TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
FCP400N80Z

FCP400N80Z

MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3

onsemi

840 -
FCP400N80Z Технический лист SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 400mOhm @ 5.5A, 10V 4.5V @ 1.1mA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 1000 V - 195W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NTMJS0D8N04CLTWG

NTMJS0D8N04CLTWG

MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK

onsemi

2,886 -
NTMJS0D8N04CLTWG Технический лист - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta), 368A (Tc) 4.5V, 10V 0.72mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V 9600 pF @ 25 V - 4.2W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
IPDD60R125CFD7XTMA1

IPDD60R125CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 27A HDSOP-10

Infineon Technologies

1,688 -
IPDD60R125CFD7XTMA1 Технический лист CoolMOS™ CFD7 10-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) - 125mOhm @ 6.8A, 10V 4.5V @ 340µA 31 nC @ 10 V ±20V 1329 pF @ 400 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-10-1
NP179N04TUK-E1-AY

NP179N04TUK-E1-AY

AUTOMOTIVE MOS

Renesas Electronics Corporation

790 -
NP179N04TUK-E1-AY Технический лист - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Strip Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 13350 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 288W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
IXFA12N65X2

IXFA12N65X2

MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA

Littelfuse Inc.

238 -
IXFA12N65X2 Технический лист HiPerFET™, Ultra X2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 310mOhm @ 6A, 10V 5V @ 250µA 18.5 nC @ 10 V ±30V 1134 pF @ 25 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
AOW125A60

AOW125A60

MOSFET N-CH 600V 28A TO262

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

7,987 -
AOW125A60 Технический лист aMOS5™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 125mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2993 pF @ 100 V - 312.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Infineon Technologies

7,667 -
IPB180N06S4H1ATMA2 Технический лист OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 180A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 4V @ 200µA 270 nC @ 10 V ±20V 21900 pF @ 25 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
TK170V65Z,LQ

TK170V65Z,LQ

MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN

Toshiba Semiconductor and Storage

4,950 -
TK170V65Z,LQ Технический лист DTMOSVI 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Ta) 10V 170mOhm @ 9A, 10V 4V @ 730µA 29 nC @ 10 V ±30V 1635 pF @ 300 V - 150W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
SUM70030M-GE3

SUM70030M-GE3

MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7

Vishay Siliconix

1,070 -
SUM70030M-GE3 Технический лист TrenchFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 150A (Tc) - 3.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 214 nC @ 10 V ±20V 10870 pF @ 50 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
IPP60R160C6XKSA1

IPP60R160C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-3

Infineon Technologies

488 -
IPP60R160C6XKSA1 Технический лист CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 11.3A, 10V 3.5V @ 750µA 75 nC @ 10 V ±20V 1660 pF @ 100 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
NP109N055PUK-E1-AY

NP109N055PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Renesas Electronics Corporation

1,560 -
NP109N055PUK-E1-AY Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 2.2mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 189 nC @ 10 V ±20V 11250 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 250W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
RX3G18BGNC16

RX3G18BGNC16

NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO

Rohm Semiconductor

2,896 -
RX3G18BGNC16 Технический лист - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 4.5V, 10V 1.64mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 168 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 20 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
R6018VNXC7G

R6018VNXC7G

600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

Rohm Semiconductor

1,050 -
R6018VNXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V, 15V 204mOhm @ 4A, 15V 6.5V @ 600µA 27 nC @ 10 V ±30V 1250 pF @ 100 V - 61W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
R6009ENX

R6009ENX

MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

Rohm Semiconductor

188 -
R6009ENX Технический лист - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
RS6G120BGTB1

RS6G120BGTB1

NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE

Rohm Semiconductor

2,094 -
RS6G120BGTB1 Технический лист - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.34mOhm @ 90A, 10V 2.5V @ 1mA 67 nC @ 10 V ±20V 4240 pF @ 20 V - 104W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
IPF009N04NF2SATMA1

IPF009N04NF2SATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

650 -
IPF009N04NF2SATMA1 Технический лист StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 49A (Ta), 302A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 249µA 315 nC @ 10 V ±20V 15000 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
IRFBE30STRLPBF

IRFBE30STRLPBF

MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

Vishay Siliconix

700 -
IRFBE30STRLPBF Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHG180N60E-GE3

SIHG180N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

Vishay Siliconix

329 -
SIHG180N60E-GE3 Технический лист E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 180mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V 1085 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IXFP7N80P

IXFP7N80P

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB

Littelfuse Inc.

299 -
IXFP7N80P Технический лист HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 5V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±30V 1890 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STP80N240K6

STP80N240K6

N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,

STMicroelectronics

973 -
STP80N240K6 Технический лист MDmesh™ K6 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16A (Tc) 10V 220mOhm @ 7A, 10V 4V @ 100µA 25.9 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 100 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
Total 36284 Record«Prev1... 179180181182183184185186...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь