TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
TK090U65Z,RQ

TK090U65Z,RQ

DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ

Toshiba Semiconductor and Storage

2,118 -
TK090U65Z,RQ Технический лист DTMOSVI 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Ta) 10V 90mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1.27mA 47 nC @ 10 V ±30V 2780 pF @ 300 V - 230W (Tc) 150°C - - Surface Mount TOLL
NTHL110N65S3F

NTHL110N65S3F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

onsemi

895 -
NTHL110N65S3F Технический лист - TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 110mOhm @ 15A, 10V 5V @ 3mA 58 nC @ 10 V ±30V 2560 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
IPW60R125C6FKSA1

IPW60R125C6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

Infineon Technologies

272 -
IPW60R125C6FKSA1 Технический лист CoolMOS™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 3.5V @ 960µA 96 nC @ 10 V ±20V 2127 pF @ 100 V - 219W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-1
FCH110N65F-F155

FCH110N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

onsemi

761 -
FCH110N65F-F155 Технический лист FRFET®, SuperFET® II TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 110mOhm @ 17.5A, 10V 5V @ 3.5mA 145 nC @ 10 V ±20V 4895 pF @ 100 V - 357W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
DMTH8001STLWQ-13

DMTH8001STLWQ-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

Diodes Incorporated

3,013 -
DMTH8001STLWQ-13 Технический лист - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 270A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V 8894 pF @ 50 V - 6W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI1012-8
IPB65R099CFD7AATMA1

IPB65R099CFD7AATMA1

MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3

Infineon Technologies

884 -
IPB65R099CFD7AATMA1 Технический лист CoolMOS™ CFD7A TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 99mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V 2513 pF @ 400 V - 127W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
STW15NK50Z

STW15NK50Z

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

STMicroelectronics

581 -
STW15NK50Z Технический лист SuperMESH™ TO-247-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 340mOhm @ 7A, 10V 4.5V @ 100µA 106 nC @ 10 V ±30V 2260 pF @ 25 V - 160W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
STB25N80K5

STB25N80K5

MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK

STMicroelectronics

518 -
STB25N80K5 Технический лист SuperMESH5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 19.5A (Tc) 10V 260mOhm @ 19.5A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±30V 1600 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
IPL65R095CFD7AUMA1

IPL65R095CFD7AUMA1

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE

Infineon Technologies

2,970 -
IPL65R095CFD7AUMA1 Технический лист CoolMOS™ 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 95mOhm @ 12.5A, 10V 4.5V @ 630µA 53 nC @ 10 V ±20V 2513 pF @ 400 V - 171W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
PJMH120N60EC_T0_00601

PJMH120N60EC_T0_00601

600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI

Panjit International Inc.

1,800 -
PJMH120N60EC_T0_00601 Технический лист - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 10V 120mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±30V 1960 pF @ 400 V - 235W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
TK28V65W5,LQ

TK28V65W5,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Toshiba Semiconductor and Storage

2,500 -
TK28V65W5,LQ Технический лист - 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 27.6A (Ta) 10V 140mOhm @ 13.8A, 10V 4.5V @ 1.6mA 90 nC @ 10 V ±30V 3000 pF @ 300 V - 240W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
IPTC063N15NM5ATMA1

IPTC063N15NM5ATMA1

OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Infineon Technologies

1,800 -
IPTC063N15NM5ATMA1 Технический лист OptiMOS™ 5 16-PowerSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 8V, 10V 6.3mOhm @ 50A, 10V 4.6V @ 163µA 63 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 75 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-16-2
STP21N90K5

STP21N90K5

MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3

STMicroelectronics

965 -
STP21N90K5 Технический лист SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 18.5A (Tc) 10V 299mOhm @ 9A, 10V 5V @ 100µA 43 nC @ 10 V ±30V 1645 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
FCP130N60

FCP130N60

MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3

onsemi

515 -
FCP130N60 Технический лист SuperFET® II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 130mOhm @ 14A, 10V 3.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 3590 pF @ 380 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
RCJ700N20TL

RCJ700N20TL

MOSFET N-CH 200V 70A LPTS

Rohm Semiconductor

926 -
RCJ700N20TL Технический лист - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 70A (Tc) 10V 42.7mOhm @ 35A, 10V 5V @ 1mA 125 nC @ 10 V ±30V 6900 pF @ 25 V - 1.56W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
IXTQ96N20P

IXTQ96N20P

MOSFET N-CH 200V 96A TO3P

Littelfuse Inc.

285 -
IXTQ96N20P Технический лист Polar TO-3P-3, SC-65-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 96A (Tc) 10V 24mOhm @ 500mA, 10V 5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 4800 pF @ 25 V - 600W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-3P
IXTH20N65X2

IXTH20N65X2

MOSFET N-CH 650V 20A TO247

Littelfuse Inc.

114 -
IXTH20N65X2 Технический лист Ultra X2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 185mOhm @ 10A, 10V 4.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±30V 1450 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
SIHH14N65EF-T1-GE3

SIHH14N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8

Vishay Siliconix

3,000 -
SIHH14N65EF-T1-GE3 Технический лист - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 271mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 98 nC @ 10 V ±30V 1749 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
FDBL0330N80

FDBL0330N80

MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF

onsemi

1,966 -
FDBL0330N80 Технический лист PowerTrench® 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 220A (Tc) 10V 3mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 112 nC @ 10 V ±20V 6320 pF @ 40 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
SIHB080N60E-GE3

SIHB080N60E-GE3

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

Vishay Siliconix

1,722 -
SIHB080N60E-GE3 Технический лист E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 35A (Tc) 10V 80mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 227W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Total 36284 Record«Prev1... 189190191192193194195196...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь