FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFB7734PBF

IRFB7734PBF

MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB

Infineon Technologies

6,364 -
IRFB7734PBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 183A (Tc) 6V, 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 10150 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
R6511KNXC7G

R6511KNXC7G

650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

3,984 -
R6511KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Ta) 10V 400mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 320µA 22 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 53W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6507END3TL1

R6507END3TL1

650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

2,375 -
R6507END3TL1

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 665mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 200µA 20 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 78W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Vishay Siliconix

2,006 -
SI4465ADY-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 13.7A (Ta), 20A (Tc) 1.8V, 4.5V 9mOhm @ 14A, 4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V - - 3W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

261 -
SIR438DP-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 4560 pF @ 10 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
STP5NK50ZFP

STP5NK50ZFP

MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP

STMicroelectronics

839 -
STP5NK50ZFP

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.4A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 50µA 28 nC @ 10 V ±30V 535 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
R6011KNX

R6011KNX

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Rohm Semiconductor

376 -
R6011KNX

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 53W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IAUA120N04S5N014AUMA1

IAUA120N04S5N014AUMA1

MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5

Infineon Technologies

3,965 -
IAUA120N04S5N014AUMA1

Технический лист

OptiMOS™ 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 7V, 10V 1.4mOhm @ 60A, 10V 3.4V @ 60µA 82 nC @ 10 V ±20V 4828 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-2
NTMYS011N04CTWG

NTMYS011N04CTWG

MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK

onsemi

1,602 -
NTMYS011N04CTWG

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 13A (Ta), 35A (Tc) 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 20µA 7.9 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
RS1G260MNTB

RS1G260MNTB

MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Rohm Semiconductor

2,288 -
RS1G260MNTB

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 26A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 26A, 10V 2.5V @ 1mA 44 nC @ 10 V ±20V 2988 pF @ 20 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
SIHB21N80AE-GE3

SIHB21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK

Vishay Siliconix

905 -
SIHB21N80AE-GE3

Технический лист

E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17.4A (Tc) 10V 235mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 1388 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

5,905 -
SI7108DN-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 22A, 10V 2V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±16V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
RSS070N05HZGTB

RSS070N05HZGTB

AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF

Rohm Semiconductor

2,148 -
RSS070N05HZGTB

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 7A (Ta) 4V, 10V 25mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nC @ 5 V ±20V 1000 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
IXTY44N10T

IXTY44N10T

MOSFET N-CH 100V 44A TO252

Littelfuse Inc.

298 -
IXTY44N10T

Технический лист

Trench TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 44A (Tc) 10V 30mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 25µA 33 nC @ 10 V ±30V 1262 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
RJK0652DPB-00#J5

RJK0652DPB-00#J5

MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
RJK0652DPB-00#J5

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 17.5A, 10V - 29 nC @ 4.5 V ±20V 4100 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Infineon Technologies

4,996 -
IPB100N04S4H2ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 70µA 90 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
STF13N60DM2

STF13N60DM2

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

STMicroelectronics

293 -
STF13N60DM2

Технический лист

MDmesh™ DM2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 365mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 730 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
STP4NK80Z

STP4NK80Z

MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB

STMicroelectronics

928 -
STP4NK80Z

Технический лист

SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 50µA 22.5 nC @ 10 V ±30V 575 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
MCB200N06YA-TP

MCB200N06YA-TP

N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

Micro Commercial Co

400 -
MCB200N06YA-TP

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200A 6V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 4165 pF @ 25 V - 260W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NP75N04YUG-E1-AY

NP75N04YUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
NP75N04YUG-E1-AY

Технический лист

- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 4.8mOhm @ 37.5A, 10V 4V @ 250µA 116 nC @ 10 V ±20V 6450 pF @ 25 V - 1W (Ta), 138W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSON
Total 36322 Record«Prev1... 158159160161162163164165...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь