TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
RBA300N10EANS-3UA02#GB0

RBA300N10EANS-3UA02#GB0

100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H

Renesas Electronics Corporation

1,955 -
RBA300N10EANS-3UA02#GB0

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJ1P07CBHTL1

RJ1P07CBHTL1

NCH 100V 70A, TO-263AB, POWER M

Rohm Semiconductor

800 -
RJ1P07CBHTL1

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 6V, 10V 5.1mOhm @ 70A, 10V 4V @ 1mA 73 nC @ 10 V ±20V 4650 pF @ 50 V - 135W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
NVMFS6H800NLWFT1G

NVMFS6H800NLWFT1G

MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN

onsemi

1,495 -
NVMFS6H800NLWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 30A (Ta), 224A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 2V @ 330µA 112 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 40 V - 3.9W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
NVMFS5C410NWFAFT1G

NVMFS5C410NWFAFT1G

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

onsemi

1,355 -
NVMFS5C410NWFAFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 46A (Ta), 300A (Tc) 10V 0.92mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IPZ60R099C7XKSA1

IPZ60R099C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4

Infineon Technologies

8,125 -
IPZ60R099C7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 99mOhm @ 9.7A, 10V 4V @ 490µA 42 nC @ 10 V ±20V 1819 pF @ 400 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
NVB099N65S3

NVB099N65S3

SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO

onsemi

3,141 -
NVB099N65S3

Технический лист

SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 99mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 740µA 61 nC @ 10 V ±30V 2480 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
PJMP125N60FRC_T0_00601

PJMP125N60FRC_T0_00601

600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH

Panjit International Inc.

2,000 -
PJMP125N60FRC_T0_00601

Технический лист

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IPW65R150CFDAFKSA1

IPW65R150CFDAFKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3

Infineon Technologies

426 -
IPW65R150CFDAFKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195.3W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-3
SIHA25N60EFL-GE3

SIHA25N60EFL-GE3

N-CHANNEL 600V

Vishay Siliconix

987 -
SIHA25N60EFL-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 146mOhm @ 12.5A, 10V 5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±30V 2274 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
SIHP25N60EFL-BE3

SIHP25N60EFL-BE3

N-CHANNEL 600V

Vishay Siliconix

897 -
SIHP25N60EFL-BE3

Технический лист

E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 146mOhm @ 12.5A, 10V 5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±30V 2274 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHP125N60EF-GE3

SIHP125N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB

Vishay Siliconix

976 -
SIHP125N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±30V 1533 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
AUIRF2804STRL7P

AUIRF2804STRL7P

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

3,076 -
AUIRF2804STRL7P

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 160A, 10V 4V @ 250µA 260 nC @ 10 V ±20V 6930 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
PJMF125N60FRC_T0_00601

PJMF125N60FRC_T0_00601

600V/ 125M / 30A/ SJ MOSFET WITH

Panjit International Inc.

2,000 -
PJMF125N60FRC_T0_00601

Технический лист

- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFA36N30P3

IXFA36N30P3

MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA

Littelfuse Inc.

164 -
IXFA36N30P3

Технический лист

HiPerFET™, Polar3™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 36A (Tc) 10V 110mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 2040 pF @ 25 V - 347W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
IPBE65R115CFD7AATMA1

IPBE65R115CFD7AATMA1

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-7

Infineon Technologies

976 -
IPBE65R115CFD7AATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 21A (Tc) 10V 115mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 490µA 41 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 400 V - 114W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
IPI041N12N3GAKSA1

IPI041N12N3GAKSA1

MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Infineon Technologies

464 -
IPI041N12N3GAKSA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 120A (Tc) 10V 4.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 270µA 211 nC @ 10 V ±20V 13800 pF @ 60 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
TK25V60X5,LQ

TK25V60X5,LQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTM

Toshiba Semiconductor and Storage

2,488 -
TK25V60X5,LQ

Технический лист

DTMOSIV 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Ta) 10V 150mOhm @ 7.5A, 10V 4.5V @ 1.2mA 60 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 300 V - 180W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
ISC037N13NM6ATMA1

ISC037N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

4,654 -
ISC037N13NM6ATMA1

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NVMFS5C406NLWFT1G

NVMFS5C406NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN

onsemi

1,402 -
NVMFS5C406NLWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 53A (Ta), 362A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 2V @ 280µA 149 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 20 V - 3.9W (Ta), 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
AOK500V120X2

AOK500V120X2

1200V SILICON CARBIDE MOSFET

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

238 -
AOK500V120X2

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 6.3A (Tc) 15V 675mOhm @ 1.2A, 15V 3.5V @ 1.2mA 12 nC @ 15 V +15V, -5V 206 pF @ 800 V - 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
Total 36322 Record«Prev1... 301302303304305306307308...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь