TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
R6009JND3TL1

R6009JND3TL1

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

Rohm Semiconductor

2,450 -
R6009JND3TL1 Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 15V 585mOhm @ 4.5A, 15V 7V @ 1.38mA 22 nC @ 15 V ±30V 645 pF @ 100 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
STL18N60M2

STL18N60M2

MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV

STMicroelectronics

1,925 -
STL18N60M2 Технический лист MDmesh™ II Plus 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 308mOhm @ 4.5A, 10V 4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±25V 791 pF @ 100 V - 57W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
R6020ENXC7G

R6020ENXC7G

600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

950 -
R6020ENXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 68W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IPA60R125CFD7XKSA1

IPA60R125CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Infineon Technologies

729 -
IPA60R125CFD7XKSA1 Технический лист OptiMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 125mOhm @ 7.8A, 10V 4.5V @ 390µA 36 nC @ 10 V ±20V 1503 pF @ 400 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
R6530KNZC17

R6530KNZC17

MOSFET N-CH 650V 30A TO3

Rohm Semiconductor

300 -
R6530KNZC17 Технический лист - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
R6530ENZC17

R6530ENZC17

MOSFET N-CH 650V 30A TO3

Rohm Semiconductor

300 -
R6530ENZC17 Технический лист - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
RSS095N05HZGTB

RSS095N05HZGTB

NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09

Rohm Semiconductor

2,250 -
RSS095N05HZGTB Технический лист - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 9.5A (Ta) 4V, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V 2.5V @ 1mA 26.5 nC @ 5 V ±20V 1830 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
PJMF390N65EC_T0_00001

PJMF390N65EC_T0_00001

650V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

1,785 -
PJMF390N65EC_T0_00001 Технический лист - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 390mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 726 pF @ 400 V - 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
STP12NK30Z

STP12NK30Z

MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB

STMicroelectronics

1,490 -
STP12NK30Z Технический лист SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 50µA 35 nC @ 10 V ±30V 670 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NVMFS4C302NT1G

NVMFS4C302NT1G

MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

onsemi

1,455 -
NVMFS4C302NT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 43A (Ta), 241A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 5780 pF @ 15 V - 3.75W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
N0436N-ZK-E1-AY

N0436N-ZK-E1-AY

ABU / MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,857 -
N0436N-ZK-E1-AY Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta) 10V 4.7mOhm @ 28A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 1W (Ta), 87.4W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252
RJK5035DPP-A0#T2

RJK5035DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP

Renesas Electronics Corporation

2,015 -
RJK5035DPP-A0#T2 Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Ta) 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V - 19 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 29W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220FP
SIHA15N80AE-GE3

SIHA15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

Vishay Siliconix

973 -
SIHA15N80AE-GE3 Технический лист E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IPP60R210CFD7XKSA1

IPP60R210CFD7XKSA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

435 -
IPP60R210CFD7XKSA1 Технический лист CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FCPF1300N80Z

FCPF1300N80Z

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

onsemi

380 -
FCPF1300N80Z Технический лист SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 400µA 21 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 100 V - 24W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
TK1R4F04PB,LXGQ

TK1R4F04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

1,000 -
TK1R4F04PB,LXGQ Технический лист U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.9mOhm @ 80A, 6V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
IPA60R180C7XKSA1

IPA60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

Infineon Technologies

203 -
IPA60R180C7XKSA1 Технический лист CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
STD8N65M5

STD8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

STMicroelectronics

4,523 -
STD8N65M5 Технический лист MDmesh™ V TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 690 pF @ 100 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STF16N60M6

STF16N60M6

MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

STMicroelectronics

1,174 -
STF16N60M6 Технический лист UltraFASTmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 16.7 nC @ 10 V ±25V 575 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
HUF75639S3ST

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

onsemi

735 -
HUF75639S3ST Технический лист UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 20 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Total 36284 Record«Prev1... 166167168169170171172173...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь