FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
STF13N65M2

STF13N65M2

MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP

STMicroelectronics

1,856 -
STF13N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 430mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IRF820STRRPBF

IRF820STRRPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Vishay Siliconix

1,536 -
IRF820STRRPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.5A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 360 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHP12N50E-GE3

SIHP12N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB

Vishay Siliconix

1,000 -
SIHP12N50E-GE3

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
R6515KNXC7G

R6515KNXC7G

650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

998 -
R6515KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 315mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 430µA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6015KNXC7G

R6015KNXC7G

600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

989 -
R6015KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 27.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
NTMYS5D3N04CTWG

NTMYS5D3N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK

onsemi

2,603 -
NTMYS5D3N04CTWG

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 19A (Ta), 71A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 40µA 16 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
R6004JND3TL1

R6004JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

Rohm Semiconductor

2,495 -
R6004JND3TL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 15V 1.43Ohm @ 2A, 15V 7V @ 450µA 10.5 nC @ 15 V ±30V 260 pF @ 100 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
RS6G100BGTB1

RS6G100BGTB1

NCH 40V 100A, HSOP8, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

2,413 -
RS6G100BGTB1

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 24 nC @ 10 V ±20V 1510 pF @ 20 V - 3W (Ta), 59W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
AOTF266L

AOTF266L

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

108 -
AOTF266L

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 6V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V 3.2V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 5650 pF @ 30 V - 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
STL13N60M6

STL13N60M6

MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV

STMicroelectronics

2,490 -
STL13N60M6

Технический лист

MDmesh™ M6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 415mOhm @ 3.5A, 10V 4.75V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±25V 509 pF @ 100 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
RJK5033DPP-M0#T2

RJK5033DPP-M0#T2

MOSFET N-CH 500V 6A TO220FL

Renesas Electronics Corporation

2,089 -
RJK5033DPP-M0#T2

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Ta) 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V - - ±30V 600 pF @ 25 V - 27.4W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
PJMP390N65EC_T0_00001

PJMP390N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

1,996 -
PJMP390N65EC_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 390mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 726 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
RX3L07BGNC16

RX3L07BGNC16

NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS

Rohm Semiconductor

1,314 -
RX3L07BGNC16

Технический лист

- TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 7.2mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 50µA 55 nC @ 10 V ±20V 2600 pF @ 30 V - 96W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHA12N50E-GE3

SIHA12N50E-GE3

N-CHANNEL 500V

Vishay Siliconix

909 -
SIHA12N50E-GE3

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
AOT14N50

AOT14N50

MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

901 -
AOT14N50

Технический лист

- TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 380mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 2297 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
SI7464DP-T1-GE3

SI7464DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

1,930 -
SI7464DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 1.8A (Ta) 6V, 10V 240mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V - - 1.8W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
PSMN1R9-40YSDX

PSMN1R9-40YSDX

MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

932 -
PSMN1R9-40YSDX

Технический лист

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±20V 6198 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
IPAN60R210PFD7SXKSA1

IPAN60R210PFD7SXKSA1

MOSFET N-CH 650V 16A TO220

Infineon Technologies

781 -
IPAN60R210PFD7SXKSA1

Технический лист

CoolMOS™PFD7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 16A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 25W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
R6035VNXC7G

R6035VNXC7G

600V 17A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

Rohm Semiconductor

746 -
R6035VNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tc) 10V, 15V 114mOhm @ 8A, 15V 6.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 100 V - 81W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

Infineon Technologies

7,406 -
IPD90N06S4L03ATMA2

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 90A, 10V 2.2V @ 90µA 170 nC @ 10 V ±16V 13000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-11
Total 36322 Record«Prev1... 156157158159160161162163...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь