FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
R6030JNZC17

R6030JNZC17

MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Rohm Semiconductor

300 -
R6030JNZC17

Технический лист

- TO-3P-3 Full Pack Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 15V 143mOhm @ 15A, 15V 7V @ 5.5mA 74 nC @ 15 V ±30V 2500 pF @ 100 V - 93W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
TK160F10N1,LXGQ

TK160F10N1,LXGQ

MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

Toshiba Semiconductor and Storage

4,477 -
TK160F10N1,LXGQ

Технический лист

U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Ta) 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 1mA 121 nC @ 10 V ±20V 8510 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
BUK7S1R2-40HJ

BUK7S1R2-40HJ

MOSFET N-CH 40V 300A LFPAK88

Nexperia USA Inc.

4,578 -
BUK7S1R2-40HJ

Технический лист

- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 300A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 112 nC @ 10 V +20V, -10V 8420 pF @ 25 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
TK22A65X,S5X

TK22A65X,S5X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor and Storage

183 -
TK22A65X,S5X

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22A (Ta) 10V 150mOhm @ 11A, 10V 3.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±30V 2400 pF @ 300 V - 45W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-220SIS
IPT022N10NF2SATMA1

IPT022N10NF2SATMA1

MOSFET

Infineon Technologies

1,800 -
IPT022N10NF2SATMA1

Технический лист

StrongIRFET™ 2 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 29A (Ta), 236A (Tc) 6V, 10V 2.25mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 169µA 155 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-10
STH150N10F7-2

STH150N10F7-2

MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2

STMicroelectronics

760 -
STH150N10F7-2

Технический лист

DeepGATE™, STripFET™ VII TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 110A (Tc) 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 4.5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V 8115 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
IXFP38N30X3M

IXFP38N30X3M

MOSFET N-CH 300V 38A TO220

Littelfuse Inc.

2,357 -
IXFP38N30X3M

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 38A (Tc) - - - 35 nC @ 10 V ±20V 2440 pF @ 25 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
R8011KNXC7G

R8011KNXC7G

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 11

Rohm Semiconductor

2,172 -
R8011KNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Ta) 10V 450mOhm @ 5.5A, 10V 4.5V @ 5.5mA 37 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 100 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IXTP3N100P

IXTP3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Littelfuse Inc.

263 -
IXTP3N100P

Технический лист

Polar P3™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1000 V 3A (Tc) 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXFP36N20X3

IXFP36N20X3

MOSFET N-CH 200V 36A TO220

Littelfuse Inc.

154 -
IXFP36N20X3

Технический лист

HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 36A (Tc) 10V 45mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
FCPF190N60

FCPF190N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F

onsemi

635 -
FCPF190N60

Технический лист

SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.2A (Tc) 10V 199mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
IRF644STRRPBF

IRF644STRRPBF

MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

Vishay Siliconix

605 -
IRF644STRRPBF

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 14A (Tc) 10V 280mOhm @ 8.4A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
NTPF250N65S3H

NTPF250N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

496 -
NTPF250N65S3H

Технический лист

SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13A (Tj) 10V 250mOhm @ 6.5A, 10V 4V @ 1.1mA 24 nC @ 10 V ±30V 1261 pF @ 400 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
IXFH34N50P3

IXFH34N50P3

MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD

IXYS

292 -
IXFH34N50P3

Технический лист

HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 34A (Tc) 10V 170mOhm @ 17A, 10V 5V @ 4mA 60 nC @ 10 V ±30V 3260 pF @ 25 V - 695W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
R6018JNXC7G

R6018JNXC7G

MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM

Rohm Semiconductor

2,795 -
R6018JNXC7G

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 15V 286mOhm @ 9A, 15V 7V @ 4.2mA 42 nC @ 15 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 72W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
IPP60R120C7XKSA1

IPP60R120C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 19A TO220-3

Infineon Technologies

622 -
IPP60R120C7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ C7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 120mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 390µA 34 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 92W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
STL26N60DM6

STL26N60DM6

MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV

STMicroelectronics

2,997 -
STL26N60DM6

Технический лист

MDmesh™ DM6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 215mOhm @ 7.5A, 10V 4.75V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±25V 940 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Infineon Technologies

990 -
IPB024N08N5ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 154µA 123 nC @ 10 V ±20V 8970 pF @ 40 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
IPW65R155CFD7XKSA1

IPW65R155CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

240 -
IPW65R155CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 155mOhm @ 6.4A, 10V 4.5V @ 320µA 28 nC @ 10 V ±20V 1283 pF @ 400 V - 77W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
STF33N65M2

STF33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP

STMicroelectronics

180 -
STF33N65M2

Технический лист

MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 140mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 41.5 nC @ 10 V ±25V 1790 pF @ 100 V - 34W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
Total 36322 Record«Prev1... 181182183184185186187188...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь