FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NVMFS5C410NAFT1G

NVMFS5C410NAFT1G

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

onsemi

1,330 -
NVMFS5C410NAFT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 46A (Ta), 300A (Tc) 10V 0.92mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 6100 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
R6520ENZ4C13

R6520ENZ4C13

650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

Rohm Semiconductor

1,153 -
R6520ENZ4C13

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 205mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 630µA 61 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 231W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
IXFA10N60P-TRL

IXFA10N60P-TRL

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

Littelfuse Inc.

700 -

-

HiPerFET™, Polar - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SIHH250N60EF-T1GE3

SIHH250N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

3,050 -
SIHH250N60EF-T1GE3

Технический лист

EF 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 250mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 915 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
IPL65R115CFD7AUMA1

IPL65R115CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

Infineon Technologies

3,000 -
IPL65R115CFD7AUMA1

Технический лист

CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 115mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 480µA 41 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 400 V - 144W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
RSJ550N10TL

RSJ550N10TL

MOSFET N-CH 100V 55A LPTS

Rohm Semiconductor

886 -
RSJ550N10TL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Ta) 4V, 10V 16.8mOhm @ 27.5A, 10V 2.5V @ 1mA 143 nC @ 10 V ±20V 6150 pF @ 25 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
SPP20N65C3XKSA1

SPP20N65C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3

Infineon Technologies

454 -
SPP20N65C3XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20.7A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 114 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
STD13NM60ND

STD13NM60ND

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

STMicroelectronics

9,424 -
STD13NM60ND

Технический лист

FDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±25V 845 pF @ 50 V - 109W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
RCJ331N25TL

RCJ331N25TL

250V 33A, NCH, TO-263S, POWER MO

Rohm Semiconductor

1,990 -
RCJ331N25TL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 33A (Tc) 10V 105mOhm @ 16.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4500 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 211W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
FCP099N65S3

FCP099N65S3

MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

onsemi

800 -
FCP099N65S3

Технический лист

SuperFET® III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 99mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 3mA 61 nC @ 10 V ±30V 2480 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
STF13NM60ND

STF13NM60ND

MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

STMicroelectronics

662 -
STF13NM60ND

Технический лист

FDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±25V 845 pF @ 50 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
RCJ451N20TL

RCJ451N20TL

200V 45A, NCH, TO-263S, POWER MO

Rohm Semiconductor

986 -
RCJ451N20TL

Технический лист

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 45A (Tc) 10V 55mOhm @ 22.5A, 10V 5V @ 1mA 80 nC @ 10 V ±30V 4200 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 211W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
IXFP10N80P

IXFP10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO220AB

Littelfuse Inc.

240 -
IXFP10N80P

Технический лист

HiPerFET™, Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 5A, 10V 5.5V @ 2.5mA 40 nC @ 10 V ±30V 2050 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IPW65R125CFD7XKSA1

IPW65R125CFD7XKSA1

HIGH POWER_NEW

Infineon Technologies

235 -
IPW65R125CFD7XKSA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tc) 10V 125mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 420µA 36 nC @ 10 V ±20V 1694 pF @ 400 V - 98W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3
STWA30N65DM6AG

STWA30N65DM6AG

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

STMicroelectronics

600 -
STWA30N65DM6AG

Технический лист

- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 110mOhm @ 14A, 10V 4.75V @ 250µA 46 nC @ 10 V ±25V 2000 pF @ 100 V - 284W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247 Long Leads
IXTQ22N60P

IXTQ22N60P

MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

Littelfuse Inc.

105 -
IXTQ22N60P

Технический лист

Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 350mOhm @ 11A, 10V 5.5V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 3600 pF @ 25 V - 400W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
AOB125A60L

AOB125A60L

MOSFET N-CH 600V 28A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

1,255 -
AOB125A60L

Технический лист

aMOS5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 125mOhm @ 14A, 10V 4.5V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2993 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IRFBC40LCPBF-BE3

IRFBC40LCPBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

843 -
IRFBC40LCPBF-BE3

Технический лист

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Tc) - 1.2Ohm @ 3.7A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
SIHA125N60EF-GE3

SIHA125N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Vishay Siliconix

992 -
SIHA125N60EF-GE3

Технический лист

EF TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±30V 1533 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
IPL60R095CFD7AUMA1

IPL60R095CFD7AUMA1

MOSFET N CH

Infineon Technologies

1,750 -
IPL60R095CFD7AUMA1

Технический лист

CoolMOS™ CFD7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 95mOhm @ 1.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 147W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4-1
Total 36322 Record«Prev1... 185186187188189190191192...1817Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь