TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы LM5164DDAR AP22653W6-7 ZXSC410E6TA D8V0L1B2LP-7B AS431ANTR-G1 GRM1555C1H102JA01D GRM155R71E103KA01D LM5066UPMHX/NOPB GRM21BR61C106KE15K TAJE106K050RNJ
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PSMN8R7-80BS,118

    PSMN8R7-80BS,118

    MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    		 5,282 -
    Запрос цены
    		PSMN8R7-80BS,118

    Технический лист

         		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 90A (Tc) 10V 8.7mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA 52 nC @ 10 V ±20V 3346 pF @ 40 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    NP75N04YUK-E1-AY

    NP75N04YUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,000 -
    Запрос цены
    		NP75N04YUK-E1-AY

    Технический лист

         		- 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 38A, 10V 4V @ 250µA 87 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 1W (Ta), 138W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
    IRFRC20TRLPBF-BE3

    IRFRC20TRLPBF-BE3

    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

    Vishay Siliconix

    		 4,376 -
    Запрос цены
    		IRFRC20TRLPBF-BE3

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    STP3NK80Z

    STP3NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 973 -
    Запрос цены
    		STP3NK80Z

    Технический лист

         		SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.5A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 4.5V @ 50µA 19 nC @ 10 V ±30V 485 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPP055N08NF2SAKMA1

    IPP055N08NF2SAKMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 139 -
    Запрос цены
    		IPP055N08NF2SAKMA1

    Технический лист

         		StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 18.5A (Ta), 99A (Tc) 6V, 10V 5.5mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 55µA 54 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    SQJA26EP-T1_GE3

    SQJA26EP-T1_GE3

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)

    Vishay Siliconix

    		 2,990 -
    Запрос цены
    		SQJA26EP-T1_GE3

    Технический лист

         		- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 410A (Tc) 4.5V, 10V 0.77mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 9778 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    NTMYS8D0N04CTWG

    NTMYS8D0N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK

    onsemi

    		 8,268 -
    Запрос цены
    		NTMYS8D0N04CTWG

    Технический лист

         		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16A (Ta), 49A (Tc) 10V 8.1mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 30µA 10 nC @ 10 V ±20V 625 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    RJL5014DPP-A0#T2

    RJL5014DPP-A0#T2

    ABU / MOSFET HV

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,158 -
    Запрос цены
    		RJL5014DPP-A0#T2

    Технический лист

         		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Ta) 10V 400mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 43 nC @ 10 V ±30V 1700 pF @ 25 V - 35W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220FN
    SIR516DP-T1-RE3

    SIR516DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

    Vishay Siliconix

    		 5,280 -
    Запрос цены
    		SIR516DP-T1-RE3

    Технический лист

         		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16.8A (Ta), 63.7A (Tc) 7.5V, 10V 8mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 1920 pF @ 50 V - 5W (Ta), 71.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STF6N62K3

    STF6N62K3

    MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 852 -
    Запрос цены
    		STF6N62K3

    Технический лист

         		SuperMESH3™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 620 V 5.5A (Tc) 10V 1.28Ohm @ 2.8A, 10V 4.5V @ 50µA 34 nC @ 10 V ±30V 875 pF @ 50 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    MCAC90N10Y-TP

    MCAC90N10Y-TP

    MOSFET N-CH 100 90A DFN5060

    Micro Commercial Co

    		 9,968 -
    Запрос цены

    -

    		 - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 90A - 5.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 50 V - 120W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    NP90N04VLK-E1-AY

    NP90N04VLK-E1-AY

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,000 -
    Запрос цены
    		NP90N04VLK-E1-AY

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 45A, 10V 2.5V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 147W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
    MCAC95N065Y-TP

    MCAC95N065Y-TP

    MOSFET N-CH 65 95A DFN5060

    Micro Commercial Co

    		 4,895 -
    Запрос цены
    		MCAC95N065Y-TP

    Технический лист

         		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 95A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 5950 pF @ 25 V - 120W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    PSMN2R0-40YLDX

    PSMN2R0-40YLDX

    MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    		 3,215 -
    Запрос цены
    		PSMN2R0-40YLDX

    Технический лист

         		TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 25A, 10V 2.05V @ 1mA 92 nC @ 10 V ±20V 6581 pF @ 20 V Schottky Diode (Body) 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IPB029N06NF2SATMA1

    IPB029N06NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    		 1,613 -
    Запрос цены
    		IPB029N06NF2SATMA1

    Технический лист

         		StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 70A, 10V 3.3V @ 80µA 102 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPD90N06S404ATMA2

    IPD90N06S404ATMA2

    MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31

    Infineon Technologies

    		 8,004 -
    Запрос цены
    		IPD90N06S404ATMA2

    Технический лист

         		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 10V 3.8mOhm @ 90A, 10V 4V @ 90µA 128 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-11
    AOD360A70

    AOD360A70

    MOSFET N-CH 700V 12A TO252

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    		 5,089 -
    Запрос цены
    		AOD360A70

    Технический лист

         		aMOS5™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 12A (Tc) 10V 360mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 100 V - 138W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    STF3N80K5

    STF3N80K5

    MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 1,218 -
    Запрос цены
    		STF3N80K5

    Технический лист

         		SuperMESH5™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.5A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 9.5 nC @ 10 V ±30V 130 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    R6509KND3TL1

    R6509KND3TL1

    HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9

    Rohm Semiconductor

    		 2,390 -
    Запрос цены
    		R6509KND3TL1

    Технический лист

         		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Tc) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 230µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IRFB11N50APBF-BE3

    IRFB11N50APBF-BE3

    MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 2,187 -
    Запрос цены
    		IRFB11N50APBF-BE3

    Технический лист

         		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    Total 36322 Record«Prev1... 155156157158159160161162...1817Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135