TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IPF016N06NF2SATMA1

IPF016N06NF2SATMA1

TRENCH 40<-<100V

Infineon Technologies

989 -
IPF016N06NF2SATMA1 Технический лист StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 223A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
STI6N90K5

STI6N90K5

MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK

STMicroelectronics

125 -
STI6N90K5 Технический лист MDmesh™ K5 TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
NTMFS4C020NT1G

NTMFS4C020NT1G

MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN

onsemi

4,241 -
NTMFS4C020NT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 47A (Ta), 303A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
SIDR402EP-T1-RE3

SIDR402EP-T1-RE3

N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

5,930 -
SIDR402EP-T1-RE3 Технический лист TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65.2A (Ta), 291A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V, -16V 9100 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
R6009END3TL1

R6009END3TL1

MOSFET N-CH 600V 9A TO252

Rohm Semiconductor

5,016 -
R6009END3TL1 Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
SIR846DP-T1-GE3

SIR846DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

1,980 -
SIR846DP-T1-GE3 Технический лист TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 7.5V, 10V 7.8mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 2870 pF @ 50 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
RJK1054DPB-00#J5

RJK1054DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

2,475 -
RJK1054DPB-00#J5 Технический лист - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta) 10V 22mOhm @ 10A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
NP50P04SLG-E1-AY

NP50P04SLG-E1-AY

MP-3ZK

Renesas Electronics Corporation

3,960 -
NP50P04SLG-E1-AY Технический лист - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 10 V - 1.2W (Ta), 84W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-252 (MP-3ZK)
SIHA12N60E-E3

SIHA12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Vishay Siliconix

923 -
SIHA12N60E-E3 Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
SIHD186N60EF-GE3

SIHD186N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A DPAK

Vishay Siliconix

6,140 -
SIHD186N60EF-GE3 Технический лист EF TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 201mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1118 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
R6007ENXC7G

R6007ENXC7G

600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

Rohm Semiconductor

1,996 -
R6007ENXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Ta) 10V 620mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 46W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Vishay Siliconix

1,110 -
SI4368DY-T1-E3 Технический лист TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V ±12V 8340 pF @ 15 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

Vishay Siliconix

993 -
SIHF12N65E-GE3 Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V 1224 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IRF840ASTRLPBF

IRF840ASTRLPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

675 -
IRF840ASTRLPBF Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1018 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IXTP05N100

IXTP05N100

MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB

Littelfuse Inc.

300 -
IXTP05N100 Технический лист - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 750mA (Tc) 10V 17Ohm @ 375mA, 10V 4.5V @ 250µA 7.8 nC @ 10 V ±30V 260 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
SIDR104ADP-T1-RE3

SIDR104ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

Vishay Siliconix

5,920 -
SIDR104ADP-T1-RE3 Технический лист TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.8A (Ta), 81A (Tc) 7.5V, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 50 V - 5.4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
IPD95R450PFD7ATMA1

IPD95R450PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3

Infineon Technologies

2,466 -
IPD95R450PFD7ATMA1 Технический лист CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 13.3A (Tc) 10V 450mOhm @ 7.2A, 10V 3.5V @ 360µA 43 nC @ 10 V ±20V 1230 pF @ 400 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
R6006JNXC7G

R6006JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM

Rohm Semiconductor

869 -
R6006JNXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V ±30V 410 pF @ 100 V - 43W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1

MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON

Infineon Technologies

5,000 -
BSC011N03LSTATMA1 Технический лист OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 39A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V ±20V 6300 pF @ 15 V - 3W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
TK1R5R04PB,LXGQ

TK1R5R04PB,LXGQ

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

Toshiba Semiconductor and Storage

2,900 -
TK1R5R04PB,LXGQ Технический лист U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.5mOhm @ 80A, 10V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount D2PAK+
Total 36284 Record«Prev1... 165166167168169170171172...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь