FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXFK80N65X2

IXFK80N65X2

MOSFET N-CH 650V 80A TO264

Littelfuse Inc.

491 -
IXFK80N65X2

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X2 TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 80A (Tc) 10V 40mOhm @ 40A, 10V 5.5V @ 4mA 143 nC @ 10 V ±30V 8245 pF @ 25 V - 890W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA
IXFX66N85X

IXFX66N85X

MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

250 -
IXFX66N85X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 66A (Tc) 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 5.5V @ 8mA 230 nC @ 10 V ±30V 8900 pF @ 25 V - 1250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
NTHL040N65S3HF

NTHL040N65S3HF

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3

onsemi

393 -
NTHL040N65S3HF

Технический лист

FRFET®, SuperFET® III TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 159 nC @ 10 V ±30V 5945 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFH26N100X

IXFH26N100X

MOSFET N-CH 1000V 26A TO247

Littelfuse Inc.

260 -
IXFH26N100X

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 26A (Tc) 10V 320mOhm @ 13A, 10V 6V @ 4mA 113 nC @ 10 V ±30V 3290 pF @ 25 V - 860W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXFK32N80P

IXFK32N80P

MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA

Littelfuse Inc.

300 -
IXFK32N80P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 32A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 5V @ 8mA 150 nC @ 10 V ±30V 8800 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
IXFX24N100Q3

IXFX24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3

IXYS

300 -
IXFX24N100Q3

Технический лист

HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 24A (Tc) 10V 440mOhm @ 12A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 7200 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
SCT3080KW7TL

SCT3080KW7TL

SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

Rohm Semiconductor

785 -
SCT3080KW7TL

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 30A (Tc) - 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 159W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
IXTH60N20L2

IXTH60N20L2

MOSFET N-CH 200V 60A TO247

Littelfuse Inc.

329 -
IXTH60N20L2

Технический лист

Linear L2™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 60A (Tc) 10V 45mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 255 nC @ 10 V ±20V 10500 pF @ 25 V - 540W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
FCH060N80-F155

FCH060N80-F155

MOSFET N-CH 800V 56A TO247

onsemi

850 -
FCH060N80-F155

Технический лист

SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 56A (Tc) 10V 60mOhm @ 29A, 10V 4.5V @ 5.8mA 350 nC @ 10 V ±20V 14685 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFX80N60P3

IXFX80N60P3

MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

202 -
IXFX80N60P3

Технический лист

HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 80A (Tc) 10V 70mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 8mA 190 nC @ 10 V ±30V 13100 pF @ 25 V - 1300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

790 -
NVBG045N065SC1

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 62A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1890 pF @ 325 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
NTHL019N65S3H

NTHL019N65S3H

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

onsemi

430 -
NTHL019N65S3H

Технический лист

SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) - 19.3mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 14.3mA 282 nC @ 10 V ±30V 15993 pF @ 400 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IXFX420N10T

IXFX420N10T

MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3

Littelfuse Inc.

289 -
IXFX420N10T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 420A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670 nC @ 10 V ±20V 47000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
NTH4L025N065SC1

NTH4L025N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

onsemi

247 -
NTH4L025N065SC1

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 15 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1

SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

1,580 -
NVBG060N065SC1

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 46A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V - 1473 pF @ 325 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
NTH4LN019N65S3H

NTH4LN019N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

309 -
NTH4LN019N65S3H

Технический лист

SuperFET® III TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) 10V 19.3mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 14.3mA 282 nC @ 10 V ±30V 15993 pF @ 400 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
IXFK200N10P

IXFK200N10P

MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA

Littelfuse Inc.

300 -
IXFK200N10P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Tc) 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 5V @ 8mA 235 nC @ 10 V ±20V 7600 pF @ 25 V - 830W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
SCT4026DRHRC15

SCT4026DRHRC15

750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

460 -
SCT4026DRHRC15

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
SCT4026DEHRC11

SCT4026DEHRC11

750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

320 -
SCT4026DEHRC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247N
SCT4026DEC11

SCT4026DEC11

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Rohm Semiconductor

4,887 -
SCT4026DEC11

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 56A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - 176W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247N
Total 36322 Record«Prev1... 206207208209210211212213...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь