TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SIHK055N60E-T1-GE3

SIHK055N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

Vishay Siliconix

1,967 -
SIHK055N60E-T1-GE3 Технический лист E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 42A (Tc) 10V 56mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±30V 3504 pF @ 100 V - 236W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
STP34NM60ND

STP34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

STMicroelectronics

784 -
STP34NM60ND Технический лист FDmesh™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 250µA 80.4 nC @ 10 V ±25V 2785 pF @ 50 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IXTH80N65X2

IXTH80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO247

Littelfuse Inc.

301 -
IXTH80N65X2 Технический лист Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 4.5V @ 4mA 144 nC @ 10 V ±30V 7753 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
IXFQ60N50P3

IXFQ60N50P3

MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

Littelfuse Inc.

316 -
IXFQ60N50P3 Технический лист HiPerFET™, Polar3™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 60A (Tc) 10V 100mOhm @ 30A, 10V 5V @ 4mA 96 nC @ 10 V ±30V 6250 pF @ 25 V - 1040W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXFA20N85XHV

IXFA20N85XHV

MOSFET N-CH 850V 20A TO263

Littelfuse Inc.

200 -
IXFA20N85XHV Технический лист HiPerFET™, Ultra X TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 20A (Tc) 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 2.5mA 63 nC @ 10 V ±30V 1660 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
SIHG47N60AEF-GE3

SIHG47N60AEF-GE3

MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC

Vishay Siliconix

216 -
SIHG47N60AEF-GE3 Технический лист EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 40A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±30V 3576 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
STW56N65M2

STW56N65M2

MOSFET N-CH 650V 49A TO247

STMicroelectronics

114 -
STW56N65M2 Технический лист MDmesh™ M2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 62mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V 3900 pF @ 100 V - 358W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NTP055N65S3H

NTP055N65S3H

MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3

onsemi

730 -
NTP055N65S3H Технический лист SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 55mOhm @ 23.5A, 10V 4V @ 4.8mA 96 nC @ 10 V ±30V 4305 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPDD60R050G7XTMA1

IPDD60R050G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 47A HDSOP-10

Infineon Technologies

3,215 -
IPDD60R050G7XTMA1 Технический лист CoolMOS™ G7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 50mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 68 nC @ 10 V ±20V 2670 pF @ 400 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
NVHL082N65S3F

NVHL082N65S3F

MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3

onsemi

450 -
NVHL082N65S3F Технический лист SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 4mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IXTP60N20X4

IXTP60N20X4

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220

Littelfuse Inc.

300 -
IXTP60N20X4 Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 21mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 2450 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220 (IXTP)
IXFH160N15T2

IXFH160N15T2

MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD

Littelfuse Inc.

298 -
IXFH160N15T2 Технический лист HiPerFET™, TrenchT2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 160A (Tc) 10V 9mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 1mA 253 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 25 V - 880W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
FCH072N60

FCH072N60

MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3

onsemi

841 -
FCH072N60 Технический лист SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 52A (Tc) 10V 72mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5890 pF @ 380 V - 481W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NTH4LN067N65S3H

NTH4LN067N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

218 -
NTH4LN067N65S3H Технический лист SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 67mOhm @ 20A, 10V 4V @ 3.9mA 80 nC @ 10 V ±30V 3750 pF @ 400 V - 266W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFR36N60P

IXFR36N60P

MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247

Littelfuse Inc.

268 -
IXFR36N60P Технический лист HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 200mOhm @ 18A, 10V 5V @ 4mA 102 nC @ 10 V ±30V 5800 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
SIHG039N60EF-GE3

SIHG039N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 61A TO247AC

Vishay Siliconix

435 -
SIHG039N60EF-GE3 Технический лист EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) 10V 40mOhm @ 32A, 10V 5V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±30V 4323 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
NVBG089N65S3F

NVBG089N65S3F

SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

onsemi

800 -
NVBG089N65S3F Технический лист - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 37A (Tc) 10V 89mOhm @ 18.5A, 10V 5V @ 970µA 74 nC @ 10 V ±30V 3598 pF @ 400 V - 291W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
NVHL080N120SC1A

NVHL080N120SC1A

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3

onsemi

890 -
NVHL080N120SC1A Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 20V 110mOhm @ 20A, 20V 4.3V @ 5mA 56 nC @ 20 V +25, -15V 1670 pF @ 800 V - 178W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
R6035KNZ4C13

R6035KNZ4C13

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Rohm Semiconductor

600 -
R6035KNZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 379W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IMZA65R057M1HXKSA1

IMZA65R057M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Infineon Technologies

150 -
IMZA65R057M1HXKSA1 Технический лист CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 35A (Tc) 18V 74mOhm @ 16.7A, 18V 5.7V @ 5mA 28 nC @ 18 V +20V, -2V 930 pF @ 400 V - 133W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
Total 36284 Record«Prev1... 199200201202203204205206...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь