TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IRF840STRRPBF

IRF840STRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

691 -
IRF840STRRPBF Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
R6024KNX

R6024KNX

MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Rohm Semiconductor

291 -
R6024KNX Технический лист - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
SIHJ240N60E-T1-GE3

SIHJ240N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

1,100 -
SIHJ240N60E-T1-GE3 Технический лист E PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 240mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 783 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
RJK0703DPP-A0#T2

RJK0703DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA

Renesas Electronics Corporation

8,351 -
RJK0703DPP-A0#T2 Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 70A (Ta) 10V 6.7mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 4150 pF @ 10 V - 25W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220ABA
IPP60R160P7XKSA1

IPP60R160P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1

Infineon Technologies

496 -
IPP60R160P7XKSA1 Технический лист CoolMOS™ P7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.3A, 10V 4V @ 350µA 31 nC @ 10 V ±20V 1317 pF @ 400 V - 81W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
R6015KNJTL

R6015KNJTL

MOSFET N-CH 600V 15A LPTS

Rohm Semiconductor

3,982 -
R6015KNJTL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 37.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
IPL60R185C7AUMA1

IPL60R185C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON

Infineon Technologies

2,922 -
IPL60R185C7AUMA1 Технический лист CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 185mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
NVD5C648NLT4G

NVD5C648NLT4G

MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK

onsemi

1,455 -
NVD5C648NLT4G Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 45A, 10V 2.1V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
IPB012N04NF2SATMA1

IPB012N04NF2SATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

795 -
IPB012N04NF2SATMA1 Технический лист StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 41A (Ta), 197A (Tc) 6V, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 189µA 239 nC @ 10 V ±20V 11300 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
RJK1055DPB-00#J5

RJK1055DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

7,335 -
RJK1055DPB-00#J5 Технический лист - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Ta) 10V 17mOhm @ 11.5A, 10V - 35 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
R6524KNZ4C13

R6524KNZ4C13

650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

Rohm Semiconductor

1,010 -
R6524KNZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
R6524ENZ4C13

R6524ENZ4C13

650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

475 -
R6524ENZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 750µA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IPL60R185CFD7AUMA1

IPL60R185CFD7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON

Infineon Technologies

2,973 -
IPL60R185CFD7AUMA1 Технический лист CoolMOS™ CFD7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 185mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 85W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
SIHP21N80AE-GE3

SIHP21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

Vishay Siliconix

976 -
SIHP21N80AE-GE3 Технический лист E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17.4A (Tc) 10V 235mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 1388 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHP17N80AEF-GE3

SIHP17N80AEF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

928 -
SIHP17N80AEF-GE3 Технический лист EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 305mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
IQE050N08NM5ATMA1

IQE050N08NM5ATMA1

TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8

Infineon Technologies

9,048 -
IQE050N08NM5ATMA1 Технический лист OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16A (Ta), 101A (Tc) 6V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 49µA 43.2 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-4
RD3L07BBGTL1

RD3L07BBGTL1

NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF

Rohm Semiconductor

2,359 -
RD3L07BBGTL1 Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 47 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 30 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
IXFP8N85X

IXFP8N85X

MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB

IXYS

278 -
IXFP8N85X Технический лист HiPerFET™, Ultra X TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4A, 10V 5.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 654 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (IXFP)
TSM13ND50CI

TSM13ND50CI

MOSFET N-CH 500V 13A ITO220

Taiwan Semiconductor Corporation

3,848 -
TSM13ND50CI Технический лист - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.3A, 10V 3.8V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1877 pF @ 50 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
PSMN0R7-25YLDX

PSMN0R7-25YLDX

MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56

Nexperia USA Inc.

3,113 -
PSMN0R7-25YLDX Технический лист - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 300A (Tc) 4.5V, 10V 0.72mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 110.2 nC @ 10 V ±20V 8320 pF @ 12 V - 158W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
Total 36284 Record«Prev1... 170171172173174175176177...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь