TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
R6024ENXC7G

R6024ENXC7G

600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW

Rohm Semiconductor

980 -
R6024ENXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 1mA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6024KNXC7G

R6024KNXC7G

600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

Rohm Semiconductor

970 -
R6024KNXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R8002ANJFRGTL

R8002ANJFRGTL

MOSFET N-CH 800V 2A LPTS

Rohm Semiconductor

611 -
R8002ANJFRGTL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 5V @ 1mA 13 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 62W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
IPA80R460CEXKSA2

IPA80R460CEXKSA2

MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220

Infineon Technologies

500 -
IPA80R460CEXKSA2 Технический лист CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10.8A (Ta) 10V 460mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 64 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 100 V - 34W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
SQJQ148ER-T1_GE3

SQJQ148ER-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Vishay Siliconix

1,641 -
SQJQ148ER-T1_GE3 Технический лист TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 372A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 5750 pF @ 25 V - 394W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IRFIBC20GPBF

IRFIBC20GPBF

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3

Vishay Siliconix

1,045 -
IRFIBC20GPBF Технический лист - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.7A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IRFS7734TRLPBF

IRFS7734TRLPBF

MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK

Infineon Technologies

296 -
IRFS7734TRLPBF Технический лист HEXFET®, StrongIRFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 183A (Tc) 6V, 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 10150 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IQE050N08NM5CGATMA1

IQE050N08NM5CGATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9

Infineon Technologies

9,687 -
IQE050N08NM5CGATMA1 Технический лист OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16A (Ta), 101A (Tc) 6V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 49µA 43.2 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-1
NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G

MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

onsemi

1,324 -
NVMFS6H818NT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V 4V @ 190µA 46 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IPL65R200CFD7AUMA1

IPL65R200CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

Infineon Technologies

3,000 -
IPL65R200CFD7AUMA1 Технический лист CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 200mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 260µA 23 nC @ 10 V ±20V 1044 pF @ 400 V - 81W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
NP89N04PUK-E1-AY

NP89N04PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 90A TO263

Renesas Electronics Corporation

3,075 -
NP89N04PUK-E1-AY Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 2.95mOhm @ 45A, 5V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 5850 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 147W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
STL16N60M6

STL16N60M6

MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV

STMicroelectronics

1,922 -
STL16N60M6 Технический лист MDmesh™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active - - - 8A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
PSMNR89-25YLEX

PSMNR89-25YLEX

PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK

Nexperia USA Inc.

1,350 -
PSMNR89-25YLEX Технический лист - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 270A (Tc) 7V, 10V 0.98mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 2mA 120 nC @ 10 V ±20V 7452 pF @ 12 V - 224W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC

Vishay Siliconix

480 -
SIHG11N80AE-GE3 Технический лист E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±30V 804 pF @ 100 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
SIHA17N80AE-GE3

SIHA17N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 7A TO220

Vishay Siliconix

1,000 -
SIHA17N80AE-GE3 Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
FCP850N80Z

FCP850N80Z

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3

onsemi

766 -
FCP850N80Z Технический лист SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 600µA 29 nC @ 10 V ±20V 1315 pF @ 100 V - 136W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
R6030ENZC17

R6030ENZC17

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Rohm Semiconductor

300 -
R6030ENZC17 Технический лист - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 130mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 1mA 85 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
IQE065N10NM5SCATMA1

IQE065N10NM5SCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Infineon Technologies

5,752 -
IQE065N10NM5SCATMA1 Технический лист OptiMOS™ 5 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Ta), 85A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 48µA 43 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 33A 8SO

Vishay Siliconix

2,475 -
SI4456DY-T1-E3 Технический лист TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 33A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 20A, 10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V 5670 pF @ 20 V - 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
IPB120N04S401ATMA1

IPB120N04S401ATMA1

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Infineon Technologies

1,813 -
IPB120N04S401ATMA1 Технический лист OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 140µA 176 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
Total 36284 Record«Prev1... 168169170171172173174175...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь