TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NVMFWS005N10MCLT1G

NVMFWS005N10MCLT1G

PTNG 100V LL SO8FL

onsemi

300 -
NVMFWS005N10MCLT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 34A, 10V 3V @ 192µA 55 nC @ 10 V ±20V 4100 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 131W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
PJQ5572A-AU_R2_002A1

PJQ5572A-AU_R2_002A1

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

Panjit International Inc.

3,000 -
PJQ5572A-AU_R2_002A1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
XP6NA2R4IT

XP6NA2R4IT

MOSFET N-CH 60V 93A TO220CFM

YAGEO XSEMI

1,000 -
XP6NA2R4IT

Технический лист

XP6NA2R4 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 93A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 192 nC @ 10 V ±20V 11600 pF @ 50 V - 1.92W (Ta), 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220CFM
IPA60R210CFD7XKSA1

IPA60R210CFD7XKSA1

LOW POWER_NEW

Infineon Technologies

500 -
IPA60R210CFD7XKSA1

Технический лист

- - Tube Active - - - 7A (Tc) - - - - - - - - - - - - -
TPH4R606NH,L1Q

TPH4R606NH,L1Q

MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,625 -
TPH4R606NH,L1Q

Технический лист

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 32A (Ta) 6.5V, 10V 4.6mOhm @ 16A, 10V 4V @ 500µA 49 nC @ 10 V ±20V 3965 pF @ 30 V - 1.6W (Ta), 63W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
PJD45P03E-AU_L2_006A1

PJD45P03E-AU_L2_006A1

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

Panjit International Inc.

3,000 -
PJD45P03E-AU_L2_006A1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11.2A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±25V 1270 pF @ 25 V - 3W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
MCB95N04YHE3-TP

MCB95N04YHE3-TP

N-CHANNEL MOSFET,D2-PAK

Micro Commercial Co

1,595 -
MCB95N04YHE3-TP

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 95A (Tc) 10V 3mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 2138 pF @ 20 V - 83W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
NVMFS4C03NWFT1G

NVMFS4C03NWFT1G

MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN

onsemi

1,422 -
NVMFS4C03NWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 31.4A (Ta), 143A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 nC @ 10 V ±20V 3071 pF @ 15 V - 3.71W (Ta), 77W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
XP10N3R8P

XP10N3R8P

MOSFET N-CH 100V 130A TO220

YAGEO XSEMI

991 -
XP10N3R8P

Технический лист

XP10N3R8 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tc) 10V 3.88mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 136 nC @ 10 V ±20V 6560 pF @ 80 V - 2W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NTMYS6D2N06CLTWG

NTMYS6D2N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 4LFPAK

onsemi

3,000 -
NTMYS6D2N06CLTWG

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS-13

MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8

Diodes Incorporated

2,250 -
DMP22M2UPS-13

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 60A (Tc) 2.5V, 10V 2.5mOhm @ 25A, 10V 1.4V @ 250µA 476 nC @ 10 V ±12V 12826 pF @ 10 V - 2.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
IPI65R380C6XKSA1

IPI65R380C6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262-3

Infineon Technologies

500 -
IPI65R380C6XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320µA 39 nC @ 10 V ±20V 710 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
IPAN60R180CM8XKSA1

IPAN60R180CM8XKSA1

IPAN60R180CM8XKSA1

Infineon Technologies

256 -

-

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tj) 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V 4.7V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 743 pF @ 400 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
IPP60R180CM8XKSA1

IPP60R180CM8XKSA1

IPP60R180CM8XKSA1

Infineon Technologies

135 -

-

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V 4.7V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 743 pF @ 400 V - 142W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ

MOSFET N CH 600V 7A DPAK

Toshiba Semiconductor and Storage

1,988 -
TK7P60W,RVQ

Технический лист

DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Ta) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 3.7V @ 350µA 15 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
CDMSJ2207.3-650 SL

CDMSJ2207.3-650 SL

SUPER JUNCTION MOSFETS

Central Semiconductor Corp

500 -
CDMSJ2207.3-650 SL

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.1A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 30V 554 pF @ 400 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
NVMJS1D2N04CLTWG

NVMJS1D2N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK

onsemi

2,990 -
NVMJS1D2N04CLTWG

Технический лист

- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 170µA 93 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
RD3G08CBLHRBTL

RD3G08CBLHRBTL

NCH 40V 80A, TO-252 (DPAK), POWE

Rohm Semiconductor

2,500 -
RD3G08CBLHRBTL

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 6V, 10V 3.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 924µA 42 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 20 V - 96W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
STF16N65M2

STF16N65M2

MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

STMicroelectronics

998 -
STF16N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±25V 718 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STD16N60M6

STD16N60M6

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

STMicroelectronics

2,347 -
STD16N60M6

Технический лист

MDmesh™ M6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 16.7 nC @ 10 V ±25V 575 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
Total 36322 Record«Prev1... 277278279280281282283284...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь