TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6547ENZ4C13

    R6547ENZ4C13

    650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    		 324 -
    Запрос цены
    		R6547ENZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 80mOhm @ 25.8A, 10V 4V @ 1.72mA 150 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 25 V - 480W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    R6025JNZ4C13

    R6025JNZ4C13

    MOSFET N-CH 600V 25A TO247G

    Rohm Semiconductor

    		 597 -
    Запрос цены
    		R6025JNZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 15V 182mOhm @ 12.5A, 15V 7V @ 4.5mA 57 nC @ 15 V ±30V 1900 pF @ 100 V - 306W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    NTH4LN040N65S3H

    NTH4LN040N65S3H

    NTH4LN040N65S3H

    onsemi

    		 367 -
    Запрос цены
    		NTH4LN040N65S3H Технический лист SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 62A (Tc) 10V 40mOhm @ 31A, 10V 4V @ 6.8mA 132 nC @ 10 V ±30V 6513 pF @ 400 V - 379W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IXFH12N100P

    IXFH12N100P

    MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 570 -
    Запрос цены
    		IXFH12N100P Технический лист HiPerFET™, Polar TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 12A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4080 pF @ 25 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    STO68N65DM6

    STO68N65DM6

    N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

    STMicroelectronics

    		 187 -
    Запрос цены
    		STO68N65DM6 Технический лист - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 55A (Tc) 10V 65mOhm @ 27.5A, 10V 4.75V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±25V 3528 pF @ 100 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL (HV)
    AUIRFP4568-E

    AUIRFP4568-E

    MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD

    Infineon Technologies

    		 355 -
    Запрос цены
    		AUIRFP4568-E Технический лист HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NTH4L060N065SC1

    NTH4L060N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    		 499 -
    Запрос цены
    		NTH4L060N065SC1 Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    STW69N65M5-4

    STW69N65M5-4

    MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L

    STMicroelectronics

    		 385 -
    Запрос цены
    		STW69N65M5-4 Технический лист MDmesh™ V TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 45mOhm @ 29A, 10V 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±25V 6420 pF @ 100 V - 330W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IXFH230N10T

    IXFH230N10T

    MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    Запрос цены
    		IXFH230N10T Технический лист HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 230A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 1mA 250 nC @ 10 V ±20V 15300 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    SIHG47N60E-E3

    SIHG47N60E-E3

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

    Vishay Siliconix

    		 225 -
    Запрос цены
    		SIHG47N60E-E3 Технический лист - TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 64mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±30V 9620 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    NTBL050N65S3H

    NTBL050N65S3H

    MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    		 1,278 -
    Запрос цены
    		NTBL050N65S3H Технический лист - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 4.8mA 98 nC @ 10 V ±30V 4880 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    SCT3105KW7TL

    SCT3105KW7TL

    SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    		 995 -
    Запрос цены
    		SCT3105KW7TL Технический лист - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 23A (Tc) - 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 125W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SIHK045N60E-T1-GE3

    SIHK045N60E-T1-GE3

    E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

    Vishay Siliconix

    		 1,806 -
    Запрос цены
    		SIHK045N60E-T1-GE3 Технический лист E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 48A (Tc) 10V 49mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4013 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    UF4C120053K4S

    UF4C120053K4S

    1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,

    Qorvo

    		 505 -
    Запрос цены
    		UF4C120053K4S Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 34A (Tc) 12V 67mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    FCA47N60-F109

    FCA47N60-F109

    MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

    onsemi

    		 452 -
    Запрос цены
    		FCA47N60-F109 Технический лист SuperFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
    NVHL040N60S5F

    NVHL040N60S5F

    SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-

    onsemi

    		 337 -
    Запрос цены
    		NVHL040N60S5F Технический лист FRFET®, SUPERFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 59A (Tc) 10V 40mOhm @ 29.5A, 10V 4.8V @ 7.2mA 115 nC @ 10 V ±30V 6318 pF @ 400 V - 347W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPW60R075CPFKSA1

    IPW60R075CPFKSA1

    MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3

    Infineon Technologies

    		 237 -
    Запрос цены
    		IPW60R075CPFKSA1 Технический лист CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 39A (Tc) 10V 75mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 1.7mA 116 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
    AUIRFP4568

    AUIRFP4568

    MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC

    Infineon Technologies

    		 386 -
    Запрос цены
    		AUIRFP4568 Технический лист HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SIHK045N60EF-T1GE3

    SIHK045N60EF-T1GE3

    E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    		 1,998 -
    Запрос цены
    		SIHK045N60EF-T1GE3 Технический лист EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 52mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±30V 4685 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
    STB32N65M5

    STB32N65M5

    MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

    STMicroelectronics

    		 940 -
    Запрос цены
    		STB32N65M5 Технический лист MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 119mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±25V 3320 pF @ 100 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    Total 36284 Record«Prev1... 200201202203204205206207...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135