TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
R6530KNXC7G

R6530KNXC7G

650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

884 -
R6530KNXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6530ENXC7G

R6530ENXC7G

650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

713 -
R6530ENXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
NTPF450N80S3Z

NTPF450N80S3Z

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

onsemi

928 -
NTPF450N80S3Z Технический лист SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tj) - 450mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 240µA 19.3 nC @ 10 V ±20V 885 pF @ 400 V - 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
RSJ301N10TL

RSJ301N10TL

NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3

Rohm Semiconductor

466 -
RSJ301N10TL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 30A (Ta) 4V, 10V 46mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 50W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
R6004PND3FRATL

R6004PND3FRATL

MOSFET N-CH 600V 4A TO252

Rohm Semiconductor

4,512 -
R6004PND3FRATL Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 1mA 11 nC @ 10 V ±25V 280 pF @ 25 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
STB85NF55T4

STB85NF55T4

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

STMicroelectronics

487 -
STB85NF55T4 Технический лист STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 8mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
NTMFS006N12MCT1G

NTMFS006N12MCT1G

POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN

onsemi

19,500 -
NTMFS006N12MCT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 15A (Ta), 93A (Tc) 6V, 10V 6mOhm @ 46A, 10V 4V @ 260µA 42 nC @ 10 V ±20V 3365 pF @ 60 V - 2.7W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Infineon Technologies

1,573 -
IPB180N04S4H0ATMA1 Технический лист OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 180µA 225 nC @ 10 V ±20V 17940 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
IRFS11N50ATRLP

IRFS11N50ATRLP

MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB

Vishay Siliconix

325 -
IRFS11N50ATRLP Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 520mOhm @ 6.6A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
RS1P600BHTB1

RS1P600BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

2,425 -
RS1P600BHTB1 Технический лист - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 6V, 10V 8.8mOhm @ 18A, 10V 4V @ 1mA 64 nC @ 10 V ±20V 4080 pF @ 50 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
TK20V60W5,LVQ

TK20V60W5,LVQ

MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

4,812 -
TK20V60W5,LVQ Технический лист DTMOSIV 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 1mA 55 nC @ 10 V ±30V 1800 pF @ 300 V - 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
PJMD360N60EC_L2_00001

PJMD360N60EC_L2_00001

600V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

5,985 -
PJMD360N60EC_L2_00001 Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V 735 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
NVMJST1D3N04CTXG

NVMJST1D3N04CTXG

TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

onsemi

2,955 -
NVMJST1D3N04CTXG Технический лист - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 386A (Tc) 10V 1.39mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 170µA 65 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 25 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
IPBE65R230CFD7AATMA1

IPBE65R230CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7

Infineon Technologies

1,931 -
IPBE65R230CFD7AATMA1 Технический лист CoolMOS™ CFD7A TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 230mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 260µA 23 nC @ 10 V ±20V 1044 pF @ 400 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3-10
NVMFS5C638NLWFT1G

NVMFS5C638NLWFT1G

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN

onsemi

1,322 -
NVMFS5C638NLWFT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2880 pF @ 25 V - 4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
SIHG15N80AE-GE3

SIHG15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 13A TO247AC

Vishay Siliconix

400 -
SIHG15N80AE-GE3 Технический лист E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 13A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
BUK7S1R5-40HJ

BUK7S1R5-40HJ

MOSFET N-CH 40V 260A LFPAK88

Nexperia USA Inc.

1,956 -
BUK7S1R5-40HJ Технический лист - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 260A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 93 nC @ 10 V +20V, -10V 6712 pF @ 25 V - 242W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
IPB024N08NF2SATMA1

IPB024N08NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

Infineon Technologies

604 -
IPB024N08NF2SATMA1 Технический лист StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 107A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 85µA 133 nC @ 10 V ±20V 6200 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
R6530ENZ4C13

R6530ENZ4C13

650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

482 -
R6530ENZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6530KNZ4C13

R6530KNZ4C13

650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

Rohm Semiconductor

353 -
R6530KNZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 305W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
Total 36284 Record«Prev1... 174175176177178179180181...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь