TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SI4100DY-T1-GE3

SI4100DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

Vishay Siliconix

4,435 -
SI4100DY-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 6V, 10V 63mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,887 -
SIRA04DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.15mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V, -16V 3595 pF @ 15 V - 5W (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
RD3L050SNTL1

RD3L050SNTL1

MOSFET N-CH 60V 5A TO252

Rohm Semiconductor

1,449 -
RD3L050SNTL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5A (Ta) 4V, 10V 109mOhm @ 5A, 10V 3V @ 1mA 8 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 10 V - 15W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
IPA80R1K4P7XKSA1

IPA80R1K4P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F

Infineon Technologies

995 -
IPA80R1K4P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 3.5V @ 700µA 10 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 500 V - 24W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
IPP80R1K4P7XKSA1

IPP80R1K4P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3

Infineon Technologies

499 -
IPP80R1K4P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.4A, 10V 3.5V @ 70µA 10 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 500 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

Infineon Technologies

17,249 -
BSC020N03LSGATMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 7200 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-1
SQJ488EP-T2_GE3

SQJ488EP-T2_GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

Vishay Siliconix

14,323 -
SQJ488EP-T2_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 7.1A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 978 pF @ 50 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQ4080EY-T1_BE3

SQ4080EY-T1_BE3

N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFE

Vishay Siliconix

6,623 -
SQ4080EY-T1_BE3

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 18A (Tc) 10V 85mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V 1590 pF @ 75 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,694 -
SQJA90EP-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 10V 7.6mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 55 nC @ 10 V ±20V 3500 pF @ 25 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
FDMS7670

FDMS7670

MOSFET N-CH 30V 21A/42A 8PQFN

onsemi

5,149 -
FDMS7670

Технический лист

PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 21A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 21A, 10V 3V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 4105 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 62W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
IPD60R600P6ATMA1

IPD60R600P6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

Infineon Technologies

4,896 -
IPD60R600P6ATMA1

Технический лист

CoolMOS™ P6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 4.5V @ 200µA 12 nC @ 10 V ±20V 557 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
STD8N60DM2

STD8N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

STMicroelectronics

3,517 -
STD8N60DM2

Технический лист

MDmesh™ DM2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 13.5 nC @ 10 V ±30V 375 pF @ 100 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
SQJ459EP-T1_BE3

SQJ459EP-T1_BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

2,793 -
SQJ459EP-T1_BE3

Технический лист

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 52A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250µA 108 nC @ 10 V ±20V 4586 pF @ 30 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
FDMS8025S

FDMS8025S

MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN

onsemi

2,628 -
FDMS8025S

Технический лист

PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 24A, 10V 3V @ 1mA 47 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
NVTFS5C466NLTAG

NVTFS5C466NLTAG

MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN

onsemi

1,355 -
NVTFS5C466NLTAG

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 51A (Tc) 4.5V, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 7 nC @ 4.5 V ±20V 880 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
IPAN60R360PFD7SXKSA1

IPAN60R360PFD7SXKSA1

MOSFET N-CH 650V 10A TO220

Infineon Technologies

534 -
IPAN60R360PFD7SXKSA1

Технический лист

CoolMOS™PFD7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 2.9A, 10V 4.5V @ 140µA 12.7 nC @ 10 V ±20V 534 pF @ 400 V - 23W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
SI4114DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO

Vishay Siliconix

281,301 -
SI4114DY-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±16V 3700 pF @ 10 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

65,503 -
PSMN4R0-40YS,115

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 38 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 20 V - 106W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

Vishay Siliconix

8,631 -
SISS30ADN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 15.9A (Ta), 54.7A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1295 pF @ 40 V - 4.8W (Ta), 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
CSD17306Q5A

CSD17306Q5A

MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON

Texas Instruments

3,928 -
CSD17306Q5A

Технический лист

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3V, 8V 3.7mOhm @ 22A, 8V 1.6V @ 250µA 15.3 nC @ 4.5 V +10V, -8V 2170 pF @ 15 V - 3.2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Total 36284 Record«Prev1... 2829303132333435...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь