TomatoElec

Доступно 24/7 по

0755-82798135
TomatoElec TomatoElec

FET, MOSFET

Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

Сбросить все
Применить ко всем
Результат

FET и MOSFET

TomatoElec поставляет FET и MOSFET для промышленной электроники, автомобильной электроники, управления питанием, приводов двигателей и других общих электронных применений. Мы поддерживаем снабжение полевыми транзисторами, силовыми MOSFET и другими широко используемыми полупроводниковыми компонентами для переключения и управления.

Мы поддерживаем гибкий RFQ-сервис для поставок FET и MOSFET и помогаем клиентам повышать эффективность закупок для регулярных потребностей, срочных запросов и некоторых труднодоступных позиций.

Благодаря доступу к нескольким каналам поставок TomatoElec стремится обеспечивать клиентов надежной поддержкой в снабжении FET и MOSFET, оперативным предложением цен и глобальной доставкой.

Фото Номер производителя Наличие Цена Количество Технический лист Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
NTLJS3A18PZTWG

NTLJS3A18PZTWG

MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN

onsemi

9,567 -
NTLJS3A18PZTWG

Технический лист

- 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 5A (Ta) 1.5V, 4.5V 18mOhm @ 7A, 4.5V 1V @ 250µA 28 nC @ 4.5 V ±8V 2240 pF @ 15 V - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WDFN (2x2)
NVMFS5885NLT1G

NVMFS5885NLT1G

MOSFET N-CH 60V 10.2A 5DFN

onsemi

8,091 -
NVMFS5885NLT1G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 10.2A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 1340 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
SFP2955

SFP2955

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

5,794 -
SFP2955

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 9.4A (Tc) 10V 300mOhm @ 4.7A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 25 V - 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
NTMFS4744NT3G

NTMFS4744NT3G

MOSFET N-CH 30V 7A 5DFN

onsemi

9,754 -
NTMFS4744NT3G

Технический лист

- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 7A (Ta) 4.5V, 11.5V 7.6mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1300 pF @ 12 V - 880mW (Ta), 47.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
IRFH7936TRPBF

IRFH7936TRPBF

IRFH7936 - N-CHANNEL

International Rectifier

4,530 -
IRFH7936TRPBF

Технический лист

HEXFET® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 20A, 10V 2.35V @ 50µA 26 nC @ 4.5 V ±20V 2360 pF @ 15 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
SFS9614

SFS9614

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

4,236 -
SFS9614

Технический лист

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 1.27A (Tc) 10V 4Ohm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V ±30V 295 pF @ 25 V - 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
BUK7575-55A,127

BUK7575-55A,127

NEXPERIA BUK7575 - N-CHANNEL MO

NXP Semiconductors

4,013 -
BUK7575-55A,127

Технический лист

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 20.3A (Tc) 10V 75mOhm @ 10A, 10V 4V @ 1mA - ±20V 483 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
NTQD4154ZR2G

NTQD4154ZR2G

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

4,000 -
NTQD4154ZR2G

Технический лист

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2302

2302

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Goford Semiconductor

3,197 -
2302

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 4.3A (Tc) 2.5V, 4.5V 27mOhm @ 2.2A, 4.5V 1.1V @ 250µA 4 nC @ 4.5 V ±10V 356 pF @ 10 V - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
FQD4N50TM

FQD4N50TM

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK

Fairchild Semiconductor

3,035 -
FQD4N50TM

Технический лист

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 2.6A (Tc) 10V 2.7Ohm @ 1.3A, 10V 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
IRLML0060TR

IRLML0060TR

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23

UMW

3,000 -
IRLML0060TR

Технический лист

* TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.7A (Ta) 4.5V, 10V 92mOhm @ 2.7A, 10V 2.5V @ 25µA - ±16V - - 1.25W (Ta) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
FDN360P

FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23

UMW

3,000 -
FDN360P

Технический лист

* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLML5103TR

IRLML5103TR

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

UMW

2,990 -
IRLML5103TR

Технический лист

* - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
G3035L

G3035L

P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

Goford Semiconductor

2,755 -
G3035L

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 4.1A (Ta) 4.5V, 10V 59mOhm @ 2.1A, 10V 2V @ 250µA 12.5 nC @ 10 V ±20V 650 pF @ 15 V - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
IRF523

IRF523

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

2,608 -
IRF523

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.6A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
NTD95N02RT4G

NTD95N02RT4G

MOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAK

onsemi

6,496 -
NTD95N02RT4G

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24 V 12A (Ta), 32A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 nC @ 4.5 V ±20V 2400 pF @ 20 V - 1.25W (Ta), 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
RFD3N08LSM9A

RFD3N08LSM9A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

2,425 -
RFD3N08LSM9A

Технический лист

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 3A (Tc) 5V 800mOhm @ 3A, 5V 2.5V @ 250µA 8.5 nC @ 10 V ±10V 125 pF @ 25 V - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
IPD50N06S4L08ATMA1

IPD50N06S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Infineon Technologies

9,222 -
IPD50N06S4L08ATMA1

Технический лист

OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Discontinued at Digi-Key N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 35µA 64 nC @ 10 V ±16V 4780 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
IRL620A

IRL620A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

1,890 -
IRL620A

Технический лист

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 5A (Tc) 5V 800mOhm @ 2.5A, 5V 2V @ 250µA 15 nC @ 5 V ±20V 430 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
G300N04L

G300N04L

MOSFET N-CH 40V 5A SOT-23-3L

Goford Semiconductor

1,890 -
G300N04L

Технический лист

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Cut Tape (CT) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 5A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V 517 pF @ 20 V - 2.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
Total 36284 Record«Prev1... 397398399400401402403404...1815Next»
TomatoElec

Поиск

TomatoElec

Продукты

TomatoElec

Телефон

TomatoElec

Пользователь