TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STP150NF04

    STP150NF04

    MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 431 -
    Запрос цены
    		STP150NF04 Технический лист STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 7mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 3650 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    R6011END3TL1

    R6011END3TL1

    MOSFET N-CH 600V 11A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 300 -
    Запрос цены
    		R6011END3TL1 Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 124W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    RD3P08BBDTL

    RD3P08BBDTL

    MOSFET N-CH 100V 80A TO252

    Rohm Semiconductor

    		 9,410 -
    Запрос цены
    		RD3P08BBDTL Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Tc) 6V, 10V 11.6mOhm @ 80A, 10V 4V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±20V 1940 pF @ 50 V - 119W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IAUT165N08S5N029ATMA2

    IAUT165N08S5N029ATMA2

    MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF

    Infineon Technologies

    		 1,980 -
    Запрос цены
    		IAUT165N08S5N029ATMA2 Технический лист OptiMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 165A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 108µA 90 nC @ 10 V ±20V 6370 pF @ 40 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
    STF10LN80K5

    STF10LN80K5

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 799 -
    Запрос цены
    		STF10LN80K5 Технический лист MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRFBC30APBF

    IRFBC30APBF

    MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 906 -
    Запрос цены
    		IRFBC30APBF Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TSM019NH04CR RLG

    TSM019NH04CR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 5,000 -
    Запрос цены
    		TSM019NH04CR RLG Технический лист PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 100A (Tc) 7V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 3.6V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 6029 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    TSM019NH04LCR RLG

    TSM019NH04LCR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    		 4,965 -
    Запрос цены
    		TSM019NH04LCR RLG Технический лист PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±16V 6282 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    STD5N95K3

    STD5N95K3

    MOSFET N-CH 950V 4A DPAK

    STMicroelectronics

    		 2,485 -
    Запрос цены
    		STD5N95K3 Технический лист SuperMESH3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 4A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 19 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SIHP22N60AE-BE3

    SIHP22N60AE-BE3

    N-CHANNEL 600V

    Vishay Siliconix

    		 1,944 -
    Запрос цены
    		SIHP22N60AE-BE3 Технический лист E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V 1451 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPF039N08NF2SATMA1

    IPF039N08NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7

    Infineon Technologies

    		 682 -
    Запрос цены
    		IPF039N08NF2SATMA1 Технический лист StrongIRFET™ 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 126A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 85µA 81 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-14
    IPB80N04S2H4ATMA2

    IPB80N04S2H4ATMA2

    MOSFET N-CHANNEL_30/40V

    Infineon Technologies

    		 602 -
    Запрос цены
    		IPB80N04S2H4ATMA2 Технический лист CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 148 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    STF12N65M5

    STF12N65M5

    MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 128 -
    Запрос цены
    		STF12N65M5 Технический лист MDmesh™ V TO-220-5 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.5A (Tc) 10V 430mOhm @ 4.3A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±25V 900 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF640STRRPBF

    IRF640STRRPBF

    MOSFET N-CH 200V 18A TO263

    Vishay Siliconix

    		 1,458 -
    Запрос цены
    		IRF640STRRPBF Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6009ENXC7G

    R6009ENXC7G

    600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

    Rohm Semiconductor

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		R6009ENXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Ta) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IRFZ48PBF

    IRFZ48PBF

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 978 -
    Запрос цены
    		IRFZ48PBF Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFZ48RPBF

    IRFZ48RPBF

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    		 948 -
    Запрос цены
    		IRFZ48RPBF Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF740ALPBF

    IRF740ALPBF

    MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

    Vishay Siliconix

    		 615 -
    Запрос цены
    		IRF740ALPBF Технический лист - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRF740ASTRLPBF

    IRF740ASTRLPBF

    MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 550 -
    Запрос цены
    		IRF740ASTRLPBF Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6009KNXC7G

    R6009KNXC7G

    600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

    Rohm Semiconductor

    		 547 -
    Запрос цены
    		R6009KNXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Ta) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 1mA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    Total 36284 Record«Prev1... 172173174175176177178179...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135