TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STW35N65DM2

STW35N65DM2

MOSFET N-CH 650V 32A TO247

STMicroelectronics

816 -
STW35N65DM2

Технический лист

MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 32A (Tc) 10V 110mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 56.3 nC @ 10 V ±25V 2540 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
NVHL095N65S3F

NVHL095N65S3F

SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247

onsemi

418 -
NVHL095N65S3F

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3020 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Vishay Siliconix

1,868 -
SIHB24N65E-GE3

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPTG018N10NM5ATMA1

IPTG018N10NM5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

Infineon Technologies

1,700 -
IPTG018N10NM5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Ta), 273A Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 202µA 152 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
NVHL095N65S3HF

NVHL095N65S3HF

SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH

onsemi

450 -
NVHL095N65S3HF

Технический лист

SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3105 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPB65R110CFDATMA2

IPB65R110CFDATMA2

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3

Infineon Technologies

1,960 -
IPB65R110CFDATMA2

Технический лист

CoolMOS™ CFD2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
SIHP085N60EF-GE3

SIHP085N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

1,995 -
SIHP085N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IMWH170R450M1XKSA1

IMWH170R450M1XKSA1

IMWH170R450M1XKSA1

Infineon Technologies

252 -

-

CoolSiC™ TO-247-3 Tray Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 10A (Tj) 12V, 15V 390mOhm @ 2A, 15V 5.7V @ 2.6mA 11.7 nC @ 12 V 15V, 12V 506 pF @ 1000 V - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-U04
SIHF30N60E-GE3

SIHF30N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A TO220

Vishay Siliconix

2,975 -
SIHF30N60E-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
MCBS260N10Y-TP

MCBS260N10Y-TP

N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7

Micro Commercial Co

1,508 -
MCBS260N10Y-TP

Технический лист

- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 260A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 161 nC @ 10 V ±20V 10589 pF @ 25 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SIHG24N65E-GE3

SIHG24N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Vishay Siliconix

610 -
SIHG24N65E-GE3

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
CDF56G7032N TR13 PBFREE

CDF56G7032N TR13 PBFREE

SURFACE MOUNT MOSFET

Central Semiconductor Corp

2,500 -

-

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 18A (Tc) 6V 140mOhm @ 5A, 6V 2.5V @ 17.2mA 3.5 nC @ 6 V +7V, -6V 125 pF @ 400 V - 1.1W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6)
TK095N65Z5,S1F(S

TK095N65Z5,S1F(S

650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE

Toshiba Semiconductor and Storage

195 -

-

DTMOSVI TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Ta) 10V 95mOhm @ 14.5A, 10V 4.5V @ 1.27mA 50 nC @ 10 V ±30V 2880 pF @ 300 V - 230W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-247
XP10NA1R5TL

XP10NA1R5TL

MOSFET N-CH 100V 300A TOLL

YAGEO XSEMI

987 -
XP10NA1R5TL

Технический лист

XP10NA1R5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 300A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 304 nC @ 10 V ±20V 16960 pF @ 80 V - 3.75W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
MSC180SMA120SDT/R

MSC180SMA120SDT/R

MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26

Microchip Technology

773 -
MSC180SMA120SDT/R

Технический лист

mSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 18V, 20V 225mOhm @ 8A, 20V 5V @ 500µA 36 nC @ 20 V +23V, -10V 481 pF @ 1.2 kV - 146W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
SIHF085N60EF-GE3

SIHF085N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU

Vishay Siliconix

1,000 -
SIHF085N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IPW95R130PFD7XKSA1

IPW95R130PFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

314 -
IPW95R130PFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 36.5A 10V - - 141 nC @ 10 V ±20V - - 227W -55°C ~ 150°C - - Through Hole PG-TO247-3-41
NTMTS002N08MC

NTMTS002N08MC

PTNG 80V IN CEBU PQFN88

onsemi

2,948 -
NTMTS002N08MC

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 29A (Ta), 229A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 90A, 10V 4V @ 540µA 125 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 40 V - 3.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
STW18NM60N

STW18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3

STMicroelectronics

534 -
STW18NM60N

Технический лист

MDmesh™ II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
GS-065-011-6-LR-MR

GS-065-011-6-LR-MR

GS-065-011-6-LR-MR

Infineon Technologies Canada Inc.

235 -

-

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 700 V 12.2A (Tc) 6V 180mOhm @ 3.2A, 6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V, -10V 70 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (8x8)
Total 36322 Record«Prev1... 306307308309310311312313...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь