TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    TSM190N08CZ C0G

    TSM190N08CZ C0G

    MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 3,980 -
    Запрос цены
    		TSM190N08CZ C0G

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 190A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 8600 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPI111N15N3GAKSA1

    IPI111N15N3GAKSA1

    MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

    Infineon Technologies

    		 500 -
    Запрос цены
    		IPI111N15N3GAKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 83A (Tc) 8V, 10V 11.1mOhm @ 83A, 10V 4V @ 160µA 55 nC @ 10 V ±20V 3230 pF @ 75 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    BUK762R6-60E,118

    BUK762R6-60E,118

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 4,795 -
    Запрос цены
    		BUK762R6-60E,118

    Технический лист

         		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 140 nC @ 10 V ±20V 10170 pF @ 25 V - 324W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    IAUMN10S5N016GAUMA1

    IAUMN10S5N016GAUMA1

    MOSFET_(75V 120V(

    Infineon Technologies

    		 1,965 -
    Запрос цены
    		IAUMN10S5N016GAUMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 5 4-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 220A (Tj) 6V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 230µA 190 nC @ 10 V ±20V 13570 pF @ 50 V - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-4-1
    R6049YNX3C16

    R6049YNX3C16

    NCH 600V 49A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 991 -
    Запрос цены
    		R6049YNX3C16

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) 10V, 12V 82mOhm @ 11A, 12V 6V @ 2.9mA 65 nC @ 10 V ±30V 2940 pF @ 100 V - 448W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6022YNZ4C13

    R6022YNZ4C13

    NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    		 600 -
    Запрос цены
    		R6022YNZ4C13

    Технический лист

         		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V, 12V 165mOhm @ 6.5A, 12V 6V @ 1.8mA 33 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 100 V - 205W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IAUA210N10S5N024AUMA1

    IAUA210N10S5N024AUMA1

    MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

    Infineon Technologies

    		 3,600 -
    Запрос цены
    		IAUA210N10S5N024AUMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 210A (Tj) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 150µA 119 nC @ 10 V ±20V 8696 pF @ 50 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
    DI280N10TL

    DI280N10TL

    MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C

    Diotec Semiconductor

    		 1,892 -
    Запрос цены
    		DI280N10TL

    Технический лист

         		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 280A (Tc) 10V 2mOhm @ 50A, 10V 4.2V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V 8150 pF @ 50 V - 425mW (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
    IPP039N10N5AKSA1

    IPP039N10N5AKSA1

    MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 500 -
    Запрос цены
    		IPP039N10N5AKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 125µA 95 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 50 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    PJD75N04V-AU_L2_002A1

    PJD75N04V-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		PJD75N04V-AU_L2_002A1

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28.2A (Ta), 181A (Tc) 7V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 4691 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    PJD80N04S-AU_L2_002A1

    PJD80N04S-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		PJD80N04S-AU_L2_002A1

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 190A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 50µA 75 nC @ 10 V ±20V 4973 pF @ 25 V - 3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    NTMJS0D9N04CTWG

    NTMJS0D9N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 52A/342A 8LFPAK

    onsemi

    		 2,988 -
    Запрос цены
    		NTMJS0D9N04CTWG

    Технический лист

         		- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 52A (Ta), 342A (Tc) 10V 0.81mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 117 nC @ 10 V 20V 7400 pF @ 20 V - 4.2W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    NVD5C632NLT4G

    NVD5C632NLT4G

    MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK

    onsemi

    		 1,786 -
    Запрос цены
    		NVD5C632NLT4G

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Ta), 155A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 4W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    GAN140-650FBEZ

    GAN140-650FBEZ

    650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

    Nexperia USA Inc.

    		 2,327 -
    Запрос цены
    		GAN140-650FBEZ

    Технический лист

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 17A (Tc) 6V 140mOhm @ 5A, 6V 2.5V @ 17.2mA 3.5 nC @ 6 V +7V, -1.4V 125 pF @ 400 V - 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank DFN5060-5
    AUIRF7736M2TR

    AUIRF7736M2TR

    MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 3,844 -
    Запрос цены
    		AUIRF7736M2TR

    Технический лист

         		HEXFET® DirectFET™ Isometric M4 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22A (Ta), 108A (Tc) 10V 3mOhm @ 65A, 10V 4V @ 150µA 108 nC @ 10 V ±20V 4267 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric M4
    IPA90R500C3XKSA2

    IPA90R500C3XKSA2

    MOSFET N-CH 900V 11A TO220

    Infineon Technologies

    		 1,915 -
    Запрос цены
    		IPA90R500C3XKSA2

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 740µA 68 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    TSM60NE180CIT C0G

    TSM60NE180CIT C0G

    600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 2,000 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V, 12V 165mOhm @ 4.3A, 12V 6V @ 1.8mA 34 nC @ 10 V ±30V 1417 pF @ 300 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
    TSM600NA25CIT C0G

    TSM600NA25CIT C0G

    250V 22A SINGLE N-CHAN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 3,897 -
    Запрос цены
    		TSM600NA25CIT C0G

    Технический лист

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 22A (Tc) 10V 60mOhm @ 11A, 10V 4.2V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±30V 3086 pF @ 125 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
    IPP020N06NAKSA1

    IPP020N06NAKSA1

    MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 662 -
    Запрос цены
    		IPP020N06NAKSA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Ta), 120A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 2.8V @ 143µA 106 nC @ 10 V ±20V 7800 pF @ 30 V - 3W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    GS-065-004-6-L-MR

    GS-065-004-6-L-MR

    GS-065-004-6-L-MR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    		 357 -
    Запрос цены

    -

    		 - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 700 V 4.6A (Tc) 6V 455mOhm @ 1.2A, 6V 2.6V @ 1mA 0.8 nC @ 6 V +7V, -10V 26 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    Total 36322 Record«Prev1... 294295296297298299300301...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135