TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IQD020N10NM5ATMA1

IQD020N10NM5ATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

4,985 -
IQD020N10NM5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 26A (Ta), 276A (Tc) 6V, 10V 2.05mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 159µA 134 nC @ 10 V ±20V 9500 pF @ 50 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-9
IQD016N08NM5ATMA1

IQD016N08NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

4,978 -
IQD016N08NM5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 6V, 10V 1.57mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 159µA 133 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 40 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-9
SIHB085N60EF-GE3

SIHB085N60EF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

2,000 -
SIHB085N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPB65R150CFDAATMA1

IPB65R150CFDAATMA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK

Infineon Technologies

1,192 -
IPB65R150CFDAATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195.3W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
IPW60R120C7XKSA1

IPW60R120C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3

Infineon Technologies

210 -
IPW60R120C7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 120mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
FCPF190N65FL1-F154

FCPF190N65FL1-F154

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3

onsemi

845 -
FCPF190N65FL1-F154

Технический лист

FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.6A (Tc) - 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 2mA 78 nC @ 10 V ±20V 3055 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IPDQ60R075CFD7XTMA1

IPDQ60R075CFD7XTMA1

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

Infineon Technologies

750 -
IPDQ60R075CFD7XTMA1

Технический лист

CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) 600 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
MCACLS330N04YAHE3-TP

MCACLS330N04YAHE3-TP

MOSFET N-CH 40 330A DFN5060-DSC

Micro Commercial Co

10,000 -

-

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 330A (Tc) 6V, 10V 1.1mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 115.9 nC @ 10 V ±20V 7349 pF @ 25 V - 263W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-DSC
IGLR60R340D1XUMA1

IGLR60R340D1XUMA1

GAN HV

Infineon Technologies

4,842 -
IGLR60R340D1XUMA1

Технический лист

CoolGaN™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 600 V 8.2A (Tc) - - 1.6V @ 530µA - -10V 87.7 pF @ 400 V - 41.6W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-7
NTMFS7D5N15MC

NTMFS7D5N15MC

PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56

onsemi

2,855 -
NTMFS7D5N15MC

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13.5A (Ta) 8V, 10V 7.9mOhm @ 54A, 10V 4.5V @ 295µA 46 nC @ 10 V ±20V 3835 pF @ 75 V - 3.3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
IPB0401NM5SATMA1

IPB0401NM5SATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

990 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SIHG155N60EF-GE3

SIHG155N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

925 -
SIHG155N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 149mOhm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
WI61195TR

WI61195TR

POWER GAN IC 8X8 PDFN

Wise-Integration

2,495 -

-

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IQD009N06NM5SCATMA1

IQD009N06NM5SCATMA1

OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150

Infineon Technologies

5,000 -
IQD009N06NM5SCATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 50A, 10V 3.3V @ 163µA 150 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 30 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-U02
PSMN028N10NS2_R2_00201

PSMN028N10NS2_R2_00201

100V/ 2.8M / TOLL FOR INDUSTRAIL

Panjit International Inc.

1,980 -
PSMN028N10NS2_R2_00201

Технический лист

- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 240A 4.5V, 10V - - 65 nC @ 10 V ±20V - - - - - - Surface Mount TOLL
NVMFS5C406NT1G

NVMFS5C406NT1G

MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN

onsemi

1,560 -
NVMFS5C406NT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 52A (Ta), 353A (Tc) 10V 0.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 280µA 110 nC @ 10 V ±20V 7288 pF @ 20 V - 3.9W (Ta), 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
CCSPG1060N TR PBFREE

CCSPG1060N TR PBFREE

100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALE

Central Semiconductor Corp

1,442 -
CCSPG1060N TR PBFREE

Технический лист

* 8-XFLGA, CSP Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 60A (Tc) 5V 5.5mOhm @ 25A, 5V 2.5V @ 9mA 9.2 nC @ 5 V +6V, -4V 1000 pF @ 50 V - 300W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-CSP (3.5x2.13)
RBA300N10EHPF-5UA02#GB0

RBA300N10EHPF-5UA02#GB0

100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H

Renesas Electronics Corporation

1,500 -
RBA300N10EHPF-5UA02#GB0

Технический лист

- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IQD063N15NM5ATMA1

IQD063N15NM5ATMA1

TRENCH >=100V

Infineon Technologies

4,872 -
IQD063N15NM5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 14.1A (Ta), 148A (Tc) 8V, 10V 6.32mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 159µA 60 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 75 V - 2.5W (Ta), 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-9
G3R350MT12J-TR

G3R350MT12J-TR

1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF

GeneSiC Semiconductor

623 -
G3R350MT12J-TR

Технический лист

G3R™, LoRing™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 10A (Tc) 15V, 18V 395mOhm @ 4A, 18V 2.7V @ 2mA 10 nC @ 15 V +22V, -10V 331 pF @ 800 V - 64W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
Total 36322 Record«Prev1... 300301302303304305306307...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь