FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STO68N65DM6

STO68N65DM6

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

STMicroelectronics

187 -
STO68N65DM6

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 55A (Tc) 10V 65mOhm @ 27.5A, 10V 4.75V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±25V 3528 pF @ 100 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL (HV)
AUIRFP4568-E

AUIRFP4568-E

MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD

Infineon Technologies

355 -
AUIRFP4568-E

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
NTH4L060N065SC1

NTH4L060N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

onsemi

499 -
NTH4L060N065SC1

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 47A (Tc) 15V, 18V 70mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 6.5mA 74 nC @ 18 V +22V, -8V 1473 pF @ 325 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
STW69N65M5-4

STW69N65M5-4

MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L

STMicroelectronics

385 -
STW69N65M5-4

Технический лист

MDmesh™ V TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 45mOhm @ 29A, 10V 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±25V 6420 pF @ 100 V - 330W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
IXFH230N10T

IXFH230N10T

MOSFET N-CH 100V 230A TO247AD

Littelfuse Inc.

300 -
IXFH230N10T

Технический лист

HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 230A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 500mA, 10V 4.5V @ 1mA 250 nC @ 10 V ±20V 15300 pF @ 25 V - 650W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

Vishay Siliconix

225 -
SIHG47N60E-E3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 64mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±30V 9620 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
NTBL050N65S3H

NTBL050N65S3H

MOSFET - POWER,NCHANNEL, SUPERFE

onsemi

1,278 -
NTBL050N65S3H

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 49A (Tc) 10V 50mOhm @ 24.5A, 10V 4V @ 4.8mA 98 nC @ 10 V ±30V 4880 pF @ 400 V - 305W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
SCT3105KW7TL

SCT3105KW7TL

SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

Rohm Semiconductor

995 -
SCT3105KW7TL

Технический лист

- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 23A (Tc) - 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 125W 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SIHK045N60E-T1-GE3

SIHK045N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

Vishay Siliconix

1,806 -
SIHK045N60E-T1-GE3

Технический лист

E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 48A (Tc) 10V 49mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 4013 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
UF4C120053K4S

UF4C120053K4S

1200V/53MOHM, SIC, FAST CASCODE,

Qorvo

505 -
UF4C120053K4S

Технический лист

- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Cascode SiCJFET) 1200 V 34A (Tc) 12V 67mOhm @ 20A, 12V 6V @ 10mA 37.8 nC @ 15 V ±20V 1370 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
FCA47N60-F109

FCA47N60-F109

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

onsemi

452 -
FCA47N60-F109

Технический лист

SuperFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±30V 8000 pF @ 25 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PN
NVHL040N60S5F

NVHL040N60S5F

SUPERFET5 FRFET, 40MOHM, TO-247-

onsemi

337 -
NVHL040N60S5F

Технический лист

FRFET®, SUPERFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 59A (Tc) 10V 40mOhm @ 29.5A, 10V 4.8V @ 7.2mA 115 nC @ 10 V ±30V 6318 pF @ 400 V - 347W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPW60R075CPFKSA1

IPW60R075CPFKSA1

MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3

Infineon Technologies

237 -
IPW60R075CPFKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 39A (Tc) 10V 75mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 1.7mA 116 nC @ 10 V ±20V 4000 pF @ 100 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
AUIRFP4568

AUIRFP4568

MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC

Infineon Technologies

386 -
AUIRFP4568

Технический лист

HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 171A (Tc) 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V 5V @ 250µA 227 nC @ 10 V ±30V 10470 pF @ 50 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
SIHK045N60EF-T1GE3

SIHK045N60EF-T1GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

1,998 -
SIHK045N60EF-T1GE3

Технический лист

EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 52mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±30V 4685 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
STB32N65M5

STB32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

STMicroelectronics

940 -
STB32N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 119mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±25V 3320 pF @ 100 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IPZA60R037P7XKSA1

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4

Infineon Technologies

194 -
IPZA60R037P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 76A (Tc) 10V 37mOhm @ 29.5A, 10V 4V @ 1.48mA 121 nC @ 10 V ±20V 5243 pF @ 400 V - 255W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
E3M0120090J

E3M0120090J

900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET

Wolfspeed, Inc.

502 -
E3M0120090J

Технический лист

E-Series TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 18 nC @ 15 V +15V, -4V 414 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive - Surface Mount TO-263-7
IXTT26N50P

IXTT26N50P

MOSFET N-CH 500V 26A TO268

Littelfuse Inc.

205 -
IXTT26N50P

Технический лист

Polar TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 26A (Tc) 10V 230mOhm @ 13A, 10V 5.5V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
STB34NM60N

STB34NM60N

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

STMicroelectronics

500 -
STB34NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±25V 2722 pF @ 100 V - 250W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Total 36322 Record«Prev1... 201202203204205206207208...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь