V @ 4mA 22 nC @ 18 V +23V, -5V 744 pF @ 400 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
NVH4L160N120SC1

NVH4L160N120SC1

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

onsemi

353 -
NVH4L160N120SC1

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17.3A (Tc) 20V 224mOhm @ 12A, 20V 4.3V @ 2.5mA 34 nC @ 20 V +25V, -15V 665 pF @ 800 V - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
SCT4062KRC15

SCT4062KRC15

1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Rohm Semiconductor

4,925 -
SCT4062KRC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
IXFH140N10P

IXFH140N10P

MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD

Littelfuse Inc.

306 -
IXFH140N10P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 140A (Tc) 10V 11mOhm @ 70A, 10V 5V @ 4mA 155 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
FDBL9401-F085T6

FDBL9401-F085T6

MOSFET N-CH 40V 58.4/240A 8HPSOF

onsemi

5,193 -
FDBL9401-F085T6

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 58.4A (Ta), 240A (Tc) - 0.67mOhm @ 50A, 10V 4V @ 290µA 148 nC @ 10 V +20V, -16V 10000 pF @ 25 V - 4.3W (Ta), 180.7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
PJMH074N60FRC_T0_00601

PJMH074N60FRC_T0_00601

600V/ 74MOHM / 53A/ FAST RECOVER

Panjit International Inc.

2,984 -
PJMH074N60FRC_T0_00601

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53A (Tc) 10V 74mOhm @ 26.5A, 10V 4.5V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V 3871 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IPP65R050CFD7AAKSA1

IPP65R050CFD7AAKSA1

MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3

Infineon Technologies

500 -
IPP65R050CFD7AAKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7A TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.8A, 10V 4.5V @ 1.24mA 102 nC @ 10 V ±20V 4975 pF @ 400 V - 227W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO220-3
SIHK055N60E-T1-GE3

SIHK055N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

Vishay Siliconix

1,967 -
SIHK055N60E-T1-GE3

Технический лист

E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 42A (Tc) 10V 56mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±30V 3504 pF @ 100 V - 236W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
STP34NM60ND

STP34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

STMicroelectronics

784 -
STP34NM60ND

Технический лист

FDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 250µA 80.4 nC @ 10 V ±25V 2785 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IXTH80N65X2

IXTH80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO247

Littelfuse Inc.

301 -
IXTH80N65X2

Технический лист

Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 4mA 144 nC @ 10 V ±30V 7753 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFQ60N50P3

IXFQ60N50P3

MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

Littelfuse Inc.

316 -
IXFQ60N50P3

Технический лист

HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 60A (Tc) 10V 100mOhm @ 30A, 10V 5V @ 4mA 96 nC @ 10 V ±30V 6250 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
Total 36322 Record«Prev1... 199200201202203204205206...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь