TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK

Vishay Siliconix

2,574 -
SIR188DP-T1-RE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25.5A (Ta), 60A (Tc) 7.5V, 10V 3.85mOhm @ 10A, 10V 3.6V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V 1920 pF @ 30 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
STD10N60DM2

STD10N60DM2

MOSFET N-CH 650V 8A DPAK

STMicroelectronics

2,263 -
STD10N60DM2

Технический лист

MDmesh™ DM2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 530mOhm @ 4A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 529 pF @ 100 V - 109W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STD35NF06T4

STD35NF06T4

MOSFET N-CH 60V 35A DPAK

STMicroelectronics

4,632 -
STD35NF06T4

Технический лист

STripFET™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Tc) 10V 20mOhm @ 17.5A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
CSD17577Q5AT

CSD17577Q5AT

MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON

Texas Instruments

2,759 -
CSD17577Q5AT

Технический лист

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 60A (Ta) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 18A, 10V 1.8V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 2310 pF @ 15 V - 3W (Ta), 53W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
SQ4483EY-T1_GE3

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

Vishay Siliconix

2,418 -
SQ4483EY-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 113 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 15 V - 7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

1,815 -
SQJ460AEP-T1_GE3

Технический лист

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 32A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 18A, 10V 2.5V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±20V 4795 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
SQ4483EY-T1_BE3

SQ4483EY-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

Vishay Siliconix

1,552 -
SQ4483EY-T1_BE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 113 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 15 V - 7W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
CSD18503KCS

CSD18503KCS

MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3

Texas Instruments

791 -
CSD18503KCS

Технический лист

NexFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 2.3V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 3150 pF @ 20 V - 188W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPP50R280CEXKSA1

IPP50R280CEXKSA1

MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3

Infineon Technologies

323 -
IPP50R280CEXKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 13V 280mOhm @ 4.2A, 13V 3.5V @ 350µA 32.6 nC @ 10 V ±20V 773 pF @ 100 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
STL60N10F7

STL60N10F7

MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT

STMicroelectronics

14,477 -
STL60N10F7

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 46A (Tc) 10V 18mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V 20V 1640 pF @ 50 V - 5W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
PSMN3R2-40YLDX

PSMN3R2-40YLDX

MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

2,828 -
PSMN3R2-40YLDX

Технический лист

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 25A, 10V 2.05V @ 1mA 57 nC @ 10 V ±20V 4103 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

MOSFET N-CH TO252-3

Infineon Technologies

2,495 -
IPD80R2K7C3AATMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.2A, 10V 3.9V @ 250µA 1.5 nC @ 10 V ±20V 290 pF @ 100 V - 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA (DPAK)
SIR606DP-T1-GE3

SIR606DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

5,082 -
SIR606DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 37A (Tc) 6V, 10V 16.2mOhm @ 15A, 10V 3.6V @ 250µA 22 nC @ 6 V ±20V 1360 pF @ 50 V - 44.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
NVMFS9D6P04M8LT1G

NVMFS9D6P04M8LT1G

MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX

onsemi

3,410 -
NVMFS9D6P04M8LT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17.1A (Ta), 77A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 20A, 10V 2.4V @ 580µA 14.47 nC @ 10 V ±20V 2002 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
PSMN1R7-25YLDX

PSMN1R7-25YLDX

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

1,500 -
PSMN1R7-25YLDX

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 46.7 nC @ 10 V ±20V 3415 pF @ 12 V Schottky Diode (Body) 135W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
IRFU220PBF

IRFU220PBF

MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA

Vishay Siliconix

1,496 -
IRFU220PBF

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 4.8A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.9A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V 260 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
NTMFS6D1N08HT1G

NTMFS6D1N08HT1G

MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN

onsemi

1,079 -
NTMFS6D1N08HT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 17A (Ta), 89A (Tc) 6V, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 120µA 32 nC @ 10 V ±20V 2085 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IRFZ14SPBF

IRFZ14SPBF

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK

Vishay Siliconix

1,078 -
IRFZ14SPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 10V 200mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPP030N06NF2SAKMA1

IPP030N06NF2SAKMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3

Infineon Technologies

566 -
IPP030N06NF2SAKMA1

Технический лист

StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 119A (Tc) 6V, 10V 3.05mOhm @ 70A, 10V 3.3V @ 80µA 102 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-U05
IRFU9014PBF

IRFU9014PBF

MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA

Vishay Siliconix

406 -
IRFU9014PBF

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 5.1A (Tc) 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
Total 36284 Record«Prev1... 3435363738394041...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь