TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRFS11N50ATRLP

IRFS11N50ATRLP

MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB

Vishay Siliconix

325 -
IRFS11N50ATRLP

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
RS1P600BHTB1

RS1P600BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

2,425 -
RS1P600BHTB1

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 6V, 10V 8.8mOhm @ 18A, 10V 4V @ 1mA 64 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 50 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

4,812 -
TK20V60W5,LVQ

Технический лист

DTMOSIV 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 300 V - 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
PJMD360N60EC_L2_00001

PJMD360N60EC_L2_00001

600V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

5,985 -
PJMD360N60EC_L2_00001

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V 735 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
NVMJST1D3N04CTXG

NVMJST1D3N04CTXG

TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

onsemi

2,955 -
NVMJST1D3N04CTXG

Технический лист

- 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 386A (Tc) 10V 1.39mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 170µA 65 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
IPBE65R230CFD7AATMA1

IPBE65R230CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7

Infineon Technologies

1,931 -
IPBE65R230CFD7AATMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7A TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 230mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 260µA 23 nC @ 10 V ±20V 1044 pF @ 400 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3-10
NVMFS5C638NLWFT1G

NVMFS5C638NLWFT1G

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

onsemi

1,322 -
NVMFS5C638NLWFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2880 pF @ 25 V - 4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
SIHG15N80AE-GE3

SIHG15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC

Vishay Siliconix

400 -
SIHG15N80AE-GE3

Технический лист

E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
BUK7S1R5-40HJ

BUK7S1R5-40HJ

MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88

Nexperia USA Inc.

1,956 -
BUK7S1R5-40HJ

Технический лист

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 260A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 93 nC @ 10 V +20V, -10V 6712 pF @ 25 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
IPB024N08NF2SATMA1

IPB024N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

Infineon Technologies

604 -
IPB024N08NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 107A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 85µA 133 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

482 -
R6530ENZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6530KNZ4C13

R6530KNZ4C13

650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

Rohm Semiconductor

353 -
R6530KNZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IPP65R155CFD7XKSA1

IPP65R155CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

157 -
IPP65R155CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 155mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1283 pF @ 400 V - 77W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
IRFS7534TRLPBF

IRFS7534TRLPBF

MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

Infineon Technologies

2,332 -
IRFS7534TRLPBF

Технический лист

HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 195A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 279 nC @ 10 V ±20V 10034 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
STH145N8F7-2AG

STH145N8F7-2AG

MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2

STMicroelectronics

1,520 -
STH145N8F7-2AG

Технический лист

STripFET™ F7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 90A (Tc) 10V 4mOhm @ 45A, 10V 4.5V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±20V 6340 pF @ 40 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-2
STL320N4LF8

STL320N4LF8

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V

STMicroelectronics

5,965 -
STL320N4LF8

Технический лист

- 8-PowerDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
CSD16401Q5T

CSD16401Q5T

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Texas Instruments

520 -
CSD16401Q5T

Технический лист

NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 40A, 10V 1.9V @ 250µA 29 nC @ 4.5 V +16V, -12V 4100 pF @ 12.5 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
SIHG15N80AEF-GE3

SIHG15N80AEF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

438 -
SIHG15N80AEF-GE3

Технический лист

EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 1128 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
RCX450N20

RCX450N20

MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM

Rohm Semiconductor

425 -
RCX450N20

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 45A (Tc) 10V 55mOhm @ 22.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4200 pF @ 25 V - 2.23W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IPW60R180P7XKSA1

IPW60R180P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3

Infineon Technologies

178 -
IPW60R180P7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ P7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 280µA 25 nC @ 10 V ±20V 1081 pF @ 400 V - 72W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
Total 36322 Record«Prev1... 175176177178179180181182...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь