FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
R6006JNJGTL

R6006JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 6A LPTS

Rohm Semiconductor

1,098 -
R6006JNJGTL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V ±30V 410 pF @ 100 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

Rohm Semiconductor

1,285 -
RD3L08BGNTL

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 100µA 71 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 30 V - 119W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
STP18N65M2

STP18N65M2

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

STMicroelectronics

1,003 -
STP18N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 330mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 770 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
PJMF900N60EC_T0_00001

PJMF900N60EC_T0_00001

600V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

1,986 -
PJMF900N60EC_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V 310 pF @ 400 V - 22.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
TPS1101D

TPS1101D

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

Texas Instruments

69 -
TPS1101D

Технический лист

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 2.3A (Ta) 2.7V, 10V 90mOhm @ 2.5A, 10V 1.5V @ 250µA 11.25 nC @ 10 V +2V, -15V - - 791mW (Ta) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
NVMYS005N10MCLTWG

NVMYS005N10MCLTWG

PTNG 100V LL LFPAK4

onsemi

4,714 -
NVMYS005N10MCLTWG

Технический лист

- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 34A, 10V 3V @ 192µA 55 nC @ 10 V ±20V 4100 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 131W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
NP89N055PUK-E1-AY

NP89N055PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3

Renesas Electronics Corporation

3,175 -
NP89N055PUK-E1-AY

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 90A (Tc) 10V 4mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 147W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-3
RS1E350GNTB

RS1E350GNTB

MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP

Rohm Semiconductor

2,500 -
RS1E350GNTB

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 4060 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
R6509KNXC7G

R6509KNXC7G

650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

Rohm Semiconductor

3,990 -
R6509KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Ta) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 230µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
SIDR140DP-T1-RE3

SIDR140DP-T1-RE3

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

2,998 -
SIDR140DP-T1-RE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 79A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.67mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V, -16V 8150 pF @ 10 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
RS1E350BNTB1

RS1E350BNTB1

NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35

Rohm Semiconductor

2,217 -
RS1E350BNTB1

Технический лист

- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 185 nC @ 10 V ±20V 7900 pF @ 15 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
SIHP12N60E-BE3

SIHP12N60E-BE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

Vishay Siliconix

346 -
SIHP12N60E-BE3

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) - 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
RJK0854DPB-00#J5

RJK0854DPB-00#J5

MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

2,540 -
RJK0854DPB-00#J5

Технический лист

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 25A (Ta) 10V 13mOhm @ 12.5A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
R6524ENXC7G

R6524ENXC7G

650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

990 -
R6524ENXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 750µA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6524KNXC7G

R6524KNXC7G

650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

989 -
R6524KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6024ENXC7G

R6024ENXC7G

600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

980 -
R6024ENXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 1mA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6024KNXC7G

R6024KNXC7G

600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

970 -
R6024KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R8002ANJFRGTL

R8002ANJFRGTL

MOSFET N-CH 800V 2A LPTS

Rohm Semiconductor

611 -
R8002ANJFRGTL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 5V @ 1mA 13 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 62W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
IPA80R460CEXKSA2

IPA80R460CEXKSA2

MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220

Infineon Technologies

500 -
IPA80R460CEXKSA2

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10.8A (Ta) 10V 460mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 64 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 100 V - 34W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
SQJQ148ER-T1_GE3

SQJQ148ER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Vishay Siliconix

1,641 -
SQJQ148ER-T1_GE3

Технический лист

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 372A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 5750 pF @ 25 V - 394W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Total 36322 Record«Prev1... 168169170171172173174175...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь