TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CMPA601C025F CGHV96100F2 CGHV96130F AP3012KTR-E1 SMBJ43A-13-F DMN4034SSS-13 FMMT495QTA BZX84-B36-QR SD103AW-7-F DFLU1200-7
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    TP2635N3-G

    TP2635N3-G

    MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3

    Microchip Technology

    		 344 -
    Запрос цены
    		TP2635N3-G

    Технический лист

         		- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 350 V 180mA (Tj) 2.5V, 10V 15Ohm @ 300mA, 10V 2V @ 1mA - ±20V 300 pF @ 25 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-92-3
    SQJ850EP-T2_GE3

    SQJ850EP-T2_GE3

    N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 8,710 -
    Запрос цены
    		SQJ850EP-T2_GE3

    Технический лист

         		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 10.3A, 10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 1225 pF @ 30 V - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IPD30N06S215ATMA2

    IPD30N06S215ATMA2

    MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

    Infineon Technologies

    		 6,559 -
    Запрос цены
    		IPD30N06S215ATMA2

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 14.7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 80µA 110 nC @ 10 V ±20V 1485 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    IRFR014PBF

    IRFR014PBF

    MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 1,978 -
    Запрос цены
    		IRFR014PBF

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 7.7A (Tc) 10V 200mOhm @ 4.6A, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    STF2N80K5

    STF2N80K5

    MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 846 -
    Запрос цены
    		STF2N80K5

    Технический лист

         		SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 3 nC @ 10 V 30V 95 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    BSZ084N08NS5ATMA1

    BSZ084N08NS5ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

    Infineon Technologies

    		 34,017 -
    Запрос цены
    		BSZ084N08NS5ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 40A (Tc) 6V, 10V 8.4mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 31µA 25 nC @ 10 V ±20V 1820 pF @ 40 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
    RQ3L090GNTB

    RQ3L090GNTB

    MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

    Rohm Semiconductor

    		 17,625 -
    Запрос цены
    		RQ3L090GNTB

    Технический лист

         		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 13.9mOhm @ 9A, 10V 2.7V @ 300µA 24.5 nC @ 10 V ±20V 1260 pF @ 30 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    SIS184DN-T1-GE3

    SIS184DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

    Vishay Siliconix

    		 10,364 -
    Запрос цены
    		SIS184DN-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) 7.5V, 10V 5.8mOhm @ 10A, 10V 3.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 1490 pF @ 30 V - 3.7W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    TPH4R50ANH1,LQ

    TPH4R50ANH1,LQ

    MOSFET 100V 4.5MOHM SOP-ADV(N)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 6,077 -
    Запрос цены
    		TPH4R50ANH1,LQ

    Технический лист

         		U-MOSVIII-H 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 92A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 46A, 10V 4V @ 1mA 58 nC @ 10 V ±20V 5200 pF @ 50 V - 800mW (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
    IPD80R750P7ATMA1

    IPD80R750P7ATMA1

    MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 4,134 -
    Запрос цены
    		IPD80R750P7ATMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ P7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 500 V - 51W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPD60R280PFD7SAUMA1

    IPD60R280PFD7SAUMA1

    MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,879 -
    Запрос цены
    		IPD60R280PFD7SAUMA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ PFD7 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 280mOhm @ 3.6A, 10V 4.5V @ 180µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 656 pF @ 400 V - 51W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-344
    STP10N60M2

    STP10N60M2

    MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

    STMicroelectronics

    		 689 -
    Запрос цены
    		STP10N60M2

    Технический лист

         		MDmesh™ II Plus TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±25V 400 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPD22N08S2L50ATMA1

    IPD22N08S2L50ATMA1

    MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 9,994 -
    Запрос цены
    		IPD22N08S2L50ATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 27A (Tc) 5V, 10V 50mOhm @ 50A, 10V 2V @ 31µA 33 nC @ 10 V ±20V 630 pF @ 25 V - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    PSMN2R0-30YLDX

    PSMN2R0-30YLDX

    MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 7,117 -
    Запрос цены
    		PSMN2R0-30YLDX

    Технический лист

         		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 2969 pF @ 15 V - 142W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    SI4090BDY-T1-GE3

    SI4090BDY-T1-GE3

    N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO-

    Vishay Siliconix

    		 7,063 -
    Запрос цены
    		SI4090BDY-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12.2A (Ta), 18.7A (Tc) 6V, 10V 10mOhm @ 12.2A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3570 pF @ 50 V - 3.1W (Ta), 7.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    IRF9530PBF-BE3

    IRF9530PBF-BE3

    MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 3,387 -
    Запрос цены
    		IRF9530PBF-BE3

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Tc) - 300mOhm @ 7.2A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 860 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIR616DP-T1-GE3

    SIR616DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 2,870 -
    Запрос цены
    		SIR616DP-T1-GE3

    Технический лист

         		ThunderFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 20.2A (Tc) 7.5V, 10V 50.5mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 28 nC @ 7.5 V ±20V 1450 pF @ 100 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN015-100YLX

    PSMN015-100YLX

    MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 2,556 -
    Запрос цены
    		PSMN015-100YLX

    Технический лист

         		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 69A (Tc) 5V, 10V 14.7mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 1mA 86.3 nC @ 10 V ±20V 6139 pF @ 25 V - 195W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    RD3L080SNFRATL

    RD3L080SNFRATL

    MOSFET N-CH 60V 8A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 6,988 -
    Запрос цены
    		RD3L080SNFRATL

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8A (Ta) 4V, 10V 80mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 9.4 nC @ 10 V ±20V 380 pF @ 10 V - 15W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
    RD3G03BATTL1

    RD3G03BATTL1

    PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3

    Rohm Semiconductor

    		 4,298 -
    Запрос цены
    		RD3G03BATTL1

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 19.1mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 38 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 56W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    Total 36284 Record«Prev1... 3334353637383940...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135