TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NDD03N80Z-1G

NDD03N80Z-1G

MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK

onsemi

4,868 -
NDD03N80Z-1G

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.9A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 17 nC @ 10 V ±30V 440 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

MOSFET N-CH 30V 150MA SC81

onsemi

6,630 -
3LN01SS-TL-E

Технический лист

- SC-81 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150mA (Ta) 1.5V, 4V 3.7Ohm @ 80mA, 4V - 1.58 nC @ 10 V ±10V 7 pF @ 10 V - 150mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-SSFP
NTMFS4707NT1G

NTMFS4707NT1G

MOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN

onsemi

8,547 -
NTMFS4707NT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.9A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V ±20V 735 pF @ 24 V - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
SPS01N60C3BKMA1

SPS01N60C3BKMA1

0.8A, 600V, N-CHANNEL MOSFET, T

Infineon Technologies

30,000 -
SPS01N60C3BKMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 800mA (Tc) 10V 6Ohm @ 500mA, 10V 3.9V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V 100 pF @ 25 V - 11W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
HUF76121P3

HUF76121P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

26,402 -
HUF76121P3

Технический лист

UltraFET™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 47A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 47A, 10V 3V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V 850 pF @ 25 V - 75W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SPS02N60C3BKMA1

SPS02N60C3BKMA1

LOW POWER_LEGACY

Infineon Technologies

4,845 -
SPS02N60C3BKMA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.8A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.1A, 10V 3.9V @ 80µA 12.5 nC @ 10 V ±20V 200 pF @ 25 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO251-3-11
NTMFS4C50NT1G

NTMFS4C50NT1G

MOSFET N-CH 30V 46A 5DFN

onsemi

4,583 -

-

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete - - - 21.7A (Ta) - - - - - - - - - - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NTMFS4935NBT1G

NTMFS4935NBT1G

MOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN

onsemi

6,382 -
NTMFS4935NBT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta), 93A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 49.4 nC @ 10 V ±20V 4850 pF @ 15 V - 930mW (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
RFP14N05L

RFP14N05L

MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3

Fairchild Semiconductor

15,914 -
RFP14N05L

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 14A (Tc) 5V 100mOhm @ 14A, 5V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±10V 670 pF @ 25 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
HUF76609D3

HUF76609D3

MOSFET N-CH 100V 10A IPAK

Fairchild Semiconductor

15,455 -
HUF76609D3

Технический лист

UltraFET™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 10A (Tc) 4.5V, 10V 160mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±16V 425 pF @ 25 V - 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
ATP206-TL-H

ATP206-TL-H

MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK

onsemi

8,160 -
ATP206-TL-H

Технический лист

- ATPAK (2 Leads+Tab) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 16mOhm @ 20A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 1630 pF @ 20 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount ATPAK
MMDF6N02HDR2

MMDF6N02HDR2

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

onsemi

14,278 -
MMDF6N02HDR2

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF621

IRF621

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

13,250 -
IRF621

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 5A (Tc) 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 450 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
SFP9620

SFP9620

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

12,883 -
SFP9620

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.8A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 540 pF @ 25 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
BSO065N03MSGXUMA1

BSO065N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO

Infineon Technologies

3,656 -
BSO065N03MSGXUMA1

Технический лист

OptiMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 13A (Ta) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 16A, 10V 2V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8
BUZ73A

BUZ73A

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

Harris Corporation

12,259 -
BUZ73A

Технический лист

SIPMOS® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 530 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
BUK624R5-30C

BUK624R5-30C

PFET, 90A I(D), 30V, 0.0075OHM,

Nexperia USA Inc.

10,000 -
BUK624R5-30C

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 90A (Ta) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±16V 4707 pF @ 25 V - 158W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
IPP230N06L3G

IPP230N06L3G

N-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

9,620 -
IPP230N06L3G

Технический лист

OptiMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 11µA 10 nC @ 4.5 V ±20V 1600 pF @ 30 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
BUK663R5-30C,118

BUK663R5-30C,118

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

NXP USA Inc.

8,673 -

-

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BSC200P03LSG

BSC200P03LSG

P-CHANNEL POWER MOSFET

Infineon Technologies

8,671 -
BSC200P03LSG

Технический лист

OptiMOS™ 8-PowerTDFN Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) 10V 20mOhm @ 12.5A, 10V 1V @ 100µA 48.5 nC @ 10 V ±25V 2430 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-6
Total 36284 Record«Prev1... 411412413414415416417418...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь