TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FQP9N08L

FQP9N08L

MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3

Fairchild Semiconductor

5,169 -
FQP9N08L

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 9.3A (Tc) 5V, 10V 210mOhm @ 4.65A, 10V 5V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V ±20V 280 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
BUZ101L

BUZ101L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

5,075 -
BUZ101L

Технический лист

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD4810NHT4G

NTD4810NHT4G

MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK

onsemi

6,951 -
NTD4810NHT4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 11.5V 10mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1225 pF @ 12 V - 1.28W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STD1063T4

STD1063T4

NFET DPAK SPCL 500V TR

onsemi

5,000 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSS84

BSS84

50V 130MA 300MW 10R@5V,100MA 2V@

UMW

4,500 -
BSS84

Технический лист

UMW TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Ta) 5V 10Ohm @ 100mA, 5V 2V @ 1mA - ±20V 45 pF @ 25 V - 300mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
IRFU330BTU

IRFU330BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4,090 -
IRFU330BTU

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 4.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.25A, 10V 4V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
MMDF7N02ZR2

MMDF7N02ZR2

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

onsemi

3,464 -
MMDF7N02ZR2

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FQP9N08

FQP9N08

MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3

Fairchild Semiconductor

3,153 -
FQP9N08

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 9.3A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.65A, 10V 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V ±25V 250 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FQP4N25

FQP4N25

MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3

Fairchild Semiconductor

2,950 -
FQP4N25

Технический лист

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 3.6A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 1.8A, 10V 5V @ 250µA 5.6 nC @ 10 V ±30V 200 pF @ 25 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NTB4302T4

NTB4302T4

MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK

onsemi

3,836 -
NTB4302T4

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 74A (Tc) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 37A, 10V 3V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 24 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
IPSA70R750P7SAKMA1

IPSA70R750P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3

Infineon Technologies

4,326 -
IPSA70R750P7SAKMA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 6.5A (Tc) 10V 750mOhm @ 1.4A, 10V 3.5V @ 70µA 8.3 nC @ 400 V ±16V 306 pF @ 400 V - 34.7W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3
NDD03N50Z-1G

NDD03N50Z-1G

MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

onsemi

8,122 -
NDD03N50Z-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.6A (Tc) 10V 3.3Ohm @ 1.15A, 10V 4.5V @ 50µA 10 nC @ 10 V ±30V 274 pF @ 25 V - 58W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTD4857NAT4G

NTD4857NAT4G

MOSFET N-CH 25V 12A/78A DPAK

onsemi

2,500 -

-

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) - 5.7mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 24 nC @ 4.5 V - 1960 pF @ 12 V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
FDU6676AS

FDU6676AS

MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

Fairchild Semiconductor

1,708 -
FDU6676AS

Технический лист

PowerTrench® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Ta) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 16A, 10V 3V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 2470 pF @ 15 V - 70W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
NTB4302G

NTB4302G

MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK

onsemi

9,635 -
NTB4302G

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 74A (Tc) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 37A, 10V 3V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 24 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
HUF75309D3S

HUF75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Fairchild Semiconductor

1,687 -
HUF75309D3S

Технический лист

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 19A (Tc) - 70mOhm @ 19A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 20 V ±20V 350 pF @ 25 V - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRFW720BTM

IRFW720BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1,600 -
IRFW720BTM

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.3A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 1.65A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 3.13W (Ta), 49W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
RFP2N10

RFP2N10

N-CHANNEL, MOSFET

Harris Corporation

1,323 -
RFP2N10

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 2A, 5V 4V @ 250µA - ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
BSP88E6327

BSP88E6327

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

Infineon Technologies

5,809 -
BSP88E6327

Технический лист

SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 240 V 350mA (Ta) 2.8V, 4.5V 6Ohm @ 350mA, 10V 1.4V @ 108µA 6.8 nC @ 10 V ±20V 95 pF @ 25 V - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4
NTHS5443T1G

NTHS5443T1G

MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

onsemi

6,142 -
NTHS5443T1G

Технический лист

- 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 3.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 65mOhm @ 3.6A, 4.5V 600mV @ 250µA (Min) 12 nC @ 4.5 V ±12V - - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount ChipFET™
Total 36284 Record«Prev1... 381382383384385386387388...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь