TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы DDZ7V5CS-7 RS1MWF-7 BAS116-7-F AP7345D-1833RH4-7 FCX493TA SDM02U30CSP-7 LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MCB220N15Y-TP

    MCB220N15Y-TP

    MOSFET

    Micro Commercial Co

    		 7,990 -
    Запрос цены
    		MCB220N15Y-TP

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 220A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 155 nC @ 10 V ±20V 9177 pF @ 75 V - 312.5W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    RX3P07CBHC16

    RX3P07CBHC16

    NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M

    Rohm Semiconductor

    		 992 -
    Запрос цены
    		RX3P07CBHC16

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 6V, 10V 5.2mOhm @ 70A, 10V 4V @ 1mA 73 nC @ 10 V ±20V 4650 pF @ 50 V - 135W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPTC026N12NM6ATMA1

    IPTC026N12NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    		 1,580 -
    Запрос цены
    		IPTC026N12NM6ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 6 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 26A (Ta), 222A (Tc) 8V, 10V 2.6mOhm @ 115A, 10V 3.6V @ 169µA 88 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 60 V - 3.8W (Ta), 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-2
    ISC130N20NM6ATMA1

    ISC130N20NM6ATMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    		 4,434 -
    Запрос цены
    		ISC130N20NM6ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9.8A (Ta), 88A (Tc) 10V, 15V 11.7mOhm @ 50A, 15V 4.5V @ 135µA 58 nC @ 10 V ±20V 3900 pF @ 100 V - 3W (Ta), 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-3
    G2R1000MT17J-TR

    G2R1000MT17J-TR

    1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS

    GeneSiC Semiconductor

    		 606 -
    Запрос цены
    		G2R1000MT17J-TR

    Технический лист

         		G2R™, LoRing™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 5A (Tc) 20V 1.2Ohm @ 2A, 20V 4V @ 2mA 11 nC @ 20 V +20V, -5V 139 pF @ 1000 V - 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXTP300N04T2

    IXTP300N04T2

    MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 463 -
    Запрос цены
    		IXTP300N04T2

    Технический лист

         		TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 10700 pF @ 25 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPT023N10NM5LF2ATMA1

    IPT023N10NM5LF2ATMA1

    IPT023N10NM5LF2ATMA1

    Infineon Technologies

    		 1,980 -
    Запрос цены
    		IPT023N10NM5LF2ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 27A (Ta), 243A (Tc) 10V, 15V 2.1mOhm @ 100A, 15V 3.9V @ 193µA 144 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
    IPP65R110CFDXKSA2

    IPP65R110CFDXKSA2

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 436 -
    Запрос цены
    		IPP65R110CFDXKSA2

    Технический лист

         		CoolMOS™ CFD2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    CDF56G6517N TR13 PBFREE

    CDF56G6517N TR13 PBFREE

    650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN

    Central Semiconductor Corp

    		 2,498 -
    Запрос цены
    		CDF56G6517N TR13 PBFREE

    Технический лист

         		* 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel - 650 V 17A (Tc) - - - - - - - 1.1W (Ta) - - - Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6)
    S2M0120120K

    S2M0120120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 295 -
    Запрос цены
    		S2M0120120K

    Технический лист

         		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 20V 150mOhm @ 13.3A, 20V 4V @ 3.3mA 29.6 nC @ 20 V +20V, -5V 652 pF @ 1000 V - 156W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    PJMF105N60FRC_T0_00601

    PJMF105N60FRC_T0_00601

    600V/ 105M / 35A/ SJ MOSFET WITH

    Panjit International Inc.

    		 2,000 -
    Запрос цены
    		PJMF105N60FRC_T0_00601

    Технический лист

         		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJMP105N60FRC_T0_00601

    PJMP105N60FRC_T0_00601

    600V/ 105M / 35A/ SJ MOSFET WITH

    Panjit International Inc.

    		 2,000 -
    Запрос цены
    		PJMP105N60FRC_T0_00601

    Технический лист

         		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    R6027YNXC7G

    R6027YNXC7G

    NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		R6027YNXC7G

    Технический лист

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V, 12V 135mOhm @ 7A, 12V 6V @ 2mA 40 nC @ 10 V ±30V 1670 pF @ 100 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPB90R340C3ATMA2

    IPB90R340C3ATMA2

    MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3

    Infineon Technologies

    		 1,783 -
    Запрос цены
    		IPB90R340C3ATMA2

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 15A (Tc) 10V 340mOhm @ 9.2A, 10V 3.5V @ 1mA 94 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPDQ65R080CFD7XTMA1

    IPDQ65R080CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 750 -
    Запрос цены
    		IPDQ65R080CFD7XTMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 80mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 630µA 50 nC @ 10 V ±20V 2513 pF @ 400 V - 223W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    S2M0160120J

    S2M0160120J

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    		 300 -
    Запрос цены
    		S2M0160120J

    Технический лист

         		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 16A (Tc) 20V 196mOhm @ 10A, 20V 4V @ 2.5mA 26.5 nC @ 20 V +20V, -5V 513 pF @ 1000 V - 122W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IAUTN06S5N008GATMA1

    IAUTN06S5N008GATMA1

    MOSFET_)40V 60V)

    Infineon Technologies

    		 1,690 -
    Запрос цены
    		IAUTN06S5N008GATMA1

    Технический лист

         		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SUM70042M-GE3

    SUM70042M-GE3

    N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P

    Vishay Siliconix

    		 780 -
    Запрос цены
    		SUM70042M-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) 7.5V, 10V 3.83mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V 6750 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    IXFH16N50P3

    IXFH16N50P3

    MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    		 290 -
    Запрос цены
    		IXFH16N50P3

    Технический лист

         		HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 360mOhm @ 8A, 10V 5V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±30V 1515 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    TK16G60W,RVQ

    TK16G60W,RVQ

    MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 984 -
    Запрос цены
    		TK16G60W,RVQ

    Технический лист

         		DTMOSIV TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15.8A (Ta) 10V 190mOhm @ 7.9A, 10V 3.7V @ 790µA 38 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    Total 36322 Record«Prev1... 305306307308309310311312...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135