TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPP60R120C7XKSA1

    IPP60R120C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 622 -
    Запрос цены
    		IPP60R120C7XKSA1 Технический лист CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 120mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STL26N60DM6

    STL26N60DM6

    MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV

    STMicroelectronics

    		 2,997 -
    Запрос цены
    		STL26N60DM6 Технический лист MDmesh™ DM6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 215mOhm @ 7.5A, 10V 4.75V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±25V 940 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    IPB024N08N5ATMA1

    IPB024N08N5ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    		 990 -
    Запрос цены
    		IPB024N08N5ATMA1 Технический лист OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 154µA 123 nC @ 10 V ±20V 8970 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPW65R155CFD7XKSA1

    IPW65R155CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 240 -
    Запрос цены
    		IPW65R155CFD7XKSA1 Технический лист CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 155mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1283 pF @ 400 V - 77W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    STF33N65M2

    STF33N65M2

    MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 180 -
    Запрос цены
    		STF33N65M2 Технический лист MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 140mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 41.5 nC @ 10 V ±25V 1790 pF @ 100 V - 34W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    STW10N95K5

    STW10N95K5

    MOSFET N-CH 950V 8A TO247

    STMicroelectronics

    		 461 -
    Запрос цены
    		STW10N95K5 Технический лист SuperMESH5™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 8A (Tc) 10V 800mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 22 nC @ 10 V ±30V 630 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    R6055VNXC7G

    R6055VNXC7G

    600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

    Rohm Semiconductor

    		 1,013 -
    Запрос цены
    		R6055VNXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V, 15V 71mOhm @ 16A, 15V 6.5V @ 1.5mA 80 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 100 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6035KNZC17

    R6035KNZC17

    MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    		 277 -
    Запрос цены
    		R6035KNZC17 Технический лист - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    R6035ENZC17

    R6035ENZC17

    MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

    Rohm Semiconductor

    		 266 -
    Запрос цены
    		R6035ENZC17 Технический лист - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 4V @ 1mA 110 nC @ 10 V ±20V 2720 pF @ 25 V - 120W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    R6024ENJTL

    R6024ENJTL

    MOSFET N-CH 600V 24A LPTS

    Rohm Semiconductor

    		 821 -
    Запрос цены
    		R6024ENJTL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 1mA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    IXFP36N20X3M

    IXFP36N20X3M

    MOSFET N-CH 200V 36A TO220

    IXYS

    		 292 -
    Запрос цены
    		IXFP36N20X3M Технический лист HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 36A (Tc) 10V 45mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    NVMJST1D2N04CTXG

    NVMJST1D2N04CTXG

    TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

    onsemi

    		 2,900 -
    Запрос цены
    		NVMJST1D2N04CTXG Технический лист - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 451A (Tc) 10V 1.25mOhm @ 50A, 10V 4V @ 200µA 82 nC @ 10 V ±20V 5340 pF @ 20 V - 454W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
    STP12NK80Z

    STP12NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB

    STMicroelectronics

    		 2,626 -
    Запрос цены
    		STP12NK80Z Технический лист SuperMESH™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10.5A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.25A, 10V 4.5V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±30V 2620 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NVB190N65S3F

    NVB190N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

    onsemi

    		 622 -
    Запрос цены
    		NVB190N65S3F Технический лист SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 430µA 34 nC @ 10 V ±30V 1605 pF @ 400 V - 162W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIHB105N60EF-GE3

    SIHB105N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

    Vishay Siliconix

    		 5,591 -
    Запрос цены
    		SIHB105N60EF-GE3 Технический лист EF TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 102mOhm @ 13A, 10V 5V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1804 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6015ENXC7G

    R6015ENXC7G

    600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		R6015ENXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1mA 40 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6515ENXC7G

    R6515ENXC7G

    650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    		 1,000 -
    Запрос цены
    		R6515ENXC7G Технический лист - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 315mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 430µA 40 nC @ 10 V ±20V 910 pF @ 25 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IPB030N08N3GATMA1

    IPB030N08N3GATMA1

    MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

    Infineon Technologies

    		 2,493 -
    Запрос цены
    		IPB030N08N3GATMA1 Технический лист OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 160A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 3.5V @ 155µA 117 nC @ 10 V ±20V 8110 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7
    IXTP14N60P

    IXTP14N60P

    MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 177 -
    Запрос цены
    		IXTP14N60P Технический лист Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 550mOhm @ 7A, 10V 5.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 2500 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IAUS240N08S5N019ATMA1

    IAUS240N08S5N019ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8

    Infineon Technologies

    		 2,481 -
    Запрос цены
    		IAUS240N08S5N019ATMA1 Технический лист OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 240A (Tc) 6V, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 160µA 130 nC @ 10 V ±20V 9264 pF @ 40 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-8-1
    Total 36284 Record«Prev1... 181182183184185186187188...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135