TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
BUZ73AHXKSA1

BUZ73AHXKSA1

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

11,540 -
BUZ73AHXKSA1

Технический лист

SIPMOS® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
DMP58D0LFB-7

DMP58D0LFB-7

MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN

Diodes Incorporated

10,199 -

-

- 3-UFDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 180mA (Ta) 2.5V, 5V 8Ohm @ 100mA, 5V 2.1V @ 250µA - ±20V 27 pF @ 25 V - 470mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount X1-DFN1006-3
GSFN4012

GSFN4012

MOSFET, N-CH, SINGLE, 40.00A, 40

Good-Ark Semiconductor

10,000 -
GSFN4012

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Tc) 4.5V, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 15.2 nC @ 4.5 V ±20V 1460 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PPAK (3.1x3.05)
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

MOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH3

onsemi

2,291 -
3LN01M-TL-E

Технический лист

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150mA (Ta) 1.5V, 4V 3.7Ohm @ 80mA, 4V 1.3V @ 100µA 1.58 nC @ 10 V ±10V 7 pF @ 10 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-70 / MCP3
BSF083N03LQG

BSF083N03LQG

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

6,000 -
BSF083N03LQG

Технический лист

OptiMOS™ 3-WDSON Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 53A (Tc) 4.5V, 10V 8.3mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 1800 pF @ 15 V - 2.2W (Ta), 36W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
SSFD6909

SSFD6909

MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -60V

Good-Ark Semiconductor

4,546 -
SSFD6909

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 105mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 30 V - 32W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
AM7302N

AM7302N

MOSFET N-CH 30V 40A DFN3X3

Analog Power Inc.

4,300 -
AM7302N

Технический лист

- 8-PowerVDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24.2A (Ta) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 1V @ 250µA 32 nC @ 4.5 V ±20V 5022 pF @ 15 V - 3.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3x3)
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

onsemi

4,008 -
FCU3400N80Z

Технический лист

SuperFET® II TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 3.4Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 200µA 9.6 nC @ 10 V ±20V 400 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
BUZ73ALHXKSA1

BUZ73ALHXKSA1

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Infineon Technologies

3,169 -
BUZ73ALHXKSA1

Технический лист

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 5V 600mOhm @ 3.5A, 5V 2V @ 1mA - ±20V 840 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
SIL2305B-TP

SIL2305B-TP

P-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L

Micro Commercial Co

2,935 -
SIL2305B-TP

Технический лист

- SOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5.4A 1.8V, 4.5V 60mOhm @ 2.7A, 4.5V 900mV @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±10V 740 pF @ 4 V - 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
IRFU4105ZPBF-IR

IRFU4105ZPBF-IR

HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET

International Rectifier

1,993 -
IRFU4105ZPBF-IR

Технический лист

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 30A (Tc) 10V 24.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251AA)
G1K1P06LL

G1K1P06LL

P-60V,-4A,RD(MAX)<110M@-10V,VTH-

Goford Semiconductor

1,656 -
G1K1P06LL

Технический лист

TrenchFET® SOT-23-6 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 3A (Tc) 4.5V, 10V 110mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 25 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 30 V - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-6L
AM7341P

AM7341P

MOSFET P-CH -40V 35A DFN3X3

Analog Power Inc.

1,500 -
AM7341P

Технический лист

- 8-PowerVDFN Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 19mOhm @ 12A, 10V 1V @ 250µA 10 nC @ 5 V ±20V - - 3.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (3x3)
BUK9607-30B,118

BUK9607-30B,118

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

1,087 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NTD23N03R-001

NTD23N03R-001

MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK

onsemi

9,821 -
NTD23N03R-001

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 4V, 5V 45mOhm @ 6A, 10V 2V @ 250µA 3.76 nC @ 4.5 V ±20V 225 pF @ 20 V - 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
IPS65R950C6AKMA1

IPS65R950C6AKMA1

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3

Infineon Technologies

5,600 -
IPS65R950C6AKMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 1.5A, 10V 3.5V @ 200µA 15.3 nC @ 10 V ±20V 328 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

Infineon Technologies

4,535 -
BSP125L6327HTSA1

Технический лист

SIPMOS® TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 120mA (Ta) 4.5V, 10V 45Ohm @ 120mA, 10V 2.3V @ 94µA 6.6 nC @ 10 V ±20V 150 pF @ 25 V - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT223-4-21
NTMFS4835NT3G

NTMFS4835NT3G

MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN

onsemi

3,875 -
NTMFS4835NT3G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 130A (Tc) 4.5V, 11.5V 3.5mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 52 nC @ 11.5 V ±20V 3100 pF @ 12 V - 890mW (Ta), 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTMS4503NR2G

NTMS4503NR2G

MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC

onsemi

3,772 -
NTMS4503NR2G

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28 V 9A (Ta) 4.5V, 10V 8mOhm @ 14A, 10V 2V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 16 V - 930mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
NTLGF3402PT2G

NTLGF3402PT2G

MOSFET P-CH 20V 2.3A 6DFN

onsemi

5,237 -
NTLGF3402PT2G

Технический лист

FETKY™ 6-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 140mOhm @ 2.7A, 4.5V 2V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±12V 350 pF @ 10 V - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-DFN (3x3)
Total 36284 Record«Prev1... 410411412413414415416417...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь