TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
UPA2821T1L-E1-AT

UPA2821T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

2,075 -
UPA2821T1L-E1-AT

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 26A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 26A, 10V - 51 nC @ 10 V ±20V 2490 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
UPA2822T1L-E1-AT

UPA2822T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON

Renesas Electronics Corporation

3,934 -
UPA2822T1L-E1-AT

Технический лист

- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 34A (Tc) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 34A, 10V - 83 nC @ 10 V ±20V 4660 pF @ 10 V - 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

MOSFET N-CH 650V 4A ITO220AB

Diodes Incorporated

3,443 -
DMG4N65CTI

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4A (Tc) 10V 3Ohm @ 2A, 10V 5V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 25 V - 8.35W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

3,415 -
SIA439EDJ-T1-GE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 28A (Tc) 1.8V, 4.5V 16.5mOhm @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA 69 nC @ 8 V ±8V 2410 pF @ 10 V - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
EPC2018

EPC2018

GANFET N-CH 150V 12A DIE

EPC

4,747 -
EPC2018

Технический лист

eGaN® Die Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 150 V 12A (Ta) 5V 25mOhm @ 6A, 5V 2.5V @ 3mA 7.5 nC @ 5 V +6V, -5V 540 pF @ 100 V - - -40°C ~ 125°C (TJ) - - Surface Mount Die
AUIRFS8408-7TRR

AUIRFS8408-7TRR

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

3,489 -
AUIRFS8408-7TRR

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 10250 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-900
AUIRFS8405TRL

AUIRFS8405TRL

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Infineon Technologies

9,205 -
AUIRFS8405TRL

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFSL8405

AUIRFSL8405

MOSFET N-CH 40V 120A TO262

Infineon Technologies

9,560 -
AUIRFSL8405

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUIRFU8403

AUIRFU8403

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

Infineon Technologies

2,184 -
AUIRFU8403

Технический лист

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 76A, 10V 3.9V @ 100µA 99 nC @ 10 V ±20V 3171 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
AUIRFS8403

AUIRFS8403

MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK

Infineon Technologies

4,240 -
AUIRFS8403

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 123A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 3.9V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±20V 3183 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFSL8403

AUIRFSL8403

MOSFET N-CH 40V 123A TO262

Infineon Technologies

4,648 -
AUIRFSL8403

Технический лист

HEXFET® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 123A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V 3.9V @ 100µA 93 nC @ 10 V ±20V 3183 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
AUIRFS8405

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Infineon Technologies

8,521 -
AUIRFS8405

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 100µA 161 nC @ 10 V ±20V 5193 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFS8407

AUIRFS8407

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,661 -
AUIRFS8407

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7330 pF @ 25 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFS8408

AUIRFS8408

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

9,745 -
AUIRFS8408

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 324 nC @ 10 V ±20V 10820 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AUIRFS8408-7P

AUIRFS8408-7P

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

Infineon Technologies

6,741 -
AUIRFS8408-7P

Технический лист

HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 nC @ 10 V ±20V 10250 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-900
AUIRFS8409

AUIRFS8409

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,470 -
AUIRFS8409

Технический лист

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 195A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 nC @ 10 V ±20V 14240 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
AUIRFR8401

AUIRFR8401

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Infineon Technologies

6,127 -
AUIRFR8401

Технический лист

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
AUIRFU8405

AUIRFU8405

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

Infineon Technologies

5,228 -
AUIRFU8405

Технический лист

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 1.98mOhm @ 90A, 10V 3.9V @ 100µA 155 nC @ 10 V ±20V 5171 pF @ 25 V - 163W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
AUIRFU8401

AUIRFU8401

MOSFET N-CH 40V 100A IPAK

Infineon Technologies

5,759 -
AUIRFU8401

Технический лист

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 4.25mOhm @ 60A, 10V 3.9V @ 500µA 63 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole IPAK
SK8603180L

SK8603180L

MOSFET N-CH 30V 15A/39A 8HSO

Panasonic Electronic Components

3,110 -

-

- 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 15A (Ta), 39A (Tc) 4.5V, 10V 7.1mOhm @ 10A, 10V 3V @ 1.45mA 9.2 nC @ 4.5 V ±20V 1680 pF @ 10 V - 2.4W (Ta), 19W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount HSO8-F4-B
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь