TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CMPA601C025F CGHV96100F2 CGHV96130F AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPD18DP10LMATMA1

    IPD18DP10LMATMA1

    TRENCH >=100V PG-TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,081 -
    Запрос цены
    		IPD18DP10LMATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.5A (Ta), 13.9A (Tc) 4.5V, 10V 178mOhm @ 13A, 10V 2V @ 1.04mA 42 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 50 V - 3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    ISZ0602NLSATMA1

    ISZ0602NLSATMA1

    MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON

    Infineon Technologies

    		 9,817 -
    Запрос цены
    		ISZ0602NLSATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 29µA 29 nC @ 10 V ±20V 1860 pF @ 40 V - 2.1W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-26
    ISZ019N03L5SATMA1

    ISZ019N03L5SATMA1

    MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON

    Infineon Technologies

    		 7,128 -
    Запрос цены
    		ISZ019N03L5SATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 15 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
    STD3N80K5

    STD3N80K5

    MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK

    STMicroelectronics

    		 5,369 -
    Запрос цены
    		STD3N80K5

    Технический лист

         		SuperMESH5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.5A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 9.5 nC @ 10 V ±30V 130 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    AOD600A70R

    AOD600A70R

    MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 4,607 -
    Запрос цены
    		AOD600A70R

    Технический лист

         		aMOS5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 8.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 950 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    BUK9675-55A,118

    BUK9675-55A,118

    MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 3,826 -
    Запрос цены
    		BUK9675-55A,118

    Технический лист

         		TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 10A, 10V 2V @ 1mA - ±10V 643 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    IRFR9220TRPBF-BE3

    IRFR9220TRPBF-BE3

    MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 3,132 -
    Запрос цены
    		IRFR9220TRPBF-BE3

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    NVMFS5C677NLT1G

    NVMFS5C677NLT1G

    MOSFET N-CH 60V 11A/36A 5DFN

    onsemi

    		 2,694 -
    Запрос цены
    		NVMFS5C677NLT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Ta), 36A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2V @ 25µA 9.7 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.5W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IPD096N08N3GATMA1

    IPD096N08N3GATMA1

    MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,463 -
    Запрос цены
    		IPD096N08N3GATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 73A (Tc) 6V, 10V 9.6mOhm @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 40 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IRFR9210PBF

    IRFR9210PBF

    MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 2,125 -
    Запрос цены
    		IRFR9210PBF

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.9A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 170 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    DMPH4015SPSQ-13

    DMPH4015SPSQ-13

    MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8

    Diodes Incorporated

    		 1,995 -
    Запрос цены
    		DMPH4015SPSQ-13

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 9.8A, 10V 2.5V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±25V 4234 pF @ 20 V - 2.6W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
    SIR418DP-T1-GE3

    SIR418DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 14,525 -
    Запрос цены
    		SIR418DP-T1-GE3

    Технический лист

         		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 20 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IPD60R600C6ATMA1

    IPD60R600C6ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 8,732 -
    Запрос цены
    		IPD60R600C6ATMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ C6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nC @ 10 V ±20V 440 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    SIR696DP-T1-GE3

    SIR696DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 5,157 -
    Запрос цены
    		SIR696DP-T1-GE3

    Технический лист

         		ThunderFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 125 V 60A (Tc) 7.5V, 10V 11.5mOhm @ 20A, 10V 4.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1410 pF @ 75 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SI4160DY-T1-GE3

    SI4160DY-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO

    Vishay Siliconix

    		 2,494 -
    Запрос цены
    		SI4160DY-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 25.4A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V 2071 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    TP0620N3-G

    TP0620N3-G

    MOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3

    Microchip Technology

    		 791 -
    Запрос цены
    		TP0620N3-G

    Технический лист

         		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 175mA (Tj) 5V, 10V 12Ohm @ 200mA, 10V 2.4V @ 1mA - ±20V 150 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
    XPN6R706NC,L1XHQ

    XPN6R706NC,L1XHQ

    MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 27,960 -
    Запрос цены
    		XPN6R706NC,L1XHQ

    Технический лист

         		U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 300µA 35 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 840mW (Ta), 100W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
    BSZ0901NSATMA1

    BSZ0901NSATMA1

    MOSFET N-CH 30V 22A/40A 8TSDSON

    Infineon Technologies

    		 3,456 -
    Запрос цены
    		BSZ0901NSATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 40A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 15 V - 2.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8
    NTMFS1D7N03CGT1G

    NTMFS1D7N03CGT1G

    MOSFET, POWER, 30V N-CHANNEL, SO

    onsemi

    		 1,500 -
    Запрос цены
    		NTMFS1D7N03CGT1G

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 170A (Tc) 10V 1.74mOhm @ 18A, 10V 2.2V @ 90µA 48 nC @ 10 V ±20V 3780 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SISS64DN-T1-GE3

    SISS64DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S

    Vishay Siliconix

    		 7,753 -
    Запрос цены
    		SISS64DN-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 68 nC @ 10 V +20V, -16V 3420 pF @ 15 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    Total 36284 Record«Prev1... 2930313233343536...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135