TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
RJK6014DPP-E0#T2

RJK6014DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP

Renesas Electronics Corporation

6,263 -
RJK6014DPP-E0#T2

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Ta) 10V 575mOhm @ 8A, 10V - 45 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 25 V - 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
RJK6015DPK-00#T0

RJK6015DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 21A TO3P

Renesas Electronics Corporation

9,069 -
RJK6015DPK-00#T0

Технический лист

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Ta) 10V 360mOhm @ 10.5A, 10V - 67 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJK6015DPM-00#T1

RJK6015DPM-00#T1

MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

Renesas Electronics Corporation

8,554 -
RJK6015DPM-00#T1

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Ta) 10V 360mOhm @ 10.5A, 10V - 67 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RJK6018DPK-00#T0

RJK6018DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

Renesas Electronics Corporation

5,563 -
RJK6018DPK-00#T0

Технический лист

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Ta) 10V 235mOhm @ 15A, 10V - 92 nC @ 10 V ±30V 4100 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJK6018DPM-00#T1

RJK6018DPM-00#T1

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM

Renesas Electronics Corporation

8,156 -
RJK6018DPM-00#T1

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Ta) 10V 235mOhm @ 15A, 10V - 92 nC @ 10 V ±30V 4100 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PFM
RJK6020DPK-00#T0

RJK6020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 32A TO3P

Renesas Electronics Corporation

6,091 -
RJK6020DPK-00#T0

Технический лист

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 32A (Ta) 10V 175mOhm @ 16A, 10V - 121 nC @ 10 V ±30V 5150 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJK6032DPH-E0#T2

RJK6032DPH-E0#T2

MOSFET N-CH 600V 3A TO251

Renesas Electronics Corporation

3,988 -
RJK6032DPH-E0#T2

Технический лист

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3A (Ta) 10V 4.3Ohm @ 1.5A, 10V - 9 nC @ 10 V ±30V 285 pF @ 25 V - 40.3W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251
RJL5012DPE-00#J3

RJL5012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK

Renesas Electronics Corporation

7,665 -
RJL5012DPE-00#J3

Технический лист

- SC-83 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V - 27.8 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
RJL5012DPP-M0#T2

RJL5012DPP-M0#T2

MOSFET N-CH 500V 12A TO220FL

Renesas Electronics Corporation

8,365 -
RJL5012DPP-M0#T2

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 12A (Ta) 10V 700mOhm @ 6A, 10V - 27.8 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FL
RJL5014DPK-00#T0

RJL5014DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 19A TO3P

Renesas Electronics Corporation

8,827 -
RJL5014DPK-00#T0

Технический лист

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Ta) 10V 400mOhm @ 9.5A, 10V - 43 nC @ 10 V ±30V 1700 pF @ 25 V - 150W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJL5020DPK-00#T0

RJL5020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 38A TO3P

Renesas Electronics Corporation

9,043 -
RJL5020DPK-00#T0

Технический лист

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 38A (Ta) 10V 135mOhm @ 19A, 10V - 140 nC @ 10 V ±30V 4750 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK

Renesas Electronics Corporation

8,732 -

-

- SC-83 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V - 28 nC @ 10 V ±30V 1050 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LDPAK
RJL6018DPK-00#T0

RJL6018DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 27A TO3P

Renesas Electronics Corporation

6,534 -

-

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Ta) 10V 265mOhm @ 13.5A, 10V - 98 nC @ 10 V ±30V 3830 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
RJL6020DPK-00#T0

RJL6020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

Renesas Electronics Corporation

4,473 -
RJL6020DPK-00#T0

Технический лист

- TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Ta) 10V 210mOhm @ 15A, 10V - 130 nC @ 10 V ±30V 4750 pF @ 25 V - 200W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
UPA2735GR-E1-AT

UPA2735GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 16A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

8,763 -
UPA2735GR-E1-AT

Технический лист

- 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 16A (Ta) 4.5V, 10V 5mOhm @ 16A, 10V - 195 nC @ 10 V ±20V 6250 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2736GR-E1-AT

UPA2736GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

4,396 -
UPA2736GR-E1-AT

Технический лист

- 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2737GR-E1-AT

UPA2737GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

9,694 -
UPA2737GR-E1-AT

Технический лист

- 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 11A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11A, 10V - 45 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2738GR-E1-AT

UPA2738GR-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

9,283 -
UPA2738GR-E1-AT

Технический лист

- 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 10A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V - 37 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 10 V - 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
UPA2812T1L-E2-AT

UPA2812T1L-E2-AT

MOSFET P-CH 30V 30A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

7,333 -
UPA2812T1L-E2-AT

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 30A, 10V - 100 nC @ 10 V ±20V 3740 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
UPA2813T1L-E2-AT

UPA2813T1L-E2-AT

MOSFET P-CH 30V 27A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

6,815 -
UPA2813T1L-E2-AT

Технический лист

- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 27A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 27A, 10V - 80 nC @ 10 V ±20V 3130 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь