TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
SK8603190L

SK8603190L

MOSFET N-CH 30V 12A/19A 8HSO

Panasonic Electronic Components

4,273 -

-

- 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta), 19A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 8A, 10V 3V @ 1.01mA 6.3 nC @ 4.5 V ±20V 1092 pF @ 10 V - 2.7W (Ta), 19W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount HSO8-F4-B
SCT2120AFC

SCT2120AFC

SICFET N-CH 650V 29A TO220AB

Rohm Semiconductor

2,037 -
SCT2120AFC

Технический лист

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) 18V 156mOhm @ 10A, 18V 4V @ 3.3mA 61 nC @ 18 V +22V, -6V 1200 pF @ 500 V - 165W (Tc) 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IRFH4213TRPBF

IRFH4213TRPBF

MOSFET N-CH 25V 41A PQFN

Infineon Technologies

3,365 -
IRFH4213TRPBF

Технический лист

HEXFET® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 41A (Ta) 4.5V, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 100µA 54 nC @ 10 V ±20V 3420 pF @ 13 V - 3.6W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PQFN (5x6)
IRFHM4226TRPBF

IRFHM4226TRPBF

MOSFET N CH 25V 28A PQFN

Infineon Technologies

8,716 -
IRFHM4226TRPBF

Технический лист

HEXFET® 8-TQFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 28A (Ta) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 50µA 32 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 13 V - 2.7W (Ta), 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount -
TK8A10K3,S5Q

TK8A10K3,S5Q

MOSFET N-CH 100V 8A TO220SIS

Toshiba Semiconductor and Storage

7,485 -
TK8A10K3,S5Q

Технический лист

U-MOSIV TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8A (Ta) 10V 120mOhm @ 4A, 10V 4V @ 1mA 12.9 nC @ 10 V ±20V 530 pF @ 10 V - 18W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220SIS
HUF76629D3ST-F085

HUF76629D3ST-F085

MOSFET N-CH 100V 20A TO252

onsemi

9,278 -
HUF76629D3ST-F085

Технический лист

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Tc) 4.5V, 10V 52mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 43 nC @ 10 V ±16V 1280 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
HUF76419S3ST-F085

HUF76419S3ST-F085

MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK

onsemi

5,935 -

-

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Tc) 10V 35mOhm @ 29A, 10V 3V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±16V 870 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
FDPF035N06B-F152

FDPF035N06B-F152

MOSFET N-CH 60V 88A TO-220F

onsemi

7,843 -
FDPF035N06B-F152

Технический лист

PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 88A (Tc) - 3.5mOhm @ 88A, 10V 4V @ 250µA 99 nC @ 10 V - 8030 pF @ 30 V - 46.3W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
FCPF190N60-F152

FCPF190N60-F152

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

onsemi

3,409 -
FCPF190N60-F152

Технический лист

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 199mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IPD60R600P6

IPD60R600P6

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

Infineon Technologies

7,517 -
IPD60R600P6

Технический лист

CoolMOS™ P6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.3A (Tc) 10V 600mOhm @ 2.4A, 10V - 12 nC @ 10 V ±20V 557 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
ZXMP3F35N8TA

ZXMP3F35N8TA

MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

Diodes Incorporated

9,360 -
ZXMP3F35N8TA

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 9.3A (Ta) 4.5V, 10V 12mOhm @ 12A, 10V 2.6V @ 250µA 77.1 nC @ 10 V ±20V 4600 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
ZXMP3F36N8TA

ZXMP3F36N8TA

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO

Diodes Incorporated

6,249 -
ZXMP3F36N8TA

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7.2A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 43.9 nC @ 15 V ±20V 2265 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
ZXMP3F37N8TA

ZXMP3F37N8TA

MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SO

Diodes Incorporated

9,165 -
ZXMP3F37N8TA

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 6.4A (Ta) 4.5V, 10V 25mOhm @ 7.1A, 10V 2.5V @ 250µA 31.6 nC @ 10 V ±20V 1678 pF @ 15 V - 1.56W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
APTC90DAM60T1G

APTC90DAM60T1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Microsemi Corporation

9,077 -

-

CoolMOS™ SP1 Tray Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 59A (Tc) 10V 60mOhm @ 52A, 10V 3.5V @ 6mA 540 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 100 V - 462W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
HN4K03JUTE85LF

HN4K03JUTE85LF

MOSFET N-CH 20V 100MA USV

Toshiba Semiconductor and Storage

7,892 -

-

- 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 100mA (Ta) 2.5V 12Ohm @ 10mA, 2.5V - - 10V 8.5 pF @ 3 V - 200mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-SSOP
SSM3K01T(TE85L,F)

SSM3K01T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

Toshiba Semiconductor and Storage

2,228 -

-

π-MOSVI TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 3.2A (Ta) 2.5V, 4V 120mOhm @ 1.6A, 4V - - ±10V 152 pF @ 10 V - 1.25W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSM
APT38N60SC6

APT38N60SC6

MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Microsemi Corporation

9,464 -
APT38N60SC6

Технический лист

CoolMOS™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V 99mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 112 nC @ 10 V ±20V 2826 pF @ 25 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D3PAK
APT33N90JCCU2

APT33N90JCCU2

MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Microsemi Corporation

6,636 -

-

- SOT-227-4, miniBLOC Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 33A (Tc) 10V 120mOhm @ 26A, 10V 3.5V @ 3mA 270 nC @ 10 V ±20V 6800 pF @ 100 V - 290W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SOT-227
APTC90DAM60CT1G

APTC90DAM60CT1G

MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Microsemi Corporation

2,790 -

-

CoolMOS™ SP1 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 59A (Tc) 10V 60mOhm @ 52A, 10V 3.5V @ 6mA 540 nC @ 10 V ±20V 13600 pF @ 100 V - 462W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount SP1
APT12067B2LLG

APT12067B2LLG

MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX

Microsemi Corporation

8,041 -
APT12067B2LLG

Технический лист

POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 18A (Tc) 10V 670mOhm @ 9A, 10V 5V @ 2.5mA 150 nC @ 10 V ±30V 4420 pF @ 25 V - 565W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole T-MAX™ [B2]
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь