TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NVMFS4C302NT1G

NVMFS4C302NT1G

MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

onsemi

1,455 -
NVMFS4C302NT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 43A (Ta), 241A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 5780 pF @ 15 V - 3.75W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
N0436N-ZK-E1-AY

N0436N-ZK-E1-AY

ABU / MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,857 -
N0436N-ZK-E1-AY

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta) 10V 4.7mOhm @ 28A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 1W (Ta), 87.4W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252
RJK5035DPP-A0#T2

RJK5035DPP-A0#T2

MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP

Renesas Electronics Corporation

2,015 -
RJK5035DPP-A0#T2

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Ta) 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V - 19 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 29W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220FP
SIHA15N80AE-GE3

SIHA15N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

Vishay Siliconix

973 -
SIHA15N80AE-GE3

Технический лист

E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IPP60R210CFD7XKSA1

IPP60R210CFD7XKSA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

435 -
IPP60R210CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
FCPF1300N80Z

FCPF1300N80Z

MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

onsemi

380 -
FCPF1300N80Z

Технический лист

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 400µA 21 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 100 V - 24W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
TK1R4F04PB,LXGQ

TK1R4F04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

1,000 -
TK1R4F04PB,LXGQ

Технический лист

U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.9mOhm @ 80A, 6V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
IPA60R180C7XKSA1

IPA60R180C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

Infineon Technologies

203 -
IPA60R180C7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
STD8N65M5

STD8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

STMicroelectronics

4,523 -
STD8N65M5

Технический лист

MDmesh™ V TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 690 pF @ 100 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
STF16N60M6

STF16N60M6

MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

STMicroelectronics

1,174 -
STF16N60M6

Технический лист

UltraFASTmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 16.7 nC @ 10 V ±25V 575 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
HUF75639S3ST

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

onsemi

735 -
HUF75639S3ST

Технический лист

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 20 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIDR608EP-T1-RE3

SIDR608EP-T1-RE3

N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

5,990 -
SIDR608EP-T1-RE3

Технический лист

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 56A (Ta), 228A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V, -16V 8900 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
STP76NF75

STP76NF75

MOSFET N-CH 75V 80A TO220

STMicroelectronics

987 -
STP76NF75

Технический лист

STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
IPF013N04NF2SATMA1

IPF013N04NF2SATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

800 -
IPF013N04NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta), 232A (Tc) 6V, 10V 1.35mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 126µA 159 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
FCP360N65S3R0

FCP360N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3

onsemi

407 -
FCP360N65S3R0

Технический лист

SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
TPWR8503NL,L1Q

TPWR8503NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

Toshiba Semiconductor and Storage

4,674 -
TPWR8503NL,L1Q

Технический лист

U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 0.85mOhm @ 50A, 10V 2.3V @ 1mA 74 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 15 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DSOP Advance
R6006JNJGTL

R6006JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 6A LPTS

Rohm Semiconductor

1,098 -
R6006JNJGTL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V ±30V 410 pF @ 100 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
RD3L08BGNTL

RD3L08BGNTL

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

Rohm Semiconductor

1,285 -
RD3L08BGNTL

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 100µA 71 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 30 V - 119W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
STP18N65M2

STP18N65M2

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

STMicroelectronics

1,003 -
STP18N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 330mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 770 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
PJMF900N60EC_T0_00001

PJMF900N60EC_T0_00001

600V SUPER JUNCTION MOSFET

Panjit International Inc.

1,986 -
PJMF900N60EC_T0_00001

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V 310 pF @ 400 V - 22.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
Total 36322 Record«Prev1... 167168169170171172173174...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь