TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NVTFS4C13NWFTWG

NVTFS4C13NWFTWG

MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN

onsemi

45,000 -
NVTFS4C13NWFTWG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 9.4mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 250µA 15.2 nC @ 10 V ±20V 770 pF @ 15 V - 3W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
TSM040N03CP ROG

TSM040N03CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252

Taiwan Semiconductor Corporation

10,000 -
TSM040N03CP ROG

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 24A, 10V 2.5V @ 250µA 53 nC @ 4.5 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 88W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
NTMFS5C423NLT3G

NTMFS5C423NLT3G

MOSFET N-CH 40V 150A 5DFN

onsemi

4,988 -
NTMFS5C423NLT3G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
PHB29N08T,118

PHB29N08T,118

MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK

Nexperia USA Inc.

3,734 -
PHB29N08T,118

Технический лист

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 27A (Tc) 11V 50mOhm @ 14A, 11V 5V @ 2mA 19 nC @ 10 V ±30V 810 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
XP10TN135H

XP10TN135H

MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252

YAGEO XSEMI

1,000 -
XP10TN135H

Технический лист

XP10TN135 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.1A (Tc) 4.5V, 10V 135mOhm @ 5A, 10V 3V @ 250µA 17.6 nC @ 10 V ±20V 928 pF @ 50 V - 2W (Ta), 20.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
NTMFS5C442NLT3G

NTMFS5C442NLT3G

MOSFET N-CH 40V 27A/130A 5DFN

onsemi

4,999 -
NTMFS5C442NLT3G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IPD90N06S4L06ATMA2

IPD90N06S4L06ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

Infineon Technologies

3,357 -
IPD90N06S4L06ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 40µA 75 nC @ 10 V ±16V 5680 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-11
NVTFWS024N06CTAG

NVTFWS024N06CTAG

MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN

onsemi

1,500 -
NVTFWS024N06CTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7A (Ta), 24A (Tc) 10V 22.6mOhm @ 3A, 10V 4V @ 20µA 5.7 nC @ 10 V ±20V 333 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
XP4N4R2H

XP4N4R2H

MOSFET N-CH 40V 75A TO252

YAGEO XSEMI

990 -
XP4N4R2H

Технический лист

XP4N4R2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 40A, 10V 3V @ 250µA 44.8 nC @ 4.5 V ±20V 4000 pF @ 20 V - 2W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
PJQ5431E-AU_R2_006A1

PJQ5431E-AU_R2_006A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

2,798 -
PJQ5431E-AU_R2_006A1

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 86A (Tc) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±25V 3040 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
NVMYS2D9N04CLTWG

NVMYS2D9N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4

onsemi

2,720 -
NVMYS2D9N04CLTWG

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 40A, 10V 2V @ 60µA 35 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
R6004RND3TL1

R6004RND3TL1

600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I

Rohm Semiconductor

2,700 -
R6004RND3TL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 15V 1.73Ohm @ 2A, 15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 230 pF @ 100 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
TK5P60W5,RVQ

TK5P60W5,RVQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

Toshiba Semiconductor and Storage

2,000 -

-

DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Ta) 10V 990mOhm @ 2.3A, 10V 4.5V @ 230µA 11.5 nC @ 10 V ±30V 370 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C - - Surface Mount DPAK
TJ10S04M3L(T6L1,NQ

TJ10S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 10A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

1,895 -
TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Технический лист

U-MOSVI TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10A (Ta) 6V, 10V 44mOhm @ 5A, 10V 3V @ 1mA 19 nC @ 10 V +10V, -20V 930 pF @ 10 V - 27W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
STD3NK50ZT4

STD3NK50ZT4

MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK

STMicroelectronics

1,870 -
STD3NK50ZT4

Технический лист

SuperMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.3A (Tc) 10V 3.3Ohm @ 1.15A, 10V 4.5V @ 50µA 15 nC @ 10 V ±30V 280 pF @ 25 V - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
TK5P53D(T6RSS-Q)

TK5P53D(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 525V 5A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

1,710 -
TK5P53D(T6RSS-Q)

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 525 V 5A (Ta) 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 4.4V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 80W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
BUK9Y4R8-60RAX

BUK9Y4R8-60RAX

BUK9Y4R8-60RA/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

1,500 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NVTFS6H854NLWFTAG

NVTFS6H854NLWFTAG

MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

onsemi

1,454 -
NVTFS6H854NLWFTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 2V @ 45µA 17 nC @ 10 V ±20V 902 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
NVTFS6H854NLTAG

NVTFS6H854NLTAG

MOSFET N-CH 80V 10A/41A 8WDFN

onsemi

1,270 -
NVTFS6H854NLTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10A (Ta), 41A (Tc) 4.5V, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 2V @ 45µA 17 nC @ 10 V ±20V 902 pF @ 40 V - 3.2W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
DIT100N10

DIT100N10

MOSFET TO220AB N 100V 0.0099OHM

Diotec Semiconductor

997 -
DIT100N10

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 10V 13mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 50 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
Total 36322 Record«Prev1... 258259260261262263264265...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь