TomatoElecОтслеживание заказа TomatoElecМой аккаунт
    Популярные запросы CL05B104KA5NNNC INA180A1IDBVR TIP3220SAD01G01 TIP29B BZT585B36T-7 RUT241087000 CRT01261N T491A106M010AT DS2401X1#U GRM188R61E105KA12D
    TomatoElec

    Доступно 24/7 по

    0755-82798135
    TomatoElec TomatoElec
    Все категории
    Главная > Продукты  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить все
    Применить ко всем
    Результат

    FET и MOSFET

    TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

    Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

    Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

    Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    FCP110N65F

    FCP110N65F

    MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3

    onsemi

    		 793 -
    Запрос цены
    		FCP110N65F Технический лист FRFET®, SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 3.5mA 145 nC @ 10 V ±20V 4895 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STL31N65M5

    STL31N65M5

    MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88

    STMicroelectronics

    		 2,862 -
    Запрос цены
    		STL31N65M5 Технический лист MDmesh™ V 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 2.8A (Ta), 15A (Tc) 10V 162mOhm @ 11A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1865 pF @ 100 V - 2.8W (Ta), 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    AUIRFR4620TRL

    AUIRFR4620TRL

    MOSFET N-CH 200V 24A DPAK

    Infineon Technologies

    		 5,650 -
    Запрос цены
    		AUIRFR4620TRL Технический лист HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 24A (Tc) 10V 78mOhm @ 15A, 10V 5V @ 100µA 38 nC @ 10 V ±20V 1710 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    R6018JNJGTL

    R6018JNJGTL

    MOSFET N-CH 600V 18A LPTS

    Rohm Semiconductor

    		 502 -
    Запрос цены
    		R6018JNJGTL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 15V 286mOhm @ 9A, 15V 7V @ 4.2mA 42 nC @ 15 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 220W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    IPL65R130C7AUMA1

    IPL65R130C7AUMA1

    MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON

    Infineon Technologies

    		 3,088 -
    Запрос цены
    		IPL65R130C7AUMA1 Технический лист CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 130mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 440µA 35 nC @ 10 V ±20V 1670 pF @ 400 V - 102W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    NVMFS5C410NAFT1G

    NVMFS5C410NAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

    onsemi

    		 1,330 -
    Запрос цены
    		NVMFS5C410NAFT1G Технический лист - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 46A (Ta), 300A (Tc) 10V 0.92mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    R6520ENZ4C13

    R6520ENZ4C13

    650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    		 1,153 -
    Запрос цены
    		R6520ENZ4C13 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 630µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 231W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IXFA10N60P-TRL

    IXFA10N60P-TRL

    MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

    Littelfuse Inc.

    		 700 -
    Запрос цены
    		IXFA10N60P-TRL Технический лист HiPerFET™, Polar - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SIHH250N60EF-T1GE3

    SIHH250N60EF-T1GE3

    EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    		 3,050 -
    Запрос цены
    		SIHH250N60EF-T1GE3 Технический лист EF 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 250mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 915 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    IPL65R115CFD7AUMA1

    IPL65R115CFD7AUMA1

    COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

    Infineon Technologies

    		 3,000 -
    Запрос цены
    		IPL65R115CFD7AUMA1 Технический лист CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 115mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 480µA 41 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 400 V - 144W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    RSJ550N10TL

    RSJ550N10TL

    MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

    Rohm Semiconductor

    		 886 -
    Запрос цены
    		RSJ550N10TL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Ta) 4V, 10V 16.8mOhm @ 27.5A, 10V 2.5V @ 1mA 143 nC @ 10 V ±20V 6150 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    SPP20N65C3XKSA1

    SPP20N65C3XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3

    Infineon Technologies

    		 454 -
    Запрос цены
    		SPP20N65C3XKSA1 Технический лист CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    STD13NM60ND

    STD13NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

    STMicroelectronics

    		 9,424 -
    Запрос цены
    		STD13NM60ND Технический лист FDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±25V 845 pF @ 50 V - 109W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    RCJ331N25TL

    RCJ331N25TL

    250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 1,990 -
    Запрос цены
    		RCJ331N25TL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 33A (Tc) 10V 105mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4500 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 211W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
    FCP099N65S3

    FCP099N65S3

    MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

    onsemi

    		 800 -
    Запрос цены
    		FCP099N65S3 Технический лист SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 99mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 3mA 61 nC @ 10 V ±30V 2480 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STF13NM60ND

    STF13NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

    STMicroelectronics

    		 662 -
    Запрос цены
    		STF13NM60ND Технический лист FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±25V 845 pF @ 50 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    RCJ451N20TL

    RCJ451N20TL

    200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    		 986 -
    Запрос цены
    		RCJ451N20TL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 45A (Tc) 10V 55mOhm @ 22.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4200 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 211W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
    IXFP10N80P

    IXFP10N80P

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    		 240 -
    Запрос цены
    		IXFP10N80P Технический лист HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V 5.5V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±30V 2050 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    IPW65R125CFD7XKSA1

    IPW65R125CFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    		 235 -
    Запрос цены
    		IPW65R125CFD7XKSA1 Технический лист CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 125mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 420µA 36 nC @ 10 V ±20V 1694 pF @ 400 V - 98W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
    STWA30N65DM6AG

    STWA30N65DM6AG

    MOSFET N-CH 650V 28A TO247

    STMicroelectronics

    		 600 -
    Запрос цены
    		STWA30N65DM6AG Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 110mOhm @ 14A, 10V 4.75V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±25V 2000 pF @ 100 V - 284W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247 Long Leads
    Total 36284 Record«Prev1... 184185186187188189190191...1815Next»
    TomatoElec

    Поиск

     TomatoElec

    Продукты

     TomatoElec

    Телефон

     TomatoElec

    Пользователь
    TomatoElec
    [email protected]
    0755-82798135