TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RX3G07BBGC16

    RX3G07BBGC16

    NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 930 -
    Запрос цены
    		RX3G07BBGC16

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 3540 pF @ 20 V - 89W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NTMJS0D7N03CGTWG

    NTMJS0D7N03CGTWG

    WIDE SOA

    onsemi

    		 2,568 -
    Запрос цены
    		NTMJS0D7N03CGTWG

    Технический лист

         		- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 59A (Ta), 410A (Tc) 10V 0.65mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 280µA 147 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 15 V - 4W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    SIHP150N60E-GE3

    SIHP150N60E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

    Vishay Siliconix

    		 1,985 -
    Запрос цены
    		SIHP150N60E-GE3

    Технический лист

         		E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1514 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NVMFWS0D5N04XMT1G

    NVMFWS0D5N04XMT1G

    40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

    onsemi

    		 1,280 -
    Запрос цены
    		NVMFWS0D5N04XMT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 423A (Tc) 10V 0.52mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 240µA 100 nC @ 10 V ±20V 6250 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFN (5x6)
    RX3L07BBGC16

    RX3L07BBGC16

    NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 920 -
    Запрос цены
    		RX3L07BBGC16

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 47 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 30 V - 89W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPB120N10S403ATMA1

    IPB120N10S403ATMA1

    MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 728 -
    Запрос цены
    		IPB120N10S403ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 180µA 140 nC @ 10 V ±20V 10120 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
    IPT65R125CFD7XTMA1

    IPT65R125CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 2,000 -
    Запрос цены
    		IPT65R125CFD7XTMA1

    Технический лист

         		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - - 650 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
    IPL60R115CFD7AUMA1

    IPL60R115CFD7AUMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 2,500 -
    Запрос цены
    		IPL60R115CFD7AUMA1

    Технический лист

         		- 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active - - - 22A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPTG025N08NM5ATMA1

    IPTG025N08NM5ATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8

    Infineon Technologies

    		 1,800 -
    Запрос цены
    		IPTG025N08NM5ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 184A (Tc) 6V, 10V 2.5mOhm @ 150A 10V 3.8V @ 108µA 87 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
    BUK7J1R0-40HX

    BUK7J1R0-40HX

    BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS

    Nexperia USA Inc.

    		 2,079 -
    Запрос цены
    		BUK7J1R0-40HX

    Технический лист

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - 220A (Tc) - - - - +20V, -10V - - - - Automotive AEC-Q101 - -
    IPA60R120C7XKSA1

    IPA60R120C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220

    Infineon Technologies

    		 614 -
    Запрос цены
    		IPA60R120C7XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 120mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPB60R125CFD7ATMA1

    IPB60R125CFD7ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 18A TO263-3

    Infineon Technologies

    		 345 -
    Запрос цены
    		IPB60R125CFD7ATMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 125mOhm @ 7.8A, 10V 4.5V @ 390µA 36 nC @ 10 V ±20V 1503 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    FQAF11N90C

    FQAF11N90C

    MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF

    onsemi

    		 292 -
    Запрос цены
    		FQAF11N90C

    Технический лист

         		QFET® TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 7A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±30V 3290 pF @ 25 V - 120W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    NTMFSS1D3N06CL

    NTMFSS1D3N06CL

    60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOW

    onsemi

    		 2,980 -
    Запрос цены
    		NTMFSS1D3N06CL

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 31A (Ta), 243A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V 8190 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 153W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-TDFN (5x6)
    SIHP155N60EF-GE3

    SIHP155N60EF-GE3

    EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    		 1,995 -
    Запрос цены
    		SIHP155N60EF-GE3

    Технический лист

         		EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IQD005N04NM6ATMA1

    IQD005N04NM6ATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    		 4,889 -
    Запрос цены
    		IQD005N04NM6ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 58A (Ta), 610A (Tc) 6V, 10V 0.47mOhm @ 50A, 10V 2.8V @ 1.449mA 163 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 20 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-9
    CDF56G6511N TR13 PBFREE

    CDF56G6511N TR13 PBFREE

    650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN

    Central Semiconductor Corp

    		 2,325 -
    Запрос цены
    		CDF56G6511N TR13 PBFREE

    Технический лист

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 11.5A (Tc) 6V 190mOhm @ 3.9A, 6V 2.5V @ 12.2mA 2.8 nC @ 6 V +7V, -1.4V 96 pF @ 400 V - 1.1W (Ta), 84W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6)
    PSMB033N10NS2_R2_00201

    PSMB033N10NS2_R2_00201

    100V/ 3.3M / TO-263AB FOR INDUST

    Panjit International Inc.

    		 1,600 -
    Запрос цены
    		PSMB033N10NS2_R2_00201

    Технический лист

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SIHB17N80E-GE3

    SIHB17N80E-GE3

    MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 888 -
    Запрос цены
    		SIHB17N80E-GE3

    Технический лист

         		E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2408 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    MSJP11N80A-BP

    MSJP11N80A-BP

    N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)

    Micro Commercial Co

    		 4,992 -
    Запрос цены

    -

    		 - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 470mOhm @ 7.1A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 918 pF @ 400 V - 250W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (H)
    Total 36322 Record«Prev1... 296297298299300301302303...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135