TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NTMFS0D7N03CGT1G

NTMFS0D7N03CGT1G

MOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN

onsemi

998 -
NTMFS0D7N03CGT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 59A (Ta), 409A (Tc) 10V 0.65mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 280µA 147 nC @ 10 V ±20V 12300 pF @ 15 V - 4W (Ta), 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IRFZ44RPBF-BE3

IRFZ44RPBF-BE3

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

Vishay Siliconix

254 -
IRFZ44RPBF-BE3 Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) - 28mOhm @ 31A, 10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V 1900 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
PSMN5R5-100YSFX

PSMN5R5-100YSFX

PSMN5R5-100YSF/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

1,222 -
PSMN5R5-100YSFX Технический лист - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 115A (Tc) 7V, 10V 5.5mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 6238 pF @ 50 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
FDB088N08

FDB088N08

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

onsemi

320 -
FDB088N08 Технический лист PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 8.8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 118 nC @ 10 V ±20V 6595 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
RRH140P03TB1

RRH140P03TB1

MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

Rohm Semiconductor

13,283 -
RRH140P03TB1 Технический лист - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 1mA 80 nC @ 5 V ±20V 8000 pF @ 10 V - 650mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
FCPF250N65S3R0L-F154

FCPF250N65S3R0L-F154

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

1,835 -
FCPF250N65S3R0L-F154 Технический лист SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tj) 10V 250mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 290µA 24 nC @ 10 V ±30V 1010 pF @ 400 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
SIHP17N80AE-GE3

SIHP17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

Vishay Siliconix

899 -
SIHP17N80AE-GE3 Технический лист E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
R6511END3TL1

R6511END3TL1

650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

767 -
R6511END3TL1 Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 124W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
R6007JNJGTL

R6007JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

Rohm Semiconductor

1,080 -
R6007JNJGTL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 15V 780mOhm @ 3.5A, 15V 7V @ 1mA 17.5 nC @ 15 V ±30V 475 pF @ 100 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
RJK1003DPP-A0#T2

RJK1003DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA

Renesas Electronics Corporation

9,463 -
RJK1003DPP-A0#T2 Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Ta) 10V 11mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 4150 pF @ 10 V - 25W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220ABA
IQE030N06NM5CGATMA1

IQE030N06NM5CGATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9

Infineon Technologies

4,920 -
IQE030N06NM5CGATMA1 Технический лист OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 3.3V @ 50µA 49 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-1
NVMJST1D6N04CTXG

NVMJST1D6N04CTXG

TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

onsemi

2,780 -
NVMJST1D6N04CTXG Технический лист - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 314A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 130µA 47 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
DMTH41M2SPS-13

DMTH41M2SPS-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

Diodes Incorporated

2,190 -
DMTH41M2SPS-13 Технический лист - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 225A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V 11085 pF @ 20 V - 3.4W (Ta), 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
AOTF380A60L

AOTF380A60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

2,000 -
AOTF380A60L Технический лист aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 955 pF @ 100 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
AOB190A60CL

AOB190A60CL

MOSFET N-CH 600V 20A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

1,725 -
AOB190A60CL Технический лист aMOS5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.6V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 1935 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
NVMFS5C628NLT1G

NVMFS5C628NLT1G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

1,388 -
NVMFS5C628NLT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
AOTF20S60L

AOTF20S60L

MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

971 -
AOTF20S60L Технический лист aMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 199mOhm @ 10A, 10V 4.1V @ 250µA 19.8 nC @ 10 V ±30V 1038 pF @ 100 V - 37.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Infineon Technologies

958 -
IPB180N04S401ATMA1 Технический лист OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 4V @ 140µA 176 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
IRFBE30LPBF

IRFBE30LPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

Vishay Siliconix

988 -
IRFBE30LPBF Технический лист - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
IXTA60N10T-TRL

IXTA60N10T-TRL

MOSFET N-CH 100V 60A TO263

Littelfuse Inc.

758 -
IXTA60N10T-TRL Технический лист Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 18mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 50µA 49 nC @ 10 V ±20V 2650 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Total 36284 Record«Prev1... 169170171172173174175176...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь