TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B AS431ANTR-G1 GRM1555C1H102JA01D GRM155R71E103KA01D LM5066UPMHX/NOPB GRM21BR61C106KE15K TAJE106K050RNJ
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STF15N60M2-EP

    STF15N60M2-EP

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 1,550 -
    Запрос цены
    		STF15N60M2-EP

    Технический лист

         		MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 378mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    R6020YNXC7G

    R6020YNXC7G

    600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN

    Rohm Semiconductor

    		 1,100 -
    Запрос цены
    		R6020YNXC7G

    Технический лист

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V, 12V 200mOhm @ 6A, 10V 6V @ 1.65mA 28 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 100 V - 62W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    FCP190N65S3R0

    FCP190N65S3R0

    MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

    onsemi

    		 535 -
    Запрос цены
    		FCP190N65S3R0

    Технический лист

         		SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 33 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 400 V - 144W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IXTP08N100P

    IXTP08N100P

    MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 247 -
    Запрос цены
    		IXTP08N100P

    Технический лист

         		Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 800mA (Tc) 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 50µA 11.3 nC @ 10 V ±20V 240 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IRFR430ATRPBF

    IRFR430ATRPBF

    MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 1,748 -
    Запрос цены
    		IRFR430ATRPBF

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.7Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    NVTFWS002N04CLTAG

    NVTFWS002N04CLTAG

    MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN

    onsemi

    		 1,490 -
    Запрос цены
    		NVTFWS002N04CLTAG

    Технический лист

         		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 142A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 90µA 49 nC @ 10 V ±20V 2940 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    STD4N62K3

    STD4N62K3

    MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK

    STMicroelectronics

    		 5,423 -
    Запрос цены
    		STD4N62K3

    Технический лист

         		SuperMESH3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 3.8A (Tc) 10V 1.95Ohm @ 1.9A, 10V 4.5V @ 50µA 14 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 50 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK65S04N1L,LQ

    TK65S04N1L,LQ

    MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    		 3,964 -
    Запрос цены
    		TK65S04N1L,LQ

    Технический лист

         		U-MOSVIII-H TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65A (Ta) 10V 4.3mOhm @ 32.5A, 10V 2.5V @ 300µA 39 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 107W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
    IPD038N06N3GATMA1

    IPD038N06N3GATMA1

    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

    Infineon Technologies

    		 2,376 -
    Запрос цены
    		IPD038N06N3GATMA1

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 98 nC @ 10 V ±20V 8000 pF @ 30 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    IPA60R380E6XKSA1

    IPA60R380E6XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP

    Infineon Technologies

    		 150 -
    Запрос цены
    		IPA60R380E6XKSA1

    Технический лист

         		CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.6A (Tc) 10V 380mOhm @ 3.8A, 10V 3.5V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 100 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    RD3G600GNTL

    RD3G600GNTL

    MOSFET N-CH 40V 60A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 2,427 -
    Запрос цены
    		RD3G600GNTL

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 2.5V @ 1mA 46.5 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 20 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    PJMF280N65E1_T0_00001

    PJMF280N65E1_T0_00001

    650V SUPER JUNCITON MOSFET

    Panjit International Inc.

    		 1,998 -
    Запрос цены
    		PJMF280N65E1_T0_00001

    Технический лист

         		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±30V 1040 pF @ 400 V - 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    STB120N4F6

    STB120N4F6

    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

    STMicroelectronics

    		 744 -
    Запрос цены
    		STB120N4F6

    Технический лист

         		DeepGATE™, STripFET™ VI TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 3850 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF9Z30PBF-BE3

    IRF9Z30PBF-BE3

    MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 8,011 -
    Запрос цены
    		IRF9Z30PBF-BE3

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 9.3A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 900 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIRA54ADP-T1-RE3

    SIRA54ADP-T1-RE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    		 6,000 -
    Запрос цены
    		SIRA54ADP-T1-RE3

    Технический лист

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36.2A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V, -16V 3850 pF @ 20 V - 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIJA54ADP-T1-GE3

    SIJA54ADP-T1-GE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    		 5,923 -
    Запрос цены
    		SIJA54ADP-T1-GE3

    Технический лист

         		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35.4A (Ta), 126A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V, -16V 3850 pF @ 20 V - 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMN1R0-25YLDX

    PSMN1R0-25YLDX

    MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 5,901 -
    Запрос цены
    		PSMN1R0-25YLDX

    Технический лист

         		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.89mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 71.8 nC @ 10 V ±20V 5308 pF @ 12 V Schottky Diode (Body) 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IRF9Z24PBF-BE3

    IRF9Z24PBF-BE3

    MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 891 -
    Запрос цены
    		IRF9Z24PBF-BE3

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 11A (Tc) - 280mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    RD3U080AAFRATL

    RD3U080AAFRATL

    250V 8A TO-252, AUTOMOTIVE POWER

    Rohm Semiconductor

    		 3,899 -
    Запрос цены
    		RD3U080AAFRATL

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 8A (Tc) 10V 300mOhm @ 4A, 10V 5V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±30V 1440 pF @ 25 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    RS1E301GNTB1

    RS1E301GNTB1

    MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    		 2,380 -
    Запрос цены
    		RS1E301GNTB1

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 39.8 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    Total 36322 Record«Prev1... 157158159160161162163164...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135