TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FCH47N60F-F133

    FCH47N60F-F133

    MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3

    onsemi

    		 880 -
    Запрос цены
    		FCH47N60F-F133 Технический лист SuperFET™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NTMFS011N15MC

    NTMFS011N15MC

    MOSFET N-CH 150V 10.7A/78A 8PQFN

    onsemi

    		 2,604 -
    Запрос цены
    		NTMFS011N15MC Технический лист - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 10.7A (Ta), 78A (Tc) 8V, 10V 11.5mOhm @ 35A, 10V 4.5V @ 194µA 46 nC @ 10 V ±20V 3592 pF @ 75 V - 2.7W (Ta), 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    SCT4045DRHRC15

    SCT4045DRHRC15

    750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    		 492 -
    Запрос цены
    		SCT4045DRHRC15 Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IXFK220N20X3

    IXFK220N20X3

    MOSFET N-CH 200V 220A TO264

    Littelfuse Inc.

    		 266 -
    Запрос цены
    		IXFK220N20X3 Технический лист HiPerFET™, Ultra X3 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 220A (Tc) 10V 6.2mOhm @ 110A, 10V 4.5V @ 4mA 204 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 25 V - 960W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
    SCT3105KLHRC11

    SCT3105KLHRC11

    SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

    Rohm Semiconductor

    		 241 -
    Запрос цены
    		SCT3105KLHRC11 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tc) 18V 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 134W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    HUF75852G3

    HUF75852G3

    MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3

    onsemi

    		 15 -
    Запрос цены
    		HUF75852G3 Технический лист UltraFET™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 75A (Tc) 10V 16mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 480 nC @ 20 V ±20V 7690 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SCT4062KRHRC15

    SCT4062KRHRC15

    1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    		 401 -
    Запрос цены
    		SCT4062KRHRC15 Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 26A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 115W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCT3080AW7TL

    SCT3080AW7TL

    SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

    Rohm Semiconductor

    		 905 -
    Запрос цены
    		SCT3080AW7TL Технический лист - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) - 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 125W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    NTBG060N090SC1

    NTBG060N090SC1

    SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7

    onsemi

    		 786 -
    Запрос цены
    		NTBG060N090SC1 Технический лист - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 15V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V, -10V 1800 pF @ 450 V - 3.6W (Ta), 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    TW083N65C,S1F

    TW083N65C,S1F

    G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 142 -
    Запрос цены
    		TW083N65C,S1F Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tc) 18V 113mOhm @ 15A, 18V 5V @ 600µA 28 nC @ 18 V +25V, -10V 873 pF @ 400 V - 111W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247
    IXFT100N30X3HV

    IXFT100N30X3HV

    MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV

    Littelfuse Inc.

    		 550 -
    Запрос цены
    		IXFT100N30X3HV Технический лист HiPerFET™, Ultra X3 TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 100A (Tc) 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 4mA 122 nC @ 10 V ±20V 7660 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268HV (IXFT)
    S2M0080120D

    S2M0080120D

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 211 -
    Запрос цены
    		S2M0080120D Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NTHL033N65S3HF

    NTHL033N65S3HF

    MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3

    onsemi

    		 402 -
    Запрос цены
    		NTHL033N65S3HF Технический лист FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 70A (Tc) 10V 33mOhm @ 35A, 10V 5V @ 2.5mA 188 nC @ 10 V ±30V 6720 pF @ 400 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IXFH54N65X3

    IXFH54N65X3

    MOSFET 54A 650V X3 TO247

    Littelfuse Inc.

    		 300 -
    Запрос цены
    		IXFH54N65X3 Технический лист HiPerFET™, Ultra X3 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 54A (Tc) 10V 59mOhm @ 27A, 10V 5.2V @ 4mA 49 nC @ 10 V ±20V 3360 pF @ 25 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXFH)
    IXFX180N25T

    IXFX180N25T

    MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    		 509 -
    Запрос цены
    		IXFX180N25T Технический лист HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 180A (Tc) 10V 12.9mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 345 nC @ 10 V ±20V 28000 pF @ 25 V - 1390W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    SIHS90N65E-GE3

    SIHS90N65E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,

    Vishay Siliconix

    		 233 -
    Запрос цены
    		SIHS90N65E-GE3 Технический лист E TO-274AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 87A (Tc) 10V 29mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 591 nC @ 10 V ±30V 11826 pF @ 100 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
    S2M0080120K

    S2M0080120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 260 -
    Запрос цены
    		S2M0080120K Технический лист - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 41A (Tc) 20V 100mOhm @ 20A, 20V 4V @ 10mA 54 nC @ 20 V +25V, -10V 1324 pF @ 1000 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    IMZA65R030M1HXKSA1

    IMZA65R030M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

    Infineon Technologies

    		 144 -
    Запрос цены
    		IMZA65R030M1HXKSA1 Технический лист CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 53A (Tc) 18V 42mOhm @ 29.5A, 18V 5.7V @ 8.8mA 48 nC @ 18 V +20V, -2V 1643 pF @ 400 V - 197W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-3
    SCT2280KEHRC11

    SCT2280KEHRC11

    1200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE

    Rohm Semiconductor

    		 410 -
    Запрос цены
    		SCT2280KEHRC11 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14A (Tc) 18V 364mOhm @ 4A, 18V 4V @ 1.4mA 36 nC @ 400 V +22V, -6V 667 pF @ 800 V - 108W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
    FCH041N65EF-F155

    FCH041N65EF-F155

    MOSFET N-CH 650V 76A TO247

    onsemi

    		 358 -
    Запрос цены
    		FCH041N65EF-F155 Технический лист FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 76A (Tc) 10V 41mOhm @ 38A, 10V 5V @ 7.6mA 298 nC @ 10 V ±20V 12560 pF @ 100 V - 595W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    Total 36284 Record«Prev1... 203204205206207208209210...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135