TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
RQK0604IGDQA#H1

RQK0604IGDQA#H1

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,646 -
RQK0604IGDQA#H1

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RFD4N06L

RFD4N06L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1,424 -
RFD4N06L

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 4A (Tc) 5V 600mOhm @ 1A, 5V 2.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±10V - - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
FDN337N

FDN337N

MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23

UMW

1,180 -
FDN337N

Технический лист

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2300F

2300F

N20V, 6A,RD<[email protected],VTH0.5V~0.9

Goford Semiconductor

1,129 -
2300F

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.5A (Tc) 2.5V, 4.5V 27mOhm @ 2.3A, 4.5V 900mV @ 250µA 11.6 nC @ 4.5 V ±12V 363 pF @ 10 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
FDMA7628

FDMA7628

FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5

Fairchild Semiconductor

89,038 -
FDMA7628

Технический лист

PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.5 nC @ 4.5 V ±8V 1680 pF @ 10 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
FDFMA3N109

FDFMA3N109

MOSFET N-CH 30V 2.9A 6MICROFET

onsemi

6,668 -
FDFMA3N109

Технический лист

PowerTrench® 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 2.9A (Tc) 2.5V, 4.5V 123mOhm @ 2.9A, 4.5V 1.5V @ 250µA 3 nC @ 4.5 V ±12V 220 pF @ 15 V Schottky Diode (Isolated) 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
2SK1657-T1B-A

2SK1657-T1B-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

70,805 -
2SK1657-T1B-A

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDMA7628

FDMA7628

FDMA7628 - SINGLE N-CHANNEL 1.5

onsemi

33,686 -
FDMA7628

Технический лист

PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 9.4A (Ta) 1.5V, 4.5V 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V 1V @ 250µA 17.5 nC @ 4.5 V ±8V 1680 pF @ 10 V - 1.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
IPSA70R950CEAKMA1

IPSA70R950CEAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3

Infineon Technologies

2,653 -
IPSA70R950CEAKMA1

Технический лист

- TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 8.7A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 150µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 94W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-347
UPA572T(0)-T1-A

UPA572T(0)-T1-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

27,000 -
UPA572T(0)-T1-A

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA654TT-E1-A

UPA654TT-E1-A

MOSFET P-CH 12V 6WSOF

Renesas Electronics Corporation

21,000 -
UPA654TT-E1-A

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V - - 88mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.7 nC @ 4 V - 250 pF @ 10 V - - - - - Surface Mount 6-WSOF
2SJ211(0)-T1B-A

2SJ211(0)-T1B-A

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

21,000 -
2SJ211(0)-T1B-A

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6294

FDS6294

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

18,921 -
FDS6294

Технический лист

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 11.3mOhm @ 13A, 10V 3V @ 250µA 14 nC @ 5 V ±20V 1205 pF @ 15 V - 3W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
UPA651TT-E1-A

UPA651TT-E1-A

MOSFET P-CH 20V 5A 6WSOF

Renesas Electronics Corporation

15,000 -
UPA651TT-E1-A

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Ta) - 69mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 5.5 nC @ 4 V - 600 pF @ 10 V - 200mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSOF
FDMA7670

FDMA7670

MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET

onsemi

7,262 -
FDMA7670

Технический лист

PowerTrench® 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 15 V - 2.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
UPA622TT-E1-A

UPA622TT-E1-A

MOSFET N-CH 30V 3A 6WSOF

Renesas Electronics Corporation

12,000 -
UPA622TT-E1-A

Технический лист

- 6-SMD, Flat Leads Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3A (Ta) - 82mOhm @ 1.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.8 nC @ 10 V - 155 pF @ 10 V - 200mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSOF
2SK1657-T2B-A

2SK1657-T2B-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

12,000 -
2SK1657-T2B-A

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDU3N50NZTU

FDU3N50NZTU

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK3

onsemi

2,352 -
FDU3N50NZTU

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 1.25A, 10V 5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±25V 280 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
PHD97NQ03LT,118

PHD97NQ03LT,118

MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

Nexperia USA Inc.

3,973 -
PHD97NQ03LT,118

Технический лист

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 75A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 25A, 10V 2.15V @ 1mA 11.7 nC @ 4.5 V ±20V 1570 pF @ 12 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
IRLM120ATF

IRLM120ATF

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4

onsemi

2,809 -
IRLM120ATF

Технический лист

- TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 2.3A (Tc) 5V 220mOhm @ 1.15A, 5V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±20V 440 pF @ 25 V - 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-4
Total 36284 Record«Prev1... 384385386387388389390391...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь