TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMYS007N10MCLTWG

    NVMYS007N10MCLTWG

    PTNG 100V LL LFPAK4

    onsemi

    		 2,960 -
    Запрос цены
    		NVMYS007N10MCLTWG Технический лист - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Ta), 83A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 3V @ 141µA 37 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    STD15N60DM6

    STD15N60DM6

    MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

    STMicroelectronics

    		 2,483 -
    Запрос цены
    		STD15N60DM6 Технический лист MDmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) - 338mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 15.3 nC @ 10 V ±25V 607 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    PJMF990N65EC_T0_00001

    PJMF990N65EC_T0_00001

    650V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    		 2,000 -
    Запрос цены
    		PJMF990N65EC_T0_00001 Технический лист - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.7A (Tc) 10V 990mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V 306 pF @ 400 V - 22.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    SUD35N10-26P-BE3

    SUD35N10-26P-BE3

    MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 1,504 -
    Запрос цены
    		SUD35N10-26P-BE3 Технический лист TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 7V, 10V 26mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 12 V - 8.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IPF050N10NF2SATMA1

    IPF050N10NF2SATMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    		 1,311 -
    Запрос цены
    		IPF050N10NF2SATMA1 Технический лист StrongIRFET™ 2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Ta), 117A (Tc) 6V, 10V 5.05mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 84µA 76 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    IRFBC40PBF-BE3

    IRFBC40PBF-BE3

    MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 1,018 -
    Запрос цены
    		IRFBC40PBF-BE3 Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) - 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    RJK0455DPB-00#J5

    RJK0455DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    		 7,490 -
    Запрос цены
    		RJK0455DPB-00#J5 Технический лист - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 45A (Ta) 10V 3.8mOhm @ 22.5A, 10V - 34 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    SIHJ8N60E-T1-GE3

    SIHJ8N60E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    		 2,881 -
    Запрос цены
    		SIHJ8N60E-T1-GE3 Технический лист - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 520mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±30V 754 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRFBC30ASPBF

    IRFBC30ASPBF

    MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 2,169 -
    Запрос цены
    		IRFBC30ASPBF Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NVMJST3D3N04CTXG

    NVMJST3D3N04CTXG

    TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

    onsemi

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		NVMJST3D3N04CTXG Технический лист - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 157A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 60µA 23 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
    STL105N8F7AG

    STL105N8F7AG

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V, 5.6 M

    STMicroelectronics

    		 2,994 -
    Запрос цены
    		STL105N8F7AG Технический лист - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 95A (Tc) 10V 6.5mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±20V 3475 pF @ 25 V - 127W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    SQJQ150E-T1_GE3

    SQJQ150E-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    		 1,960 -
    Запрос цены
    		SQJQ150E-T1_GE3 Технический лист TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 233A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 4643 pF @ 25 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    TK60F10N1L,LXGQ

    TK60F10N1L,LXGQ

    MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 1,750 -
    Запрос цены
    		TK60F10N1L,LXGQ Технический лист U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Ta) 6V, 10V 6.11mOhm @ 30A, 10V 3.5V @ 500µA 60 nC @ 10 V ±20V 4320 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
    R6004JNJGTL

    R6004JNJGTL

    MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

    Rohm Semiconductor

    		 993 -
    Запрос цены
    		R6004JNJGTL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 15V 1.43Ohm @ 2A, 15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 260 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    R6509END3TL1

    R6509END3TL1

    650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    		 4,421 -
    Запрос цены
    		R6509END3TL1 Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Tc) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 230µA 24 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    AUIRF7647S2TR

    AUIRF7647S2TR

    MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    		 3,147 -
    Запрос цены
    		AUIRF7647S2TR Технический лист HEXFET® DirectFET™ Isometric SC Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.9A (Ta), 24A (Tc) 10V 31mOhm @ 14A, 10V 5V @ 50µA 21 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ SC
    IRF830SPBF

    IRF830SPBF

    MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 1,078 -
    Запрос цены
    		IRF830SPBF Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 610 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NTD600N80S3Z

    NTD600N80S3Z

    MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    		 2,543 -
    Запрос цены
    		NTD600N80S3Z Технический лист SuperFET® III TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tj) 10V 600mOhm @ 4A, 10V 3.8V @ 180µA 15.5 nC @ 10 V ±20V 725 pF @ 400 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    SIDR638DP-T1-RE3

    SIDR638DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    		 12,000 -
    Запрос цены
    		SIDR638DP-T1-RE3 Технический лист TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V, -16V 10500 pF @ 20 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    PJMF210N65EC_T0_00601

    PJMF210N65EC_T0_00601

    650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

    Panjit International Inc.

    		 1,978 -
    Запрос цены
    		PJMF210N65EC_T0_00601 Технический лист - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 210mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 1412 pF @ 400 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    Total 36284 Record«Prev1... 161162163164165166167168...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135