TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STP14NK50Z

STP14NK50Z

MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB

STMicroelectronics

915 -
STP14NK50Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 100µA 92 nC @ 10 V ±30V 2000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SIHG22N60EF-GE3

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

Vishay Siliconix

793 -
SIHG22N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 182mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IMWH170R650M1XKSA1

IMWH170R650M1XKSA1

IMWH170R650M1XKSA1

Infineon Technologies

425 -

-

CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 7.5A (Tc) 12V, 15V 580mOhm @ 1.5A, 15V 5.7V @ 1.7mA 8.1 nC @ 12 V 15V, 12V 337 pF @ 1000 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-U04
NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G

MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN

onsemi

1,500 -
NVMFS6H800NWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 330µA 85 nC @ 10 V ±20V 5530 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
IQD009N06NM5ATMA1

IQD009N06NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

4,943 -
IQD009N06NM5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 50A, 10V 3.3V @ 163µA 150 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 30 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-9
TK5R0A15Q5,S4X

TK5R0A15Q5,S4X

150V UMOS10-HSD TO-220SIS 5MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

380 -
TK5R0A15Q5,S4X

Технический лист

U-MOSX-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 76A (Ta), 76A (Tc) 8V, 10V 5mOhm @ 38A, 10V 4.5V @ 2.2mA 96 nC @ 10 V ±20V 7820 pF @ 75 V - 53W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220SIS
SIHG150N60E-GE3

SIHG150N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,

Vishay Siliconix

900 -
SIHG150N60E-GE3

Технический лист

E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1514 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
EPC2308

EPC2308

TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN

EPC

8,791 -

-

eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 150 V 48A (Ta) 5V 6mOhm @ 15A, 5V 2.5V @ 5mA 13.8 nC @ 5 V +6V, -4V 2103 pF @ 75 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 7-QFN (3x5)
IPB60R105CFD7ATMA1

IPB60R105CFD7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3

Infineon Technologies

848 -
IPB60R105CFD7ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 105mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 470µA 42 nC @ 10 V ±20V 1752 pF @ 400 V - 106W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
MCACL320N04YQ-TP

MCACL320N04YQ-TP

MOSFET N-CH 40 320A DFN5060

Micro Commercial Co

9,981 -
MCACL320N04YQ-TP

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 320A (Tc) 6V, 10V 1.1mOhm @ 75A, 10V 3V @ 1mA 88 nC @ 10 V ±20V 6914 pF @ 25 V - 230W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060
NVMFS6H818NLWFT1G

NVMFS6H818NLWFT1G

MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN

onsemi

3,000 -
NVMFS6H818NLWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 190µA 64 nC @ 10 V ±20V 3844 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
NVMFS4C01NWFT1G

NVMFS4C01NWFT1G

MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

onsemi

1,500 -
NVMFS4C01NWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 49A (Ta), 319A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.84W (Ta), 161W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
CDMSJ22029-650 SL

CDMSJ22029-650 SL

SUPER JUNCTION MOSFETS

Central Semiconductor Corp

497 -
CDMSJ22029-650 SL

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 130mOhm @ 10.8A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V 30V 1920 pF @ 400 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IMT65R260M1HXUMA1

IMT65R260M1HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

1,870 -
IMT65R260M1HXUMA1

Технический лист

CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - SiCFET (Silicon Carbide) 650 V - 18V - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
R6020YNX3C16

R6020YNX3C16

NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO

Rohm Semiconductor

973 -
R6020YNX3C16

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V, 12V 185mOhm @ 6A, 12V 6V @ 1.65mA 28 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 100 V - 182W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IPT65R099CFD7XTMA1

IPT65R099CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 8HSOF

Infineon Technologies

1,995 -
IPT65R099CFD7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
SIRS4400DP-T1-RE3

SIRS4400DP-T1-RE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

Vishay Siliconix

5,998 -
SIRS4400DP-T1-RE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 77A (Ta), 440A (Tc) 4.5V, 10V 0.69mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 295 nC @ 10 V ±20V 13730 pF @ 20 V - 7.4W (Ta), 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
ISC046N13NM6ATMA1

ISC046N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

3,656 -
ISC046N13NM6ATMA1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
TSM60NE110CIT C0G

TSM60NE110CIT C0G

600V, 17A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

Taiwan Semiconductor Corporation

2,000 -

-

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V, 12V 100mOhm @ 5.6A, 12V 6V @ 2.5mA 55 nC @ 10 V ±30V 2330 pF @ 300 V - 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
S2M0160120D

S2M0160120D

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

SMC Diode Solutions

285 -
S2M0160120D

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 20V 196mOhm @ 10A, 20V 4V @ 2.5mA 26.5 nC @ 20 V +20V, -5V 513 pF @ 1000 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
Total 36322 Record«Prev1... 299300301302303304305306...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь