TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
IXFP22N60P3

IXFP22N60P3

MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB

Littelfuse Inc.

291 -
IXFP22N60P3 Технический лист HiPerFET™, Polar3™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 360mOhm @ 11A, 10V 5V @ 1.5mA 38 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 25 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
IXTP1R4N120P

IXTP1R4N120P

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB

Littelfuse Inc.

149 -
IXTP1R4N120P Технический лист Polar TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 1.4A (Tc) 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 4.5V @ 100µA 24.8 nC @ 10 V ±20V 666 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
R6524KNX3C16

R6524KNX3C16

650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

Rohm Semiconductor

118 -
R6524KNX3C16 Технический лист - TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 253W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
STF19NM50N

STF19NM50N

MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP

STMicroelectronics

982 -
STF19NM50N Технический лист MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 250mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±25V 1000 pF @ 50 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
SIHK185N60EF-T1GE3

SIHK185N60EF-T1GE3

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Vishay Siliconix

2,000 -
SIHK185N60EF-T1GE3 Технический лист EF 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 193mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 1081 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
STB14NK60ZT4

STB14NK60ZT4

MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK

STMicroelectronics

250 -
STB14NK60ZT4 Технический лист SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13.5A (Tc) 10V 500mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 100µA 75 nC @ 10 V ±30V 2220 pF @ 25 V - 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
AOB29S50L

AOB29S50L

MOSFET N-CH 500V 29A TO263

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

840 -
AOB29S50L Технический лист aMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 29A (Tc) 10V 150mOhm @ 14.5A, 10V 3.9V @ 250µA 26.6 nC @ 10 V ±30V 1312 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPP60R090CFD7XKSA1

IPP60R090CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3

Infineon Technologies

462 -
IPP60R090CFD7XKSA1 Технический лист OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 25A (Tc) 10V 90mOhm @ 11.4A, 10V 4.5V @ 570µA 51 nC @ 10 V ±20V 2103 pF @ 400 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
STP15N80K5

STP15N80K5

MOSFET N-CH 800V 14A TO220

STMicroelectronics

448 -
STP15N80K5 Технический лист SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 14A (Tc) 10V 375mOhm @ 7A, 10V 5V @ 100µA 32 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 100 V - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FDPF4D5N10C

FDPF4D5N10C

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F

onsemi

7,341 -
FDPF4D5N10C Технический лист PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 128A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 310µA 68 nC @ 10 V ±20V 5065 pF @ 50 V - 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
NP110N055PUK-E1-AY

NP110N055PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

Renesas Electronics Corporation

799 -
NP110N055PUK-E1-AY Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 110A (Tc) 10V 1.75mOhm @ 55A, 10V 4V @ 250µA 294 nC @ 10 V ±20V 16050 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 348W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
STW50N65DM2AG

STW50N65DM2AG

MOSFET N-CH 650V 28A TO247

STMicroelectronics

596 -
STW50N65DM2AG Технический лист MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 28A (Tc) 10V 87mOhm @ 19A, 10V 5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±25V 3200 pF @ 100 V - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Infineon Technologies

409 -
IPB80N08S207ATMA1 Технический лист OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 7.1mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V ±20V 4700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
SIHH14N60EF-T1-GE3

SIHH14N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

3,000 -
SIHH14N60EF-T1-GE3 Технический лист - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 266mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V 1449 pF @ 100 V - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
STF21N65M5

STF21N65M5

MOSFET N-CH 650V 17A TO220FP

STMicroelectronics

315 -
STF21N65M5 Технический лист MDmesh™ V TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V 1950 pF @ 100 V - 30W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
FCPF290N80

FCPF290N80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220F

onsemi

665 -
FCPF290N80 Технический лист PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 75 nC @ 10 V ±20V 3205 pF @ 100 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
NTB011N15MC

NTB011N15MC

NTB011N15MC

onsemi

760 -
NTB011N15MC Технический лист PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 12.5A (Ta), 75.4A (Tc) 8V, 10V 10.9mOhm @ 41A, 10V 4.5V @ 223µA 37 nC @ 10 V ±20V 2810 pF @ 75 V - 3.75W (Ta), 136.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
SIHG21N80AE-GE3

SIHG21N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC

Vishay Siliconix

485 -
SIHG21N80AE-GE3 Технический лист E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17.4A (Tc) 10V 235mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 1388 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
IPB100N12S305ATMA1

IPB100N12S305ATMA1

MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

Infineon Technologies

3,882 -
IPB100N12S305ATMA1 Технический лист OptiMOS™ TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 100A (Tc) 10V 5.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 240µA 185 nC @ 10 V ±20V 11570 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-1
FCMT180N65S3

FCMT180N65S3

MOSFET N-CH 650V 17A POWER88

onsemi

1,515 -
FCMT180N65S3 Технический лист SuperFET® III 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 180mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.8mA 33 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 400 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power88
Total 36284 Record«Prev1... 186187188189190191192193...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь